【技术实现步骤摘要】
用于多水平蚀刻的方法、半导体感测装置及其制造方法相关申请的交叉参考本申请主张2019年1月18日递交的标题为“用于多水平蚀刻的方法、半导体感测装置以及用于制造半导体感测装置的方法(Methodformulti-leveletch,semiconductorsensingdevice,andmethodformanufacturingsemiconductorsensingdevice)”的美国序列号62/794,130的先前递交的美国临时申请的权益，所述申请的全部公开内容以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及用于多水平蚀刻半导体感测装置的方法，以及用于通过应用多水平蚀刻来制造半导体感测装置的方法。确切地说，涉及采用参考特征的多水平蚀刻。
技术介绍
在半导体结构制造的过程期间通常使用干式蚀刻和湿式蚀刻操作。移除可蚀刻材料以暴露对蚀刻化学作用选择性的另一种材料。干式蚀刻操作的特性包含提供可控制尺寸的材料移除，然而，由于高能量原子/分子轰击，暴露的材料的表面可能在宏观或甚至微观水平被损坏。当待暴露的材料拥有微...
【技术保护点】
1.一种用于多水平蚀刻的方法，其包括：/n提供衬底；/n在所述衬底的控制区域上方形成第一参考特征；/n在所述第一参考特征上方形成可蚀刻层并且在所述衬底上方形成目标区域；/n图案化在所述可蚀刻层上方的掩蔽层，所述掩蔽层具有投影在所述控制区域上方的第一开口以及投影在所述目标区域上方的第二开口；以及/n穿过所述第一开口以及所述第二开口移除所述可蚀刻层的一部分直至到达所述第一参考特征。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190118 US 62/794,1301.一种用于多水平蚀刻的方法，其包括：
提供衬底；
在所述衬底的控制区域上方形成第一参考特征；
在所述第一参考特征上方形成可蚀刻层并且在所述衬底上方形成目标区域；
图案化在所述可蚀刻层上方的掩蔽层，所述掩蔽层具有投影在所述控制区域上方的第一开口以及投影在所述目标区域上方的第二开口；以及
穿过所述第一开口以及所述第二开口移除所述可蚀刻层的一部分直至到达所述第一参考特征。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述衬底的所述目标区域上方形成目标特征，其中在所述移除所述可蚀刻层的所述部分期间在所述目标特征之前到达所述第一参考特征。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述衬底的所述目标区域上方形成所述第一参考特征。
4.根据权利要求1所述的方法，其中通过穿过所述第一开口移除所述可蚀刻层的所述部分获取的所述可蚀刻层中的参考水平不同于通过穿过所述第二开口移除所述可蚀刻层的所述部分获取的所述可蚀刻层中的控制水平。
5.根据权利要求4所述的方法，在穿过所述第一开口以及所述第二开口移除所述可蚀刻层的所述部分直至到达所述第一参考特征之后，从所述参考水平形成第一隔室并且从所述控制水平形成第二隔室。
6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：
在形成所述第二隔室之前通过重新限定所述掩蔽层改变所述第二开口的所述宽度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一参考特征包括：
在所述衬底的所述控制区域上方形成核心部分；以及
形成覆盖所述核心部分的盖部分。
8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：
形成覆盖所述衬底的所述目标区域的所述盖部分。
9.一种用于制造半导体感测装置的方法，其包括：
提供衬底；
在所述衬底的控制区域上方形成参考特征；
在所述衬底的目标区域上方形成感测特征；
在所述衬底的所述控制区域以及所述目标区域上方形成可蚀刻层；
图案化在所述可蚀刻层上方的掩蔽层，所述掩蔽层具有投影在所述参考特征上方的第一开口以及投影在所述感测特征上方的第二开口；以及
技术研发人员：李政哲，陈林谦，
申请(专利权)人：瀚源生医股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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