喷头和气体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即使使用高腐蚀性的处理气体也能够抑制腐蚀的喷头和气体处理装置。一种喷头，其在对基板实施气体处理的气体处理装置中向配置基板的腔室内供给腐蚀性的处理气体，具备：基座构件；喷淋板，其具有喷出处理气体的多个气体喷出孔；以及气体扩散空间，其设置于基座构件与喷淋板之间的一部分，被导入处理气体，并与多个气体喷出孔连通，基座构件的基材和喷淋板的基材由金属构成，基座构件的面对气体扩散空间的部分以及喷淋板的面对气体扩散空间和气体喷出孔的部分由耐蚀性金属材料或耐蚀性覆膜覆盖。

Nozzle and gas treatment device

【技术实现步骤摘要】
喷头和气体处理装置
本公开涉及一种喷头和气体处理装置。
技术介绍
在液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)制造工序中，存在对矩形形状的玻璃基板的预定的膜进行等离子体蚀刻等等离子体处理的工序。作为这样的等离子体处理装置，具有能够在高真空度下获得高密度的等离子体这样大的优点的电感耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma：ICP)处理装置备受关注。对于以往的电感耦合等离子体处理装置，与被处理基板相对应的矩形形状的电介质窗介于高频天线与处理室之间，但随着基板的大型化，近来，提出了使用金属窗的电感耦合等离子体处理装置(专利文献1)。在专利文献1中，分割矩形形状的金属窗，使分割开的金属窗彼此绝缘，从而构成处理室的顶壁，使构成金属窗的多个分割片具有喷出气体的喷头的功能，而向腔室内导入处理气体。在利用这样的装置进行等离子体蚀刻的情况下，使用Cl2气体这样的腐蚀性较高的气体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-225018号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种即使使用高腐蚀性的处理气体也能够抑制腐蚀的喷头和气体处理装置。用于解决问题的方案本公开的一形态的喷头是在对基板实施气体处理的气体处理装置中向供基板配置的腔室内供给腐蚀性的处理气体的喷头，其具备：基座构件；喷淋板，其具有喷出处理气体的多个气体喷出孔；以及气体扩散空间，其设置于所述基座构件与所述喷淋板之间的一部分，被导入所述处理气体，并与所述多个气体喷出孔连通，所述基座构件的基材和所述喷淋板的基材由金属构成，所述基座构件的面对所述气体扩散空间的部分以及所述喷淋板的面对所述气体扩散空间和所述气体喷出孔的部分由耐蚀性金属材料或耐蚀性覆膜覆盖。专利技术的效果根据本公开，提供即使使用高腐蚀性的处理气体也能够抑制腐蚀的喷头和气体处理装置。附图说明图1是表示适用了一实施方式的喷头的等离子体处理装置的一个例子的剖视图。图2是表示喷头的第1例的剖视图。图3是表示喷头的第2例的剖视图。图4是表示喷头的第3例的剖视图。图5是表示喷头的第4例的剖视图。图6是表示喷头的第5例的剖视图。图7是表示喷头的第6例的剖视图。图8是表示喷头的第7例的剖视图。图9是表示喷头的第8例的剖视图。具体实施方式以下，参照附图对实施方式进行说明。＜等离子体处理装置＞最初，对适用了一实施方式的喷头的等离子体处理装置进行说明。图1是表示适用了一实施方式的喷头的等离子体处理装置的一个例子的剖视图。图1所示的等离子体处理装置构成为电感耦合等离子体处理装置，能够恰当地使用于在矩形基板例如FPD用玻璃基板上形成薄膜晶体管之际的金属膜的蚀刻。该电感耦合等离子体处理装置具有由导电性材料例如内壁面进行了阳极氧化处理的铝形成的方筒形状的气密的主体容器1。该主体容器1以能够分解的方式组装，由接地线1a电接地。主体容器1被与主体容器1绝缘地形成的矩形形状的喷头2上下划分，上侧成为划分形成天线室的天线容器3，下侧成为划分形成处理室的腔室(处理容器)4。喷头2作为金属窗发挥功能，构成腔室4的顶壁。在天线容器3的侧壁3a与腔室4的侧壁4a之间设置有向主体容器1的内侧突出的支承架5和支承梁6。支承架5和支承梁6由导电性材料期望的是铝等金属构成。喷头2构成为借助绝缘构件7分割成多个。并且，喷头2的分割成多个的分割部分隔着绝缘构件7支承于支承架5和支承梁6。支承梁6成为被多个悬挂件(未图示)悬挂于主体容器1的顶部的状态。此外，也可以替代设置支承梁6，利用多个悬挂件(未图示)从主体容器1的顶部悬挂喷头2。成为金属窗的喷头2的各分割部50如随后论述那样基材由非磁性体的金属构成，具有：基座构件52；喷淋板53，其具有多个气体喷出孔54；以及箱型的气体扩散空间51，其设置到基座构件52与喷淋板53之间的一部分。在基座构件52的中央部具有凹部，基座构件52的凹部的外侧部分和喷淋板53螺纹紧固，由基座构件52的凹部和喷淋板53围成的区域成为气体扩散空间51。处理气体从处理气体供给机构20经由气体供给管21向气体扩散空间51导入。气体扩散空间51与多个气体喷出孔54连通，处理气体从气体扩散空间51经由多个气体喷出孔54喷出。在喷头2之上的天线容器3内以面对喷头2的与腔室4侧相反的一侧的面的方式配置有高频天线13。高频天线13由导电性材料例如铜等形成，利用由绝缘构件形成的间隔件(未图示)与喷头2分开地配置，在与矩形形状的喷头2相对应的面内形成为例如涡旋状。另外，也可以形成为环状，天线用线既可以是一根，也可以是多根。在高频天线13经由供电线16、匹配器17连接有第1高频电源18。并且，在等离子体处理的期间内，例如13.56MHz的高频电力经由从第1高频电源18延伸的供电线16向高频天线13供给。由此，如随后论述那样借助在作为金属窗发挥功能的喷头2诱发的环流在腔室4内形成感应电场。并且，由于该感应电场，在腔室4内的喷头2正下方的等离子体生成空间S中，从喷头2供给来的处理气体被等离子体化，生成电感耦合等离子体。即，高频天线13和第1高频电源18作为等离子体生成机构发挥功能。在腔室4内的底部以隔着喷头2与高频天线13相对的方式隔着绝缘体构件24固定有载置台23，该载置台23用于载置作为被处理基板的矩形形状的FPD用玻璃基板(以下简记为基板)G。载置台23由导电性材料例如表面进行了阳极氧化处理的铝构成。载置到载置台23的基板G被静电卡盘(未图示)吸附保持。在载置台23的上部周缘部设置有绝缘性的屏蔽环25a，在载置台23的周面设置有绝缘环25b。基板G的输入输出用的升降销26经由主体容器1的底壁、绝缘体构件24贯穿于载置台23。升降销26利用设置到主体容器1外的升降机构(未图示)升降驱动而进行基板G的输入输出。在主体容器1外设置有匹配器28和第2高频电源29，第2高频电源29利用供电线28a并经由匹配器28连接于载置台23。该第2高频电源29在等离子体处理中对载置台23施加偏压用的高频电力例如频率是3.2MHz的高频电力。在由该偏压用的高频电力生成的自偏压的作用下，在腔室4内生成的等离子体中的离子被有效地向基板G吸引。而且，在载置台23内设置有由加热器等加热部件、制冷剂流路等构成的温度控制机构和温度传感器(均未图示)，以便控制基板G的温度。针对这些机构、构件的配管、配线均经由设置到主体容器1的底面和绝缘体构件24的开口部1b向主体容器1外导出。在腔室4的侧壁4a设置有用于输入输出基板G的输入输出口27a和使该输入输出口27a开闭的闸阀27。另外，在腔室4的底部经由排气管31连接有包括真空泵等的排气装置30。腔室4内被该排气装置30排气，在等离子体处理中，腔室4内被设定、维持在预定的真空气氛(例如1.33Pa)。在载置到载置台23的基板G的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种喷头，其在对基板实施气体处理的气体处理装置中向配置基板的腔室内供给腐蚀性的处理气体，其中，/n该喷头具备：/n基座构件；/n喷淋板，其具有喷出处理气体的多个气体喷出孔；以及/n气体扩散空间，其设置于所述基座构件与所述喷淋板之间的一部分，被导入所述处理气体，并与所述多个气体喷出孔连通，/n所述基座构件的基材和所述喷淋板的基材由金属构成，/n所述基座构件的面对所述气体扩散空间的部分以及所述喷淋板的面对所述气体扩散空间和所述气体喷出孔的部分由耐蚀性金属材料或耐蚀性覆膜覆盖。/n

【技术特征摘要】
20181130 JP 2018-2248551.一种喷头，其在对基板实施气体处理的气体处理装置中向配置基板的腔室内供给腐蚀性的处理气体，其中，
该喷头具备：
基座构件；
喷淋板，其具有喷出处理气体的多个气体喷出孔；以及
气体扩散空间，其设置于所述基座构件与所述喷淋板之间的一部分，被导入所述处理气体，并与所述多个气体喷出孔连通，
所述基座构件的基材和所述喷淋板的基材由金属构成，
所述基座构件的面对所述气体扩散空间的部分以及所述喷淋板的面对所述气体扩散空间和所述气体喷出孔的部分由耐蚀性金属材料或耐蚀性覆膜覆盖。


2.根据权利要求1所述的喷头，其中，
所述耐蚀性金属材料由含镍金属构成。


3.根据权利要求2所述的喷头，其中，
所述含镍金属是不锈钢或镍基合金。


4.根据权利要求1或2所述的喷头，其中，
所述耐蚀性覆膜是陶瓷喷镀膜。


5.根据权利要求4所述的喷头，其中，
所述陶瓷喷镀膜是氧化铝喷镀膜。


6.根据权利要求4或5所述的喷头，其中，
所述陶瓷喷镀膜被由合成树脂形成的封孔材料封孔。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的喷头，其中，
所述基座构件具有：基材，其由铝或铝合金构成；和罩构件，其由所述耐蚀性金属材料构成，以覆盖所述基材的方式设置于面对所述气体扩散空间的部分。


8.根据权利要求7所述的喷头，其中，
所述基座构件的比所述气体扩散空间靠外侧的部分和所述喷淋板的比所述气体扩散空间靠外侧的部分接触，以被密封构件密封的状态固定，在所述罩构件的端部形成有以未与所述喷淋板的表面接触的状态弯曲的弯曲部，所述密封构件与所述喷淋板的所述耐蚀性覆膜或耐蚀性材料接触，且被保持在被所述弯曲部按压的状态。


9.根据权利要求7所述的喷头，其中，
所述基座构件的比所述气体扩散空间靠外侧的部分和所述喷淋板的比所述气体扩散空间靠外侧的部分接触，以被密封构件密封的状态固定，所述密封构件与所述罩构件接触，并且所述密封构件与所述喷淋板的所述耐蚀性覆膜或所述耐蚀性金属材料接触，且由设置到所述气体扩散空间的端部的环状的耐蚀性树脂保持。


10.根据权利要求1～6中任一项所述的喷头，其中，
所述基座构件具有：基材，其由铝或铝合金构成，具有与所述气体扩散空间相对应的凹部；耐蚀性覆膜，其以覆盖所述基材的靠所述气体扩散空间的上表面侧的面的方式形成；以及环状构件，其由耐蚀性金属构成，以覆盖所述基材的靠所述气体扩散空间的侧面侧的面的方式设置。


11.根据权利要求1～6中任一项所述的喷头，其中，
所述基座构件具...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中孝幸，杉山正树，岛村贵春，大森贵史，南雅人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP