基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种减小蚀刻第一区域和第二区域时的形状的差异的基板处理方法和基板处理装置，该第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，该第二区域具有氧化硅膜的单层膜。基板处理方法具有以下工序：提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序，第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，第二区域具有氧化硅膜的单层膜；改变含硫气体的流量，以各流量使用处理气体蚀刻第一基板，求出含硫气体的流量与形状差之间的关系的工序，形状差为形成于第一区域的凹部的形状与形成于第二区域的凹部的形状的形状差；根据关系，决定含硫气体的流量的工序；以及以决定出的含硫气体的流量来蚀刻第二基板的工序。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
已知一种通过向腔室内导入处理气体，并且向腔室内的电极施加高频电力来对基板实施蚀刻处理等期望的处理的基板处理装置。在专利文献1中公开了一种蚀刻第一区域和第二区域的方法，所述第一区域具有通过交替地设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的层叠膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-051750号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在一个方面中，本公开提供一种减少蚀刻第一区域和第二区域时的形状的差异的基板处理方法和基板处理装置，该第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，该第二区域具有氧化硅膜的单层膜。用于解决问题的方案为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种基板处理方法，所述基板处理方法具有以下工序：提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序，所述第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜；改变含硫气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，具有以下工序：/n提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序，所述第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜；/n改变含硫气体的流量，以各流量使用处理气体蚀刻所述第一基板，求出所述含硫气体的流量与形状差之间的关系的工序，所述形状差为形成于所述第一区域的凹部的形状与形成于所述第二区域的凹部的形状的形状差；/n根据所述关系，决定所述含硫气体的流量的工序；以及/n以决定出的所述含硫气体的流量来蚀刻所述第二基板的工序。/n

【技术特征摘要】
20190201 JP 2019-0173801.一种基板处理方法，具有以下工序：
提供具有第一区域和第二区域的第一基板及第二基板的工序，所述第一区域具有氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜，所述第二区域具有氧化硅膜的单层膜；
改变含硫气体的流量，以各流量使用处理气体蚀刻所述第一基板，求出所述含硫气体的流量与形状差之间的关系的工序，所述形状差为形成于所述第一区域的凹部的形状与形成于所述第二区域的凹部的形状的形状差；
根据所述关系，决定所述含硫气体的流量的工序；以及
以决定出的所述含硫气体的流量来蚀刻所述第二基板的工序。


2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
求出所述关系的工序求出所述含硫气体的流量与最大关键尺寸之差之间的关系，所述最大关键尺寸之差为形成于所述第一区域的凹部的最大关键尺寸与形成于所述第二区域的凹部的最大关键尺寸之差。


3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述最大关键尺寸之差相对于所述第一区域的最大关键尺寸为5％以下。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
求出所述关系的工序求出所述含硫气体的流量与蚀刻速率之差之间的工序，所述蚀刻速率之差为形成于所述第一区域的凹部的蚀刻速率与形成于所述第二区域的凹部的蚀刻速率之差。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
求出所述关系的工序求出所述含硫气体的流量与凹部的深度之差之间的关系，所述凹部的深度之差为形成于所述第一区域的凹部的深度与形成于所述第二区域的凹部的深度之差。


6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一基板在所述第一区域和所述第二区域之上具有掩模，
求出所述关系的工序求出所述含硫气体的流量与所述掩模的最小宽度之差之间的关系，所述掩模的最小宽度之差为形成于所述第一区域的凹部的所述掩模的最小宽度与形成于所述第二区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：水野秀树，铃木敬纪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP