本发明提供在包括多个流体供给路径的基板处理装置中，当检测流过各供给路径的流体所包含的异物时能够防止装置的大型化和制造成本上升的技术。该基板处理装置包括：测定用的流路部，其为要供给到基板的流体的多个供给路径各自的一部分，构成流体中的异物的...

本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子...

本发明提供处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。实施方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括：形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体...

本发明提供一种基板处理装置、控制方法以及计算机可读存储介质，对于减少向基板喷出的处理液中的微粒是有用的。本公开的一个方面所涉及的基板处理装置具备：喷出部，其具有向基板喷出处理液的喷嘴；送液部，其向喷出部输送处理液；补充部，其向送液部补充...

本发明提供抑制处理区域的工艺气氛向构成处理基板的处理容器的两个导电性构件的接合界面泄漏的、第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。一种第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，该第一导电性构件和第二导电性构件...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置抑制在设于处理容器内部的喷射器旋转时产生颗粒，具有：处理容器；喷射器，设于处理容器内部，呈沿长度方向延伸的形状，供给处理气体；保持架，固定于喷射器；风车，固定于保持架；第1驱动用气体供...

本发明提供靶结构和成膜装置。靶结构包括：靶；冷却套，其具有供热交换介质流通的流路；和背板，上述靶与上述冷却套的一个面接合，上述冷却套的另一个面与上述背板在周围部接合，在比上述周围部靠内侧处具有不接合的非接合区域。本发明能够抑制靶的接合部...

本发明提供能够容易掌握装置的状态的状态管理系统和状态管理方法。状态管理系统包括：获取累积于装置的数据的获取部；执行部，其按规定周期执行将所获取的数据中预先选择的多种数据组合，计算表示上述装置的正常程度的一个指标的处理；和显示计算出的上述...

示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板在腔室内配置于基板支承器之上。基板支承器包括下部电极及静电卡盘。静电卡盘设置于下部电极之上。等离子体处理方法还包括为了进行相对于基板的等离子体处理而...

本发明的一方式的基片处理方法包括升温步骤和液供给步骤。升温步骤使由浓硫酸构成的处理液(L)升温。液供给步骤将升温了的处理液(L)供给到载置于基片处理部(30)的基片。

处理基板的基板处理方法具有：改性工序，使用激光在至少所述基板的背面表层或所述基板的内部形成改性层；和表面处理工序，其在所述改性工序之后，在保持着所述基板的背面的状态下处理该基板的表面。改性装置具有向至少所述基板的背面表层或所述基板的内部...

本发明提供探测器和探针卡的预热方法，能够将探针卡和吸盘顶部之间的间隔保持为固定地进行探针卡的预热。探测器包括多个检查室，多个检查室的每个检查室包括探针卡、吸盘顶部和温度调整部。探针卡具有多个探头。吸盘顶部能够载置晶圆。温度调整部对吸盘顶...

本发明提供基板载置台、基板处理装置以及温度控制方法。将基板的温度分布控制为在分隔壁的内侧和外侧急剧变化。基板载置台包括：基部，其具有载置基板的载置面；环状的支承构件，其设于基部，沿着基板的外周侧支承基板；环状的分隔壁，其设于载置面，在载...

本发明提供一种能够计算处理装置的与流量控制器有关的性能的性能计算方法和处理装置。性能计算方法获取多个流量控制器的出厂检查数据。性能计算方法基于获取到的出厂检查数据和表示流量控制器的性能的每个项目的第一系数，来计算通过偏差值表示每个流量控...

本发明提供在基片上形成薄膜时，膜厚的控制性高的技术。一种使用原子层沉积法在基片上形成薄膜的方法，其包括将前体供给到上述基片的步骤，其中，上述前体是具有一个氨基的氨基硅烷，上述步骤中的上述前体的供给时间小于上述前体在上述基片的吸附量达到饱...

提供了一种改进了对气相自由基的控制的工艺和设备。在一个实施例中，提供了一种产生原子氧的系统，其中，产生原子氧的气体在注入工艺空间中之前被混合。该混合可以在喷头内发生，也可以在进入到该喷头中之前发生。在另一个实施例中，提供了一种喷头，该喷...

本发明提供一种基板处理系统和基板处理方法，有利于在发生了异常而中断正在执行的基板处理的情况下将已接受处理的基板作为能够有效使用的基板进行回收。基板处理系统具备基板搬送装置、多个处理单元以及控制部。控制部构成为：在多个处理单元中的某个处理...

提供了一种用于使用在公共生产平台上执行的集成的加工步骤序列来在半导体工件上进行自对准多重图案化的方法，该公共生产平台托管成膜模块、刻蚀模块和搬送模块。将其上形成有心轴图案的工件接收到公共生产平台中。至少部分地基于心轴图案形成侧壁间隔物图...

本发明提供一种等离子体处理装置，其具有支承部、滤波器部和升降部。支承部支承载置被处理体的载置台，并配置有用于等离子体处理的配线，其中该被处理体为等离子体处理的对象。滤波器部连接于配线的端部，使在配线中传播的噪声衰减。升降部将支承部和滤波...

本发明提供基板处理装置和基板的交接方法。在将基板利用载置台加热、冷却的情况下，改善基板的温度的面内均匀性，防止基板支承销折断。基板处理装置包括：具有沿上下方向贯通载置台的贯通孔的载置台，其在上表面载置基板，并对基板进行加热和/或冷却；设...