本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。用等离子体来蚀刻膜的蚀刻方法包括准备基片的步骤、蚀刻步骤和修正步骤。准备基片的步骤，在该基片的第1膜之上形成有掩模。蚀刻步骤，用含Xe、Kr或Rn的第1气体的等离子体，以形成于第1膜的孔或者槽的高宽比成...

本发明提供一种图案测量装置、图案测量装置中的倾斜度计算方法和图案测量方法。实施方式的图案测量装置包括输送部、图案投影部、拍摄部和测量部。输送部输送基片。图案投影部配置于输送部的上方，将投影图案投影到输送部所输送的基片上。拍摄部配置于输送...

本发明提供一种能够抑制膜沉积于气体供给管的内部并且能够均匀地供给气体的气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法。本公开的一形态的气体导入构造是向纵长的处理容器内供给处理气体的气体导入构造，所述气体导入构造具有处理气体供给管，所述处理气体...

本发明的检查装置包括：能够载置形成有电子器件的基片载置台，其中，与基片侧相反的一侧由光透射材料形成，并且具有供可透射光的致冷剂流过的致冷剂流路；光照射机构，其以与载置台的跟基片侧相反的一侧对置的方式配置，具有面向基片的多个LED；和控制...

热处理单元包括：热板，其载置并加热作为处理对象的晶圆；腔室，其构成为能够以包围热板的载置晶圆的载置面的方式配置；升降机构，其构成为能够使腔室升降；冷却体，其构成为能够通过使腔室接近或接触该冷却体来冷却腔室。

本发明提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期向配置于基板支承器上的边缘环施...

本披露涉及一种大批量生产系统，用于在不离开该系统的受控环境(例如，亚大气压)的情况下按半导体加工序列加工和测量工件。系统加工室经由搬送室相互连接，这些搬送室用于在该受控环境中在加工室之间移动这些工件。这些搬送室包括带有专用工件支撑吸盘的...

本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括处理液供给步骤、两种液体供给步骤、第1移动步骤和第2移动步骤。处理液供给步骤，向基片供给处理液。两种液体供给步骤，在处理液供给步骤之后，一边向基片供给处理液，一边还向基片...

本发明提供一种热响应性提高的基板处理装置。一种基板处理装置，其具有：腔室，其是具有等离子体处理空间的腔室，所述腔室的侧壁具有用于向所述等离子体处理空间内输送基板的开口部；和开闭器，其配置于所述侧壁的内侧，对所述开口部进行开闭，所述开闭器...

本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工...

本发明提供一种载置台和等离子体处理装置，该载置台包括用于支承基片和边缘环的静电吸盘和支承所述静电吸盘的基座，所述静电吸盘具有：第1区域，其具有第1上表面，能够支承所述第1上表面之上所载置的基片；第2区域，其具有第2上表面，并设置成与所述...

描述了一种用于实时感测工业制造设备中的特性的装置和方法。该感测系统包括：第一多个传感器，该第一多个传感器被安装在半导体器件制造系统的加工环境内，其中，每个传感器被分配给不同的区域，以监测该制造系统的所分配的区域的物理或化学特性；以及读取...

本披露涉及一种大批量生产系统，用于在不离开该系统的受控环境(例如，亚大气压)的情况下按半导体加工序列加工和测量工件。系统加工室经由搬送室相互连接，这些搬送室用于在该受控环境中在加工室之间移动这些工件。这些搬送室包括能够在加工处理之前和/...

一种被配置用于执行集成的衬底加工和衬底计量的衬底加工工具以及加工衬底的方法。该衬底加工工具包括衬底搬送室、耦接至该衬底搬送室的多个衬底加工室、以及耦接至该衬底搬送室的衬底计量模块。一种衬底加工方法包括：在衬底加工工具的第一衬底加工室中加...

本发明提供液处理装置和液处理方法。针对向基板供给涂敷液而形成涂敷膜的液处理装置，获得高生产率且省空间。构成如下装置，其具备：第1喷嘴，其在基板之上的各第1喷出位置向该基板喷出第1处理液，以各基板保持部为单位设置；第2喷嘴，其在各基板之上...

本公开提供基板处理方法和基板处理装置。所述方法是基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：处理容器，其具有可升降的载置台；构件，在该构件与载置台之间形成处理空间；原料气体供给部；反应气体供给部；以及排气部，其具有能够调整开度的压力调整...

本发明提供一种基片检查系统、基片检查方法和存储介质，其中，基片检查系统包括：拍摄部，其设置于基片处理装置中，拍摄在表面形成有膜的颜色信息用基片的表面来获取图像数据；膜厚测量部，其设置于基片处理装置中，测量以与颜色信息用基片相同的条件在表...

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：保持基片并使其旋转的旋转保持部；液供给部，其具有释放处理液的喷嘴，对由旋转保持部保持的基片的表面供给处理液；使喷嘴在基片的中心与周缘部之间移动的驱动部；以及控制旋转保持部、液供给部...

本发明提供一种对于缩短处理液的送液时间有效的液处理装置、液处理方法以及存储介质。液处理装置具备：至少三个泵，其分别进行接收处理液的接收动作和将接收到的处理液向同一管路喷出的喷出动作；后级泵，其进行接收被喷出到同一管路的处理液的接收动作和...

本实用新型提供一种接合装置，适当地进行接合中的基板之间的位置对准。该接合装置将第一基板与第二基板接合，具备：第一保持部，其保持所述第一基板；第二保持部，其保持所述第二基板；第一摄像部，其设置于所述第一保持部，对保持于所述第二保持部的所述...