【技术实现步骤摘要】
电子熔线控制电路、半导体元件及其制备方法
[0001]本申请案主张美国第17/517,525号及第17/517,794号专利申请案的优先权(即优先权日为“2021年11月2日”及“2021年11月3日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开提供一种电子熔线控制电路及其制备方法，特别是关于一种提供不同接合选项的电子熔线控制电路及其制备方法。
技术介绍
[0003]反熔线器(antifuse)是电子熔线器元件(eFuse)的一种类型，并且已在一次性可编程(one
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time programmable，OTP)非易失性存储器中获得采用。图1例示反熔线器AF1的结构。如图1所示，反熔线器AF1的结构类似于晶体管的结构；反熔线器AF1包括栅极G1和主动区A1。在此情况下，由于栅极G1包括栅极氧化物，因此栅极G1和主动区A1之间具有相当高的电阻。然而，当编程电压VH被施加到栅极G1上，而接地电压被施加到主动区A1上时，施加到反熔线器元件AF1上的高电压会破坏栅极G1的栅极氧化物，因而在栅极G...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子熔线控制电路，包括：一编程电压垫，经配置以接收一编程电压；一熔线器元件，包括与该编程电压垫耦合的一第一端，和一第二端；一锁存器，包括一输入端和一输出端；一操作开关单元，经配置以在一编程操作期间在该熔线器元件的该第二端和一接地端之间形成一电性连接，并经配置以在一读取操作期间在该熔线器元件的该第二端和该锁存器的该输入端之间形成一电性连接；多个电阻器选择垫；以及多个接合选项单元，其中该多个接合选项单元中的每一个都包括一电阻器和一选择开关，串联在该锁存器的该输入端和该多个电阻器选择垫中的一相应电阻器选择垫之间。2.如权利要求1所述的电子熔线控制电路，其中该熔线器元件是一反熔线器。3.如权利要求1所述的电子熔线控制电路，其中该多个接合选项单元的电阻器具有不同的电阻值。4.如权利要求1所述的电子熔线控制电路，更包括一读取开关，包括：一第一端，与该熔线器元件的该第一端耦合；一第二端，与该接地端耦合；以及一控制端，经配置以接收一读取控制信号。5.如权利要求1所述的电子熔线控制电路，其中该操作开关单元包括：一第一开关，包括：一第一端，与该熔线器元件的该第二端耦合；一第二端；以及一控制端，经配置以接收一读取和编程控制信号；一第二开关，包括：一第一端，与该第一开关的该第二端耦合；一第二端，与该接地端耦合；以及一控制端，经配置以接收一编程控制信号；以及一第三开关，包括：一第一端，与该第一开关的该第二端耦合；一第二端，与该锁存器的该输入端耦合；以及一控制端，经配置以接收一读取控制信号。6.如权利要求1所述的电子熔线控制电路，其中该锁存器更包括：一第一反相器，包括：一输入端，与该锁存器的该输入端耦合；以及一输出端，与该锁存器的该输出端耦合；以及一第二反相器，包括：一输入端，与该锁存器的该输出端耦合；以及一输出端，与该锁存器的该输入端耦合。7.如权利要求1所述的电子熔线控制电路，其中该多个电阻器选择垫中的至少一个在该读取操作期间接收一读取电压，其中该读取电压小于该编程电压。
8.一种半导体元件，包括：一芯片，包括一电子熔线控制电路，该电子熔线控制电路包括：一编程电压垫，经配置以接收一编程电压；一熔线器元件，包括与该编程电压垫耦合的一第一端，和一第二端；一锁存器，包括一输入端和一输出端；一操作开关单元，经配置以在一编程操作期间在该熔线器元件的该第二端和一接地端之间形成一电性连接，并经配置以在一读取操作期间在该熔线器元件的该第二端和该锁存器的该输入端之间形成一电性连接；多个电阻器选择垫；以及多个接合选项单元，其中该多个接合选项单元中的每一个都包括一电阻器和一选择开关，串联在该锁存器的该输入端和该多个电阻器选择垫中的一相应电阻器选择垫之间；以及一基底，包括：一第一电压接合垫，被接合到该编程电压垫；以及多个第二电压接合垫，其中该多个第二电压接合垫中的至少一个被接合到该多个电阻器选择垫中的至少一个。9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该熔线器元件是一反熔线器。10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该多个接合选项单元的电阻器具有不同的电阻值。11.如权利要求8所述的半导体元件，其中该电子熔线控制电路更包括一读取开关，包括：一第一端，与该熔线器元件的该第一端耦合；一第二端，与该接地端耦合；以及一控制端，经配置以接收一读取控制信号。12.如权利要求8...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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