【技术实现步骤摘要】
等离子体处理设备及其包含等离子体处理设备的等离子体处理系统
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种等离子体处理设备及其包含等离子体处理设备的等离子体处理系统。
技术介绍
随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的线宽越来越小，关键尺寸的控制也越来越重要，对刻蚀工艺的要求也越来越高。刻蚀工艺是一种有选择的去除待处理基片材料。刻蚀工艺包括湿法刻蚀和干法刻蚀，干法刻蚀由于选择性高、可控性强成为当今最常用的刻蚀工艺之一。干法刻蚀即为等离子体刻蚀，通常在基片处理腔内通入刻蚀气体，并电离所述刻蚀气体形成等离子体，利用所述等离子体对待处理基片进行刻蚀。现有的等离子体刻蚀方法通常在待处理基片表面形成光刻胶图形，以所述光刻胶图形为掩膜，对所述待处理基片进行刻蚀。现有的等离子体处理设备包括电容耦合等离子体刻蚀设备(CapacitorCoupledPlasma，CCP)和感应耦合等离子体刻蚀设备(InductiveCoupledPlasma，ICP)。但是，现有的等离子体处理设备的性能较差。专...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：/n基片处理腔；/n气体供应单元，用于向所述基片处理腔内输送反应气体；/n位于所述基片处理腔内的基座，所述基座用于承载待处理基片；/n位于所述基片处理腔上方的第一壳体，所述第一壳体具有气体通道，所述气体通道用于释放第一壳体内的第一气体；/n位于所述第一壳体内的电感线圈，所述电感线圈用于使所述反应气体转化为等离子体；/n位于所述基片处理腔下方的第二壳体，所述气体通道的端口朝向第二壳体；/n位于所述第二壳体内的抽真空装置，所述抽真空装置用于使所述基片处理腔内为真空环境；/n位于所述第二壳体下方的抽气装置，所述抽气装置用于将所述第一气体...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：
基片处理腔；
气体供应单元，用于向所述基片处理腔内输送反应气体；
位于所述基片处理腔内的基座，所述基座用于承载待处理基片；
位于所述基片处理腔上方的第一壳体，所述第一壳体具有气体通道，所述气体通道用于释放第一壳体内的第一气体；
位于所述第一壳体内的电感线圈，所述电感线圈用于使所述反应气体转化为等离子体；
位于所述基片处理腔下方的第二壳体，所述气体通道的端口朝向第二壳体；
位于所述第二壳体内的抽真空装置，所述抽真空装置用于使所述基片处理腔内为真空环境；
位于所述第二壳体下方的抽气装置，所述抽气装置用于将所述第一气体从第二壳体周围抽走。
2.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第一壳体包括：第一侧壁、贯穿所述第一侧壁的气体孔以及磁屏蔽罩，所述磁屏蔽罩与第一侧壁之间构成所述气体通道，所述气体通道与气体孔连通。
3.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：第一鼓风装置，所述第一鼓风装置用于向第一壳体内输送冷却气体，所述冷却气体用于对第一壳体内进行降温形成第一气体。
4.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：位于所述第一壳体内的绝缘窗口，所述绝缘窗口位于基片处理腔的顶部，所述电感线圈位于所述绝缘窗口上。
5.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第一壳体的材料包括导磁材料。
6.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第二壳体还包括散热孔；所述等离子体处理设备还包括：位于第二壳体内的第二鼓风装置，所述第二鼓风装置用于向第二壳体内输送冷却气体，所述冷却气体用于对第二壳体内进行降温形成第二气体；所述抽气装置用于将第二气体抽出。
7.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述气体供应单元包括：若干根与基片处理腔连通的进气管路和若干个气体控制器，且一根进气管路与一个气体控制器相连。
8.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述抽真空装置包括相互连接的第一抽真空器件和第二抽真空器...
【专利技术属性】
技术研发人员：范德宏，左涛涛，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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