在等离子体加工中，多个谐波频率分量用于等离子体激发。控制不同频率分量之间的相对幅度和/或相移，以便提供期望的离子能量等离子体属性。可以在不进行直接测量和/或手动离子能量测量的情况下控制相对幅度和/或相移。而是，可以通过监测该等离子体装置...

本发明提供一种等离子体处理装置、计算方法以及记录介质，能够求出顶板的消耗程度。控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起针对加热器的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用...

本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质。控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度成为固定，测量部测量过渡状态和第二稳定状态下的供给电力，所述过渡状态为从等离子体点火且针对加热器的供给电力稳定了的第一稳定状态转变为等离子...

本文中的技术包括处理和系统，通过所述处理和系统可以减轻或校正可再现的CD变化图案，以经由分辨率增强从微加工的图案化工艺中产生期望的CD。识别跨一组晶片的CD变化的可重复部分，然后生成校正曝光图案。直写式投射系统使这种校正图案作为分量曝光...

一种激光加工装置，在保持于基板保持部的基板的主表面形成对所述基板进行加工的激光光线的照射点、并使所述照射点在所述基板的预定分割线上移动来形成加工痕迹，该激光加工装置具有加工处理部，该加工处理部改变所述预定分割线来重复进行为了使所述照射点...

本发明的目的在于提供一种在维持规定的蚀刻特性的同时抑制电弧放电的蚀刻方法和蚀刻处理装置。所述蚀刻方法向处理容器内供给气体、第一频率的高频电力以及比该第一频率低的第二频率的高频电力，来对形成于为浮动电位的电极层的上层的含硅膜进行蚀刻，所述...

本发明涉及液体处理装置以及液体处理装置的控制方法，其能够对送入液体处理装置为止的受到来自于气氛的温度影响的基板进行均匀的液体处理。一种液体处理装置，其向基板供给处理液来对该基板进行处理，其中，该液体处理装置具有：卡盘，其能够保持所述基板...

本发明提供一种贮藏器、基板处理装置以及贮藏器的使用方法。用于防止向作为被处理体的基板供给含有泡的处理液。贮藏器具备：容器部，其具有上壁、侧壁以及底壁，在内部收容处理液；液体喷出路径，其具有设置在比收容于容器部内的处理液的液面高的位置的液...

本发明提供一种涂敷处理方法，其包括：在基片的表面与喷嘴的间隔被保持为规定的涂敷用间隔的状态下，从喷嘴向基片的表面的中心供给成膜液的步骤；在从喷嘴向基片的表面供给成膜液的期间中，使基片以第1转速绕通过基片的表面中心的轴线旋转，以使得成膜液...

本发明提供涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置。该涂敷膜形成方法在基片形成含有液晶性材料的涂敷膜，该方法包括：一边使保持基片的保持部与涂敷部相对地移动，一边从上述涂敷部释放含有上述液晶性材料的涂敷液，在基片涂敷上述涂敷液而形成涂敷膜的步骤；以...

本实用新型提供一种管体和泵装置。使管体的寿命提高。该管体被使用于供液构件，是能够利用加压而变形的空心的管体，其中，所述管体的轴向截面具有彼此相对的两个长边部和彼此相对的两个短边部，各所述长边部与各所述短边部所形成的、4个角部分具有向外侧...

本文中的技术包括调整分配的抗蚀剂或溶剂的膜厚度的方法。本文中的技术包括通过从分配模块实时操纵衬底旋转速度、光致抗蚀剂的粘度、光致抗蚀剂内的固体的量、以及溶剂的蒸发速率来控制抗蚀剂膜的最终厚度。这包括在即将沉积在衬底上之前将较高浓度的光致...

本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状...

提供了一种水平式衬底承载装置，例如用于在水平式热处理期间保持半导体衬底的承载装置。水平式衬底承载装置具有不对称放置的支承导轨。水平式衬底承载装置的一侧没有上导轨，而水平式衬底承载装置的另一侧具有在相对高位置处放置的上导轨，例如处于60°...

在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体蚀刻方法中，将基板配置于静电吸盘上且被聚焦环包围的区域内。通过被来自等离子体的离子将基板在被静电吸盘保持的状态下进行蚀刻。静电吸盘具有包括第一电极和第二电极的多个电极。第一电极在基板的中央区域的下方...

一种激光加工装置，具备：高度测定部，其测定加工用激光光线的在基板的上表面上的照射点的铅垂方向位置；以及控制部，其一边使所述照射点在所述基板的上表面中的多条预定分割线上移动，一边基于所述照射点的铅垂方向位置来控制聚光部的铅垂方向位置，其中...

涂敷显影装置(2)包括：收纳晶片(W)的多个收纳室(11a、12a、13a、14a)；对多个收纳室(11a、12a、13a、14a)的每一者输送第一气体的第一管道(30)；对多个收纳室(11a、12a、13a、14a)的每一者输送温度比...

本发明提供一种能够抑制异物混入要供给到基片的处理液中的液处理装置。装置构成为，包括：将从处理液供给源(23)供给的用于处理基片的处理液释放到该基片的喷嘴(22)；将上述处理液供给源(23)和上述喷嘴(22)连接的主流路；设置于上述主流路...

本文中描述的是一种接合以及/或者剥离基底的方法。在一个实施方案中，要被接合的基底的表面中的至少一个包括氧化物。在一个实施方案中，两个基底的表面均包括氧化物。然后，可以利用湿蚀刻通过蚀刻掉已经接合的层来剥离基底。在一个实施方案中，利用熔接...

本发明提供一种除电方法和基片处理装置。除电方法包括：在静电吸盘上载置有基片的状态下向处理容器内导入气体的步骤；一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电的步骤；在基于所述气体的放电开始...