使用有机自由基对硅或硅锗表面的表面处理制造技术

提供用于工件的表面处理的工艺。在一个示例性实施中，方法可包括在工件上进行基于有机自由基的表面处理工艺。基于有机自由基的表面处理工艺可包括在第一腔室中生成一种或多种核素。表面处理工艺可包括将一种或多种烃分子与核素混合以形成混合物。混合物可包括一种或多种有机自由基。表面处理工艺可包括在第二腔室中将工件上的半导体材料暴露于混合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用有机自由基对硅或硅锗表面的表面处理优先权声明本申请要求2018年4月20日提交的名称为“SurfaceTreatmentOfSiliconOrSiliconGermaniumSurfacesUsingOrganic自由基(使用有机自由基对硅或硅锗表面的表面处理)”的美国申请序列号15/958,560的优先权，其要求2017年10月3日提交的名称为“SurfaceTreatmentofSiliconandCarbonContainingFilmsbyRemotePlasmawithOrganicPrecursors(用有机前体通过远程等离子体对含硅和碳的膜的表面处理)”的美国临时申请序列号62/567,295的优先权，其为了所有目的通过引用并入本文。
本公开总体上涉及使用有机自由基表面处理工件。
技术介绍
等离子体处理在半导体工业中广泛用于半导体晶片和其他基材的沉积、刻蚀、辅助去胶(resistremoval)，以及相关工艺。等离子体源(例如，微波、ECR、感应等等)通常用于等离子体处理以产生高密度的等离子体和反应性核素用于处本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括半导体材料，所述方法包括在所述工件上进行基于有机自由基的表面处理工艺，所述基于有机自由基的表面处理工艺包括：/n在第一腔室中生成一种或多种核素；/n将一种或多种烃分子与所述核素混合以形成混合物，所述混合物包括一种或多种有机自由基；以及/n在第二腔室中将所述半导体材料暴露于所述混合物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171003 US 62/567,295;20180420 US 15/958,5601.一种用于处理工件的方法，所述工件包括半导体材料，所述方法包括在所述工件上进行基于有机自由基的表面处理工艺，所述基于有机自由基的表面处理工艺包括：
在第一腔室中生成一种或多种核素；
将一种或多种烃分子与所述核素混合以形成混合物，所述混合物包括一种或多种有机自由基；以及
在第二腔室中将所述半导体材料暴露于所述混合物。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体材料包括硅。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体材料包括硅锗。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种有机自由基通过解离所述第一腔室中的所述一种或多种烃分子生成。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种烃分子具有CnH2n+2的化学式，其中n为大于或等于1和小于或等于10。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种烃分子具有CnH2n的化学式，其中n为大于或等于2和小于或等于10。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种有机自由基通过所述一种或多种烃分子与所述核素的反应生成。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种有机自由基包括CH3自由基。


9.根据权利要求1所述的方法，其中所述基于有机自由基的表面处理工艺导致半导体材料的至少一部分的甲基化。


10.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种核素通过在所述第一腔室中的工艺气体中诱导的等离子体的生成。


11.根据权利要求10所述的方法，其中所述工艺气体为惰性气体。


12.根据权利要求11所述的方法，其中所述惰性气体为氦。


13.根据权利要求10所述的方法，其中所述工艺气体包括氢气并且所述核素包括氢自由基。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓晅，仲華，吕新亮，
申请(专利权)人：马特森技术有限公司，北京屹唐半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US