使用有机自由基对含碳膜的表面处理制造技术

提供用于处理具有有机自由基的工件的表面处理工艺。在一个示例性实施中，用于处理具有半导体材料和含碳层(例如，光刻胶)的工件的方法可包括在工件上的表面处理工艺。表面处理工艺可包括在第一腔室(例如，等离子体腔室)中生成一种或多种核素。表面处理工艺可包括将一种或多种烃自由基与核素混合以形成混合物。表面处理工艺可包括在第二腔室(例如，处理腔室)中将含碳层暴露于混合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用有机自由基对含碳膜的表面处理优先权声明本申请要求2018年4月20日提交的、名称为“SurfaceTreatmentofCarbonContainingFilmsUsingOrganicRadicals(使用有机自由基对含碳膜的表面处理)”的美国申请序列号15/958,601的优先权权益，其要求2017年10月3日提交的、名称为“SurfaceTreatmentofSiliconandCarbonContainingFilmsbyRemotePlasmawithOrganicPrecursors(用有机前体通过远程等离子体对含硅和碳的膜的表面处理)”的美国临时申请序列号62/567,295的优先权权益，其为了所有目的通过引用并入本文。
本公开大体上涉及使用有机自由基表面处理工件。
技术介绍
等离子体处理在半导体工业中广泛用于半导体晶片和其他基材的沉积、刻蚀、辅助去胶(resistremoval)，以及相关工艺。等离子体源(例如，微波、ECR、感应等等)通常用于等离子体处理以产生高密度的等离子体和反应性核素用于处理基材。使用等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括半导体材料和含碳层，所述方法包括在所述含碳层上进行表面处理工艺，所述表面处理工艺包括：/n在第一腔室中生成一种或多种核素；/n将一种或多种烃分子与所述核素混合以形成混合物；以及/n在第二腔室中将所述含碳层暴露于所述混合物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171003 US 62/567,295;20180420 US 15/958,6011.一种用于处理工件的方法，所述工件包括半导体材料和含碳层，所述方法包括在所述含碳层上进行表面处理工艺，所述表面处理工艺包括：
在第一腔室中生成一种或多种核素；
将一种或多种烃分子与所述核素混合以形成混合物；以及
在第二腔室中将所述含碳层暴露于所述混合物。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种烃分子具有CnH2n+2的化学式，其中n为大于或等于1和小于或等于10。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种烃分子具有CnH2n的化学式，其中n为大于或等于2和小于或等于10。


4.根据权利要求1所述的方法，其中一种或多种有机自由基通过在所述第一腔室中解离所述混合物中的所述一种或多种烃分子生成。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一腔室用分离栅与所述第二腔室分开，并且其中在所述第二腔室中将所述烃分子与所述核素混合。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述混合物包括一种或多种有机自由基。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述混合物包括CH3自由基。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碳层包括光刻胶。


9.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括进行干式剥离工艺以去除所述含碳层的至少一部分。


10.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种核素通过在所述第一腔室中在工艺气体中诱导的等离子体生成。


11.根据权利要求10所述的方法，其中所述工艺气体为惰性气体。


12.根据权利要求11所述的方法，其中所述惰性气体为氦。


13.根据权利要求10所述的方法，其中所述工艺气体包括氢气并且所述核素包括氢自由基。

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【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓晅，仲華，吕新亮，
申请(专利权)人：马特森技术有限公司，北京屹唐半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US