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本发明提供了一种用于多水平蚀刻的方法、半导体感测装置及其制造方法。所述方法包含：提供衬底；在所述衬底的控制区域上方形成第一参考特征；在所述第一参考特征上方形成可蚀刻层并且在所述衬底上方形成目标区域；图案化在所述可蚀刻层上方的掩蔽层，所述掩蔽...
该专利属于瀚源生医股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瀚源生医股份有限公司授权不得商用。

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