【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法
本公开的例示性的实施方式涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
在针对基板的等离子体处理中,使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器以及高频电源。基板支承器设置于腔室内。基板支承器包括下部电极和静电吸盘。静电吸盘设置于下部电极上。在基板支承器上配置边缘环。基板配置于静电吸盘上且由边缘环包围的区域内。从高频电源向下部电极供给高频电力，以执行等离子体处理。有时从高频电源向下部电极周期性地供给脉冲状的高频电力。当执行等离子体处理时，边缘环被消耗，从而边缘环的厚度减小。当边缘环的厚度减小时，在边缘环的上方，鞘层的上端位置变低。其结果，从等离子体向基板的边缘倾斜地供给离子。提出一种向边缘环施加负极性的电压、以校正在边缘环的上方的鞘层的上端位置的技术。该技术记载于专利文献1中。在专利文献1所记载的技术中，在向下部电极供给脉冲状的高频电力的期间，向边缘环施加负极性的电压。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2019-4...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：/n腔室；/n基板支承器，其设置于所述腔室内，所述基板支承器具有下部电极、设置于该下部电极上的静电吸盘以及设置于该静电吸盘内的电阻加热元件即加热器；/n高频电源，其与所述下部电极电连接；/n直流电源，其构成为向配置于所述基板支承器上的边缘环施加负极性的电压；/n第一控制装置，其构成为控制所述高频电源和所述直流电源；以及/n第二控制装置，其构成为控制从加热器电源向所述加热器供给的电力，以减小所述加热器的当前温度与设定温度之间的差，/n其中，所述第一控制装置控制所述高频电源，以按照以第一频率规定的周期向所述下部电极供给脉冲状的高频电力...
【技术特征摘要】
20190621 JP 2019-1152821.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
腔室；
基板支承器，其设置于所述腔室内，所述基板支承器具有下部电极、设置于该下部电极上的静电吸盘以及设置于该静电吸盘内的电阻加热元件即加热器；
高频电源，其与所述下部电极电连接；
直流电源，其构成为向配置于所述基板支承器上的边缘环施加负极性的电压；
第一控制装置，其构成为控制所述高频电源和所述直流电源；以及
第二控制装置，其构成为控制从加热器电源向所述加热器供给的电力，以减小所述加热器的当前温度与设定温度之间的差，
其中，所述第一控制装置控制所述高频电源，以按照以第一频率规定的周期向所述下部电极供给脉冲状的高频电力，并控制所述直流电源，以按照该周期向所述边缘环施加脉冲状的负极性的电压，
所述第二控制装置具有加热器控制器，所述加热器控制器构成为根据向所述加热器供给的电流的采样值和向所述加热器施加的电压的采样值来求出所述加热器的电阻值，并根据该电阻值确定出所述当前温度，来控制所述电力，
所述第一频率与第二频率不同，所述第二频率是所述第二控制装置中的所述电流的所述采样值和所述电压的所述采样值的采样频率。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第一频率和所述第二频率中的一方与所述第一频率和所述第二频率中的另一方的约数不同，且所述第一频率和所述第二频率中的所述另一方与所述第一频率和所述第二频率中的所述一方的约数不同。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
还具备电容器，该电容器在所述第二控制装置与所述加热器之间连接于将所述加热器与所述加热器电源电连接的一对线路间。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第二控制装置还具有电流测定器和电压测定器，所述电流测定器构成为测定向所述加热器供给的所述电流，所述电压测定器构成为测定向所述加热器施加的所述电压，
所述加热器控制器构成为根据由所述电流测定器测定出的所述电流的所述采样值和由所述电压测定器测定出的所述电压的所述采样值，来求出所述电阻值。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第二控制装置还具有开关器件，该开关器件连接在所述加热器与所述加热器电源之间，
所述加热器控制器构成为通过控制所述开关器件的导通状态，来控制所述电力。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述加热器控制器构成为使用包括所述电阻值、依次求出的所述加热器的多个电阻值的平均值来...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田和人，远藤宏纪，佐藤贵志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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