本公开提供了用于处理工件的系统和方法。在一个示例中，该系统包括处理室。该系统包括配置为支撑处理室内的工件的工件支撑件。该系统包括配置为向工件发射光的热源。该系统包括设置在工件和热源之间的遮挡件。遮挡件包括可配置为半透明状态和不透明状态的...

提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处...

提供用于工件的表面处理的工艺。在一个示例性实施中，方法可包括在工件上进行基于有机自由基的表面处理工艺。基于有机自由基的表面处理工艺可包括在第一腔室中生成一种或多种核素。表面处理工艺可包括将一种或多种烃分子与核素混合以形成混合物。混合物可...

提供用于处理具有有机自由基的工件的表面处理工艺。在一个示例性实施中，用于处理具有半导体材料和含碳层(例如，光刻胶)的工件的方法可包括在工件上的表面处理工艺。表面处理工艺可包括在第一腔室(例如，等离子体腔室)中生成一种或多种核素。表面处理...

提供用于处理低k介电材料的表面处理工艺。一个示例性实施可包括用于处理工件的方法。工件可包括含硅和碳的膜材料。方法可包括用表面处理工艺处理工件。表面处理工艺可包括在第一腔室中生成一种或多种核素；将一种或多种烃分子与核素混合以形成包括一种或...

一种在用于处理衬底的等离子体处理设备中使用的基座组件，所述基座组件包括基板。基座组件还可以包括配置成支撑衬底的圆盘。基座组件还可以包括相对于圆盘布置的聚焦环，使得当基板定位在圆盘上时，聚焦环的至少一部分至少部分地围绕衬底的周边。另外，聚...

提供了用于对闭合形状工件进行热处理的系统和方法。在一个示例实施方式中，方法可以包括施加闭合形状工件的相对运动，以使得闭合形状工件的外周表面相对于灯热源从第一位置移动到第二位置，在第一位置处，闭合形状工件的第一部分呈现给灯热源，在第二位置...

提供了等离子体处理设备。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。该设备包括可进行操作以在处理室中支撑工件的基座。该设备包括等离子体室。等离子体室沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面限定有源等离子体产生区域。该设备包括沿垂直方...

本发明提供了利用后等离子体气体注入的等离子体处理。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括等离子体室。该设备包括与等离子体室隔开的处理室。处理室包括可进行操作以支撑工件的基板保持器。该设备包括被配置为在等离子体室中产生等离子体的等离...

提供了具有处理均匀性控制的等离子体剥离工具。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。该设备包括在处理室中的第一基座，其可进行操作以支撑工件。第一基座可以限定第一处理站。等离子体处理设备可以包括在处理室中的第二基座，其可进行操...

提供了一种用于处理工件的等离子体处理设备。在一个示例性实施例中，一种用于处理工件的等离子体处理设备包括：处理室，通过分离格栅与处理室隔开的等离子体室，以及被配置为在等离子体室中产生等离子体的感应耦合等离子体源。该设备包括设置在处理室内的...

本公开提供了一种用于等离子体处理设备的聚焦环组件。在一个示例性实施方式中，设备包括配置成生成等离子体的等离子体源。该设备包括配置成接收工件的腔室。该设备包括容纳在腔室中并且配置成支撑工件的工件支撑件。该设备包括聚焦环组件。聚焦环组件包括...

提供了用于处理设备诸如等离子体处理设备的基座组件。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备可以包括具有处理室内部的处理室。该设备可以包括等离子体源，其配置成在处理室内部中诱发等离子体。该设备可以包括基座，该基座配置成在处理衬底期间支撑处...

公开了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备可包括处理室。该设备可包括位于处理室中的基座，该基座配置为在处理期间支撑工件。该设备可包括形成处理室的至少一部分的介质窗。该设备可包括位于介质窗附近的感应耦合元件。感应...

公开了一种用于在半导体晶片上刻蚀膜层的工艺。该工艺特别适合于刻蚀含碳层，例如硬掩模层、光致抗蚀剂层和其他低介电膜。根据本公开，从等离子体产生的反应物质与膜层的表面接触。同时，衬底或半导体晶片经受快速热加热循环，该快速热加热循环以受控方式...

提供了用于处理工件例如半导体工件的系统和方法。一个示例实施例涉及一种用于处理多个工件的处理系统。等离子体处理系统可包括负荷固定室。负荷固定室可包括工件柱，该工件柱构造成以堆叠布置支撑多个工件。该系统还可包括至少两个处理室。至少两个处理室...

提供了用于从具有高纵横比结构的衬底中去除掩模层(例如，掺杂的非晶碳掩模层)的方法。在一个示例性实施方式中，方法可以包括在衬底上的高纵横比结构的顶端的至少一部分上沉积聚合物层。该方法可以进一步包括使用等离子体剥离工艺从衬底中去除聚合物层和...

提供了用于等离子体处理装置的隔离栅网。在一些实施方案中，等离子体处理装置包括等离子体室。等离子体处理装置包括处理室。处理室可以与等离子体室隔开。该装置可以包括隔离栅网。隔离栅网可以将等离子体室与处理室隔开。该装置可以包括温度控制系统。温...

提供了一种在例如离子注入之后从衬底去除光致抗蚀剂的方法。在一个示例性实现中，方法可以包括将衬底放置到处理室中，所述衬底具有本体光致抗蚀剂以及在本体光致抗蚀剂上形成的硬壳。方法可以包括在处理室中开始第一剥离处理。方法可以包括在第一剥离处理...

提供了用于毫秒退火系统的预热方法。在一个示例性实施方案中，热处理方法可以包括：将基底置于在毫秒退火系统的处理室中的晶片支承件上；将基底加热至中间温度；以及使用毫秒加热闪光加热基底。在将基底加热至中间温度之前，所述方法可以包括将基底加热至...