维护装置具有罩体和固定构件。罩体形成为和处理容器的第一部件与第二部件的分界线对应的尺寸、或者和第一部件与第二部件分离后的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性，其中，处理容器能够分离成第一部件和第二部件，且在处理衬...

基板处理系统具备：载置台，其用于载置基板；加热器，其通过被供给电力来将基板进行加热；电力供给部，其向加热器供给电力；传感器，其测定加热器的电阻值；以及控制装置。控制装置记录将多个电阻值与多个温度进行对应的转换表，在加热器的温度为参考温度...

提供一种等离子体蚀刻方法，将具有消耗构件的处理容器内维持为固定的压力，利用等离子体来蚀刻被处理体，所述等离子体蚀刻方法包括以下工序：测定所述消耗构件的温度从第一温度达到比该第一温度低的第二温度为止的降温时间或降温速度的变动值；以及根据表...

本发明的基片翘曲修正方法不对基片的正面进行处理就能够修正基片翘曲。该基片翘曲修正方法包括表面粗糙化步骤，使用构成为能够对基片的背面进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置，对基片的背面进行表面粗糙化处理，在背面形成槽，来修正基片翘曲。

伸缩装置具有：基座部件；第一滚珠丝杠，其设置于基座部件，利用从驱动源供给的驱动力而旋转；第一可动部件，其通过第一滚珠丝杠与基座部件连接，随着第一滚珠丝杠的旋转，相对于基座部件进行相对移动；第二滚珠丝杠，其设置于第一可动部件，随着第一可动...

本发明提供一种阻抗匹配装置、异常诊断方法以及存储介质，阻抗匹配装置对构成阻抗匹配装置的各部件的异常进行自我诊断，具有：可变电容元件，其连接在高频电源与负载之间；第一检测器，其检测用于判断高频电源与负载之间的阻抗匹配的指标值及表示从高频电...

本发明提供一种蚀刻方法，将被加工物的温度维持为‑30℃以上30℃以下，并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为J(i)，该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为M(i)、N(i)，对于i可取的所有的值，对所有的J(...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括保持步骤、事先加热步骤、释放步骤和移动步骤。保持步骤保持基片。事先加热步骤加热相反面的中央部，该相反面是基片的与被处理面相反一侧的面。释放步骤在事先加热步骤后，对被处理面的周...

实施方案提供了用于图案化光致抗蚀剂的光致抗蚀剂清洗溶液的使用点共混。所公开的方法和系统通过缓解溶液与去离子水和/或其他化学物质的使用点可变共混来形成用于多种不同光致抗蚀剂的不同缓解溶液，以在处理室内分配之前调节溶液的配方。对于一个示例性...

本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器...

本发明提供使排出至开口部的液滴难以向相对于该开口部相邻的开口部泄漏的液滴排出方法和程序、以及使用了该液滴排出方法的有机EL装置的制造方法、使用了该液滴排出方法的滤色器的形成方法。本实施方式的液滴排出方法包括：区域设定步骤，在该步骤中，以...

本发明提供一种检查装置，其使接触端子与电子器件电接触而检查该电子器件，该检查装置包括：载置台，其在内部具有供光可透射的致冷剂流通的致冷剂流路，该载置台的与被检查体的载置侧相反的一侧由光透射材料形成；光照射机构，其被配置成面对该载置台的与...

例示性实施方式所涉及的温度测定传感器具备：基板；及光纤，其设置于基板的上表面并沿着上表面而延伸。温度测定传感器还具备：作为使上表面的上方的空间和基板的下表面的下方的空间连通的空间的光导入路径；及光耦合部，其设置于上表面并配置于光导入路径...

提供一种在基板处理装置中可实现满足指定条件的OR搬送的技术。基板处理装置具有：确定部，其参考多个处理模块各自的在各处理时隙的使用状态，并从在各处理时隙能够使用的处理模块中确定能够执行待处理的控制作业中包含的各基板的处理的处理模块；计算部...

流量控制器具有：阀，其能够控制向处理装置供给的气体的流量；以及阀控制部，其在从处理装置发出指示开始进行气体的供给的指令的时间点，打开阀来开始控制气体的流量，从发出指令的时间点起以规定的周期将气体的流量进行累计来计算累计流量，并且在计算出...

本发明提供高频供给装置和高频电功率的供给方法。该高频供给装置包括：将从振荡器供给的高频放大而供给到负载的放大部；检测从放大部供给到负载的电流、电压或者电功率的参数的参数检测部；供给驱动放大部的驱动电流的电流供给部；指令信号输出部，其基于...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够在基板处理中减少通过静电吸盘吸附基板时的微粒并且使该基板处理的生产率提高。进行基板的处理的方法包括：载置工序，将所述基板载置于被设定为规定的温度的静电吸盘上；第一吸附工序，向所述静电吸盘施加...

本发明提供对准装置、基板处理装置、对准方法以及基板处理方法。调节排列配置的两张矩形基板的配置位置。限制边部的位置，该边部形成分别设定到两张相邻地排列配置的矩形基板的第1角部、第2角部，使压靠部分别从与各边部相对的方向压靠而进行矩形基板的...

本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法。一种基片处理装置，其具有：混合部，其按预定的混合比混合作为处理液的原料的第一磷酸与添加剂来调配混合液；修正所述处理液的原料的混合比的混合比修正部；用所述处理液处理基片的处理部，所述混合部用于贮存...

效率良好地执行的基板的液处理的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：具有基板的输入输出口并内装有第1液处理部和设置于比第1液处理部远离输入输出口的位置的第2液处理部的液处理模块和相对于液处理模块输入输出基板的输送装置。第1液处理...