提供了一种等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括限定竖直方向和横向方向的处理室。该等离子体处理设备包括设置在处理室内的基座。该基座被配置为支撑衬底。该等离子体处理设备包括设置在处理室内的射频(RF)。RF偏置电极限定了沿着横向方向在R...

提供用于氧化工件的工艺。在一个示例中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。所述方法包括对处理腔室中的工件执行预氧化处理工艺以在所述工件上引发氧化物层形成。所述方法包括对所述处理腔室中的所述工件执行远程等离子体氧化工艺，以继续在...

提供了等离子体处理系统和方法。在一个实例中，系统包括具有工件支撑件的处理腔室。工件配置成用于支撑工件。系统包括等离子体源，其配置成在等离子体腔室中由工艺气体感应出等离子体以产生一种或多种负离子。系统包括一个栅格结构，其配置成用于将一种或...

本公开提供了用于在工件(如半导体)上提供氮化的工艺。在一个示例实施方式中，一种方法可以包括在工件支撑件上支撑工件。该方法可以包括将工件暴露于从电容耦合等离子体产生的物质，以在工件上提供氮化。该方法还可以包括将工件暴露于从电感耦合等离子体...

提供了等离子体处理设备和相关的方法。在一个示例实施方式中，所述等离子体处理设备可包括位于等离子体处理设备的处理腔室中的气体供给装置，例如感应耦合等离子体处理设备。该气体供给装置可包括一个或多个喷嘴。所述一个或多个喷嘴中的每一个可相对于与...

提供了用于从氮化钛表面去除氧化物的系统和工艺。在一个示例实施中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件可具有氮化钛层。方法可包括对氮化钛层进行基于等离子体的氧化物去除工艺。基于等离子体的氧化物去除工艺可包括：使用等离子体源在...

提供了用于对工件进行硬掩模(例如，掺杂硼的非晶碳硬掩模)去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，方法包括在处理腔室中，将工件支撑在工件支撑件上。方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由工艺气体生成等离子体。等离子体腔室可通过隔栅...

本发明提供一种用于提供短持续时间退火的方法和系统。在一实施例中，所述方法和系统可包括放置工件在热处理腔中。所述工件可包括器件侧表面以及相对的非器件侧表面。所述方法和系统可包括从至少一个热源传送能量脉冲至所述工件的所述非器件侧表面。在另一...

提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例实施中，有机自由基(例如，甲基CH3自由基)可在远程等离子体源中通过激发和/或解离氢和/或惰性气体(例如，Ar、He等)并且随后与有机分子(烷烃和烯烃)反应生成。有机自由基(例如，甲基CH3自由...

提供了用于在工件上进行硬掩模(例如，含碳硬掩模)去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，工艺可包括允许工艺气体进入等离子体腔室，使用感应耦合的等离子体源从工艺气体在等离子体腔室中生成等离子体，和将含碳硬掩模暴露于等离子体以去除至少...

提供了用于在工件上进行含硅材料去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，方法可包括使用感应耦合元件在第一腔室中由工艺气体生成物质。方法可包括引入含氟气体与物质以形成混合物。混合物可包括将工件的硅结构暴露于混合物以去除至少一部分的硅结...

提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括等离子体腔室和处理腔室。所述处理腔室包括可操作以支撑基材的基材支架。所述等离子体处理装置进一步包括将所述等离子体腔室与所述处理腔室分开的隔栅。所述隔栅包括气体输送系统。所述气体输送系统限定...

提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例实施中，方法可包括在处理腔室中在工件上进行基于氢自由基的表面处理工艺之前，在处理腔室上进行预处理工艺以在处理腔室的表面上生成氢自由基影响层。如此，可进行预处理工艺以调节处理腔室来增加暴露于工件的...

提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例性实施中，方法可包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。该方法可包括允许工艺气体进入处理腔室。该工艺气体可包括臭氧气体。该方法可包括将硅氮化物层和低

本公开提供了用于电感等离子体源的静电屏蔽件。在一种实施方式中，等离子体处理装置可以包括等离子体室、形成等离子体室的至少一部分的电介质壁和位于电介质壁附近的电感耦合元件。在用射频(RF)能量激励该电感耦合元件时，该电感耦合元件可以在该等离...

本公开提供了一种热处理系统。所述热处理系统可以包括处理室和设置在所述处理室之内的工件。所述热处理系统可以包括配置为向所述工件发射光的热源。所述热处理系统还可以包括设置在所述工件和所述热源之间的可调谐反射阵列。所述可调谐反射阵列可以包括多...

提供了一种用于处理工件的方法。方法可包括将工件放置在处理腔室内设置的基座上。方法可包括在处理腔室中的工件上进行多循环热处理工艺。多循环热处理工艺可包括至少两个热循环。至少两个热循环的每个热循环可包括在第一温度在工件上进行第一处理；将工件...

提供了用于从工件，比如半导体晶片去除氟残留物的脱氟工艺。在一个示例实施中，用于处理工件的方法可包括将工件支撑在工件支撑件上。工件可具有光致抗蚀剂层。工件可在工件的表面上具有一种或多种氟残留物。方法可包括至少部分地使用由第一工艺气体生成的...

本公开涉及三维存储器的制造方法以及通过该制造方法制造的三维存储器。根据本公开的制造方法包括：在衬底上形成的纵向叠层中形成沟道通孔，沟道通孔从纵向叠层的上层延伸到纵向叠层下方的衬底，该纵向叠层用于形成包括上选择晶体管、存储单元串和下选择晶...

本公开涉及一种用于半导体设备的腔室的系统，包括：检测装置，被配置成检测腔室内沉积物的信息，并且能够被传送机构传送进出腔室；控制装置，被配置成根据所检测的沉积物的信息确定用于改变所述沉积物的状态的程式，并使得在腔室内执行所确定的程式。