本发明提供提高含金属膜的连续性的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具备如下工序：准备基板的工序；将载置所述基板的载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及将载置所述基板的载物台的...

本发明提供一种使低电阻的钨膜成膜的基板处理方法和成膜系统。一种基板处理方法，其具备如下工序：准备在表面形成有自然氧化膜的基板的工序；实施作为去除所述自然氧化膜的处理的前处理的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到预定的温度，向实施...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括对基片进行热处理的热处理单元，其中，基片形成有含金属抗蚀剂的覆膜且已对该覆膜实施了曝光处理。热处理单元包括：支承基片并对其进行加热的热板；覆盖热板上的处理空间的腔室；在腔室内从上方向...

本发明提供一种管体和泵装置。使管体的寿命提高。该管体被使用于供液构件，是能够利用加压而变形的空心的管体，其中，所述管体的轴向截面具有彼此相对的两个长边部和彼此相对的两个短边部，各所述长边部与各所述短边部所形成的、4个角部分具有向外侧凸出...

本发明提供一种溅射装置。提供一种能够抑制膜在处理容器的内壁的沉积的技术。本公开的一技术方案的溅射装置具有：靶材，其配置于能够减压的处理容器的顶部；气体导入部，其向所述处理容器内导入溅射气体；第1屏蔽构件，其配置于所述靶材的周围，用于防止...

本公开内容的各方面提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：形成在衬底上的第一场效应晶体管(FET)，该第一场效应晶体管包括第一栅极；沿基本上垂直于衬底的方向堆叠在第一FET上的第二FET，该第二FET包括第二栅极。该半导体器件还包括第一...

本文中的技术包括形成蚀刻掩模以形成接触孔和其他特征的方法。与传统的直接印刷光刻方法相比，本文中的技术使用反转方法来创建具有改善的临界尺寸均匀性和接触边缘粗糙度的接触孔图案。柱被印刷为最初的结构。最初的结构被重新成形以改变平滑度、均匀性和...

本发明提供一种抑制在利用超临界状态的处理流体进行干燥时晶圆上的图案倒塌的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置具备：超临界流体制造装置，其具有送出处理流体的泵；处理容器，其使用来自超临界流体制造装置的超临界状态的处理流体来对基板进...

等离子体蚀刻方法包括如下工序：物理吸附工序，其边将形成有蚀刻对象膜的被处理体进行冷却，边使基于第1处理气体的吸附物物理吸附于蚀刻对象膜；和，蚀刻工序，其使吸附物与蚀刻对象膜通过第2处理气体的等离子体进行反应，从而对蚀刻对象膜进行蚀刻。

涂布显影装置具备：第一激光单元，其对涂布液照射激光光，并基于该激光光的变化来获取涂布液的状态；以及可否照射决定机构，其基于流路中的、比从第一激光单元向涂布液照射激光光的部位更靠液瓶一侧的涂布液，来决定第一激光单元可否照射向涂布液的激光光...

本发明对在制造工艺中收集到的数据实现通用性高的数据处理。数据处理装置具有：计算单元，收集与工艺内的规定步骤建立对应的数据群，并关于各个数据群来计算该规定步骤中的效果；分割单元，分割特征空间，以便与上述规定步骤建立对应的多个数据群各自在该...

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置是使用处理液处理基片的基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；处理液供给机构，其至少具有收纳处理液的处理液容器和用于将上述处理液容器的处理液供给到基片的液供给通路...

本发明提供载置台和基片处理装置。载置台具有基台，能够载置基片。上述基台具有：供第1温度的热媒流动的第1流路；配置于上述第1流路的下部的第1隔热层；和配置于上述第1隔热层的下部的密封部件。本发明抑制密封部件的密封性能降低。

本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅...

本发明提供一种减小蚀刻第一区域和第二区域时的形状的差异的基板处理方法和基板处理装置，该第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，该第二区域具有氧化硅膜的单层膜。基板处理方法具有以下工序：提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序...

在例示性实施方式的等离子体处理装置中，高频电源产生高频电力，以生成等离子体。偏置电源对下部电极周期性施加脉冲状的负极性的直流电压，以将离子引入基板支撑器。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的期间，作为一个以上的脉冲供应高...

一例示性实施方式所涉及的高频电源具备构成为产生高频电力的发电机。高频电力包含多个电力成分。多个电力成分分别具有以指定频率的间隔相对于基本频率对称设定的多个频率。高频电力的包络线具有以指定频率或以该指定频率的2倍以上倍数的频率且按规定的时...

本发明提供排气装置、处理系统和处理方法。本发明的一方式的排气装置包括：设置于与处理容器连接的排气配管的第1压力调节部；设置于上述第1压力调节部的下游侧的第2压力调节部；设置于上述第1压力调节部的上游侧的第1真空计；和设置于上述第1压力调...

本发明提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。具备用于在主体容器内载置基板的载置台、环状构件、气体导入部、排气部、以及向背面空间供给传热气体或将传热气体排出的传热气体供给排气部的基板处理装置的控制方法包括...

本发明提供一种膜的蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法包括在基片上形成含硅层的步骤。基片具有膜和掩模。含硅层由使用含有硅的前体气体的等离子体处理形成。含硅层包括硅、碳和氮。蚀刻方法还包括进行膜的等离子体蚀刻的步骤。从在基片上形成含硅层的步骤...