先进的接触孔图案化的方法技术

本文中的技术包括形成蚀刻掩模以形成接触孔和其他特征的方法。与传统的直接印刷光刻方法相比，本文中的技术使用反转方法来创建具有改善的临界尺寸均匀性和接触边缘粗糙度的接触孔图案。柱被印刷为最初的结构。最初的结构被重新成形以改变平滑度、均匀性和/或尺寸。共形膜沉积在柱上。共形膜可以包括含金属的材料。执行如下平坦化处理，所述平坦化处理将柱向下去除至基板的工作表面，从而留下基板的工作表面上的共形膜。然后，该共形膜可以被用作用于其他图案转印的蚀刻掩模。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】先进的接触孔图案化的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年1月5日提交的题为“MethodofAdvancedContactHolePatterning”的美国临时专利申请第62/614,244号的权益，该美国临时专利申请在此通过引用以其全部内容并入本文中。
技术介绍
本文中公开的技术涉及微制造，并且特别地涉及光刻。在材料处理方法(例如，光刻)中，创建图案化的层通常涉及将辐射敏感材料例如光致抗蚀剂的薄层施加至基板的表面。该辐射敏感材料被变换成图案化掩模，该图案化掩模可以用于将图案蚀刻或转印至基板上的下层中。辐射敏感材料的图案化通常涉及使用例如光刻系统由辐射源通过中间掩模(reticle)(和相关联的光学器件)曝光至辐射敏感材料上。该曝光在辐射敏感材料内创建潜隐图案(latentpattern)，然后可以使该潜隐图案显影。显影是指溶解和去除辐射敏感材料的一部分，以产生形貌或物理图案。例如，显影可以包括：使用显影溶剂去除辐射敏感材料的辐射区域(如在正性光致抗蚀剂的情况下)或非辐射区域(如在负性抗蚀剂的情况下)。然后，形貌图案可以用作随后处理的掩模层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成具有接触开口的图案化的掩模的方法，所述方法包括：/n在基板的工作表面上形成柱的浮雕图案，所述柱从所述基板的工作表面突出；/n执行修改所述柱的形状的重新成形处理；/n在所述基板上沉积第一共形膜，所述第一共形膜包括硬掩模材料；以及/n执行如下平坦化处理，所述平坦化处理将柱向下去除至所述基板的工作表面，从而留下所述基板的工作表面上的第一共形膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180105 US 62/614,2441.一种形成具有接触开口的图案化的掩模的方法，所述方法包括：
在基板的工作表面上形成柱的浮雕图案，所述柱从所述基板的工作表面突出；
执行修改所述柱的形状的重新成形处理；
在所述基板上沉积第一共形膜，所述第一共形膜包括硬掩模材料；以及
执行如下平坦化处理，所述平坦化处理将柱向下去除至所述基板的工作表面，从而留下所述基板的工作表面上的第一共形膜。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括缩小所述柱的宽度和高度。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括减小每个柱的表面的边缘粗糙度值。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括使每个柱结构的顶表面变圆。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括去除材料从而得到半球形形状。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一共形膜被沉积成产生厚度小于15纳米的膜。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一共形膜被选择成具有大于100:1的相对于所述柱的材料和给定的蚀刻剂的抗蚀刻率。


8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在沉积所述第一共形膜之前，共形地沉积第一界面膜，其中，所述第一共形膜沉积在所述第一界面膜上。


9.根据权利要求8所述的方法，其中，能够通过各向同性蚀刻去除所述界面膜。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一共形膜覆盖柱的未覆盖表面和所述基板的工作表面。


11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一共形膜的硬掩模材料选自由以下项构成的组：铪氧化物、硼氮化物、硅氮化物、铝氧化物、钛氧化物和钛氮化物。


12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一共形膜的硬掩模材料是含金属的材料。


13.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括减小所述柱的表面粗糙度值。
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【专利技术属性】
技术研发人员：安东·德维利耶，科里·莱姆利，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP