工程气体供应装置以及配备上述装置的基板处理系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种配备有通过在将边缘区域分为第1区域以及位于上述第1区域外廓的第2区域并将第2区域分成多个小区域而向基板上供应工程气体的用于氧化膜蚀刻的工程气体供应装置以及配备上述装置的基板处理系统。上述工程气体供应装置，包括：喷淋头，安装在用于执行蚀刻工程的腔室的内部，配备有可供工程气体通过的多个气体喷射孔；以及，气体供应单元，安装在腔室的外部并与喷淋头连接，用于通过气体喷射孔将工程气体供应到腔室的内部；其中，喷淋头，包括：平板形态的中央部；环形形态的中间部，以围绕中央部的方式进行配置；环形形态的第1边缘部，以围绕中间部的方式进行配置；以及，环形形态的第2边缘部，以围绕第1边缘部的方式进行配置且被分割成多个。

【技术实现步骤摘要】
工程气体供应装置以及配备上述装置的基板处理系统
本专利技术涉及一种用于供应工程气体的装置以及利用上述装置对基板进行处理的系统。尤其涉及一种用于供应氧化膜蚀刻用工程气体的装置以及利用上述装置对基板进行处理的系统。
技术介绍
在制造半导体元件时所使用的蚀刻工程包括湿式蚀刻工程(wetetchingprocess)以及干式蚀刻工程(dryetchingprocess)。最近，为了能够适用于小型电子产品而需要对半导体元件进行小型化，因此通常使用可实现微细图案的干式蚀刻工程。先行技术文献专利文献韩国注册专利第10-1963859号(公告日期：2019.03.29.)专利内容半导体元件制造设备为了执行干式蚀刻工程而需要在工程腔室(processchamber)的内部配备用于供应工程气体的喷淋头(showerhead)。喷淋头为了对基板(wafer)上的氧化膜(oxide)进行蚀刻而将基板的上部区域分割为中央区域(centerzone)、中间区域(middlezone)以及边缘区域(edgezone)等并供应工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工程气体供应装置，其特征在于，包括：/n喷淋头，安装在用于执行蚀刻工程的腔室的内部，配备有可供工程气体通过的多个气体喷射孔；以及，/n气体供应单元，安装在上述腔室的外部并与上述喷淋头连接，用于通过上述气体喷射孔将上述工程气体供应到上述腔室的内部；/n其中，上述喷淋头，包括：/n平板形态的中央部；/n环形形态的中间部，以围绕上述中央部的方式进行配置；/n环形形态的第1边缘部，以围绕上述中间部的方式进行配置；以及，/n环形形态的第2边缘部，以围绕上述第1边缘部的方式进行配置且被分割成多个。/n

【技术特征摘要】
20190620 KR 10-2019-00735911.一种工程气体供应装置，其特征在于，包括：
喷淋头，安装在用于执行蚀刻工程的腔室的内部，配备有可供工程气体通过的多个气体喷射孔；以及，
气体供应单元，安装在上述腔室的外部并与上述喷淋头连接，用于通过上述气体喷射孔将上述工程气体供应到上述腔室的内部；
其中，上述喷淋头，包括：
平板形态的中央部；
环形形态的中间部，以围绕上述中央部的方式进行配置；
环形形态的第1边缘部，以围绕上述中间部的方式进行配置；以及，
环形形态的第2边缘部，以围绕上述第1边缘部的方式进行配置且被分割成多个。


2.根据权利要求1所述的工程气体供应装置，其特征在于：
上述气体供应单元，包括：
气体供应源，用于提供上述工程气体；
气体分配器，用于对上述工程气体进行分配；
气体供应管路，用于对上述气体供应源与上述气体供应源进行连接；以及，
气体分配管路，用于分别对上述气体分配器与上述中央部、上述气体分配器与上述中间部、上述气体分配器与上述第1边缘部以及上述气体分配器与上述第2边缘部进行连接。


3.根据权利要求2所述的工程气体供应装置，其特征在于：
用于对上述气体分配器与上述第2边缘部进行连接的上述气体分配管路的数量，与上述第2边缘部的数量相同。


4.根据权利要求2所述的工程气体供应装置，其特征在于，还包括：
分配控制阀，用于对上述气体分配管路上的上述工程气体的流动进行控制；以及，
阀控制部，用于对上述分配控制阀进行控制。


5.根据权利要求1所述的工程气体供应装置，其特征在于：
上述第2边缘部的宽度大于上述第1边缘部的宽度。


6.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
腔室，用于执行蚀刻工程；
静电卡盘，安装在上述腔室的内部，用于安置基板；
喷淋头，以与上述静电卡盘上下相向的方式...

【专利技术属性】
技术研发人员：李奇英，李东馥，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR