本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶...

本发明提供一种等离子体处理方法，使用一个等离子体处理装置，执行供给至基座的高频功率和所要求的基片的面内温度分布不同的多个步骤。一个实施方式的等离子体处理方法包括：在腔室内对基片实施第1等离子体处理的步骤；和在腔室内对基片实施第2等离子体...

本发明提供一种基板处理装置、基板检查装置及方法、以及记录介质，能够根据图像数据更可靠地检测多个边缘中的检查对象的边缘。基板检查装置具备：存储部，其构成为存储检查制程以及根据形成有多个覆膜的基板的周缘部的摄像图像得到的检查图像数据；以及边...

本发明提供一种检查装置中的清洁方法和检查装置，不仅能够进行检查装置内的载置台的清洁、还能够进行探针的清洁。用于对形成于被检查体的被检查器件进行电气特性检查的检查装置中的清洁方法包括以下工序：搬送工序，将用于载置所述被检查体的载置台搬送到...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明提供一种处理基片的基片处理方法，其中，该基片包括：由过渡金属形成的具有开口部的掩模；和形成于上述掩模之下的含硅的被蚀刻膜，该基片处理方法包括用混合气体生成的等离子体通过上述掩模的开口部蚀刻上述...

本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻...

本发明涉及一种基板处理装置，其具有聚焦环，该聚焦环包括：设置在处理室内的载置台所载置的基板的附近的内侧聚焦环；设置在上述内侧聚焦环的外侧，通过移动机构而能够上下移动的中央聚焦环；和设置在上述中央聚焦环的外侧的外侧聚焦环。由此，能够维持对...

实施方式的多层配线的形成方法是埋入型的多层配线的形成方法，其包括：在通孔(70)中配线(50)露出的底面(73)形成单分子膜(80)的工序，其中该通孔(70)在设置于基片的配线(50)上的绝缘膜(60)的规定的位置形成并贯通至配线(50...

实施方式的基板处理方法包括保持工序和供给工序。保持工序保持基板。供给工序将蚀刻液供给至保持工序中所保持的基板，所述蚀刻液含有：对在基板上露出的金属系的第1材料和硅系的第2材料进行蚀刻的蚀刻剂、以及第1材料和第2材料中、与第2材料反应而在...

本发明提供一种基板处理装置，即使在不向基板照射可见光的状况下也能够探测基板的液处理有无异常。基板处理装置具备处理室(20)、基板保持部、处理液供给部(40)、红外线摄像机(60)以及控制部。基板保持部设置于处理室(20)内，对基板(W)...

本发明提供一种能够防止图案倒塌并行使充满在形成于基片的图案的凹部中的升华性物质升华的基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质。第1单元包括：溶液供给部，其将含有升华性物质和溶剂的升华性物质溶液供给到处理面(Wa)；和第1液除去部，其从被供给...

本发明提供一种接合系统，具备：在铅垂方向上分离地配置的第一保持部和第二保持部；对位部，其通过使所述第一保持部与所述第二保持部相对地移动来进行被所述第一保持部保持的第一基板与被所述第二保持部保持的第二基板的水平方向对位；按压部，其将被所述...

描述了用于控制等离子体性能的方法和系统的实施例。在实施例中，一种方法可以包括以第一组功率参数向等离子体室供应功率。另外，该方法可以包括使用该第一组功率参数在该等离子体室内形成等离子体。该方法还可以包括测量以该第一组功率参数耦合到该等离子...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及接合方法，能够恰当地检测附着于吸盘的异物。基板处理装置具有：吸盘，其对基板进行吸附保持；观察部，其对被所述吸盘吸附保持的基板的、与接触所述吸盘的第一面相反一侧的第二面内的多个部位进行观察；以及...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。步骤b)是沿掩模的膜厚方...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置实现的基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤。步骤b)是在凹部的侧壁形成沿凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤。步骤b)包括步骤b‑1)和步...

本发明提供一种沉积处理方法和等离子体处理装置，所述沉积处理方法能够抑制掩模的开口堵塞并且实现蚀刻后的凹部形状的适当化。在使用基于第1处理条件生成的第1等离子体使沉积物沉积于基板的工序中，从在进行所述沉积的工序之前执行的前工序向进行所述沉...

本实用新型提供一种能够在处理槽内形成适当的液流的基板处理装置。本实用新型的基板处理装置包括处理槽和流体供给部。处理槽通过使排列的多个基板浸渍于处理液而对该多个基板进行处理。流体供给部在处理槽的内部配置于比多个基板靠下方的位置，通过喷出流...

一种基板处理装置，该基板处理装置具备：保持部，其在用于吸附基板的吸附面具有：外侧吸附部，其对所述基板的外周部进行吸附；以及内侧吸附部，其对所述基板的比所述外侧吸附部靠径向内侧的部分进行吸附；移动部，其使所述外侧吸附部相对于所述内侧吸附部...

本发明提供负载锁定模块、基片处理装置和基片的输送方法。在大气压下输送基片的大气输送模块与在真空压下进行基片的输送的真空输送模块之间设置的负载锁定模块中，设置能够将内部在大气压与真空压之间切换的负载锁定室。该负载锁定室中设置有具有对基片进...