基片处理装置、基片处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明专利技术的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放位置随着多个基片的上升而上升。本发明专利技术在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理方法和存储介质
本专利技术涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
技术介绍
一直以来，已知有在通过使有机溶剂的蒸气与液处理后的基片接触而将附着于基片的处理液置换成有机溶剂后，通过使附着于基片的有机溶剂挥发而使基片干燥的基片处理装置。在专利文献1中公开了一种基片处理装置，其包括：贮存处理液的液处理槽；配置在液处理槽的上方的干燥室，其设置有有机溶剂的蒸气的供给部；和使多个基片在液处理槽与干燥室之间移动的移动机构。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-91301号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种技术，其在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基片处理装置，其特征在于，包括：/n贮存处理液的液处理槽；/n使浸渍于所述液处理槽的多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方处的移动机构；/n向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气的释放部；和/n使所述释放部释放所述蒸气的释放位置随着所述多个基片的上升而上升的控制部。/n

【技术特征摘要】
20190304 JP 2019-0388191.基片处理装置，其特征在于，包括：
贮存处理液的液处理槽；
使浸渍于所述液处理槽的多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方处的移动机构；
向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气的释放部；和
使所述释放部释放所述蒸气的释放位置随着所述多个基片的上升而上升的控制部。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放部包括多层配置的多个喷嘴，
所述控制部使从所述释放部释放所述蒸气的动作从所述多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴起依次开始。


3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部随着所述多个基片的上升而将所述多个喷嘴中释放所述蒸气的喷嘴依次切换为配置在更上层的所述喷嘴。


4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个喷嘴配置在由所述移动机构导致的所述多个基片的移动路径的侧方，
所述多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴水平或朝向斜下方地释放所述蒸气。


5.如权利要求2～4中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴，配置在比所述多个基片的上半部分完全从所述液面露出时的所述多个基片的上端的高度位置低的位置。


6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：高山和也，鹤崎广太郎，山下浩司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP