【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种刻蚀方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路的迅速发展，芯片的集成度越来越高，元器件的尺寸越来越小。因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对半导体工艺的制作结果的影响日益突出。以硬掩膜为例，随着光刻尺寸的减小，常需要在晶圆的表面形成硬掩膜层配合光刻胶形成掩膜图形。针对闪存，厂商一直在通过堆叠更多的层数提高闪存的容量。目前的堆栈层数已经达到64层，厂商们还在研发72层甚至更高层数的堆栈技术。无定型碳(AmorphousCarbonLayer，简称ACL)刻蚀作为堆栈层的硬掩膜，具有高孔径比以及精确控制孔关键尺寸的要求，对刻蚀工艺开发提出了新的需求。对于闪存型存储器，存储区堆栈层通孔刻蚀非常重要，决定着整个器件的性能和良率，而存储区通孔刻蚀的开口由ACL刻蚀进行定义。所以，ACL刻蚀后的底部孔径尺寸，特别是失真率对器件的性能有较大影响。失真率是指圆形孔径短轴与长轴之比，理想的失真率为100％，但高孔径比刻蚀总会造成孔径失真率小于100％。现有的一种技...
【技术保护点】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：/n主刻蚀步骤，所述主刻蚀步骤用于在待刻蚀层上进行孔刻蚀；/n开口修饰步骤，所述开口修饰步骤用于去除所述主刻蚀步骤在所述孔的开口处形成的刻蚀沉积物；/n循环交替进行所述主刻蚀步骤和所述开口修饰步骤，以在所述待刻蚀层上形成预设深度的孔。/n
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
主刻蚀步骤，所述主刻蚀步骤用于在待刻蚀层上进行孔刻蚀；
开口修饰步骤，所述开口修饰步骤用于去除所述主刻蚀步骤在所述孔的开口处形成的刻蚀沉积物；
循环交替进行所述主刻蚀步骤和所述开口修饰步骤，以在所述待刻蚀层上形成预设深度的孔。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述开口修饰步骤具体包括：
对所述孔的侧壁和开口处进行物理轰击，以去除所述刻蚀沉积物并使所述孔的侧壁平滑。
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述开口修饰步骤还包括：
通入沉积气体，在所述孔的侧壁上形成沉积层。
4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述开口修饰步骤还包括：
采用清洁气体进行刻蚀工艺以去除所述刻蚀沉积物和所述孔的开口处沉积的沉积物。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱瑞苹，王京，陈国动，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。