第一与第二导电性构件的接合构造、方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供抑制处理区域的工艺气氛向构成处理基板的处理容器的两个导电性构件的接合界面泄漏的、第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。一种第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，该第一导电性构件和第二导电性构件构成在内部具有与外部区域隔离的处理区域的处理容器，在所述处理区域处理基板，其中，所述第一导电性构件和所述第二导电性构件具备接合界面，分开地配设的环状的第一密封槽与第二密封槽面向所述接合界面，在所述第一密封槽配设有第一密封构件，在所述第二密封槽配设有第二密封构件，由所述接合界面的位于所述第一密封槽与所述第二密封槽之间的部分的表面凹凸形成的间隙与所述外部区域连通。间隙与所述外部区域连通。间隙与所述外部区域连通。

【技术实现步骤摘要】
第一与第二导电性构件的接合构造、方法及基板处理装置


[0001]本公开涉及第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开有一种具备接合多个容器构成部件而成的容器主体、配置在容器构成部件之间的接合部分的第1密封构件、安装于容器主体的内表面并保护容器主体的保护构件的等离子体处理容器。通过自处理室内部将保护构件插入于容器构成部件之间的接合部分，直到到达第1密封构件的位置为止，而使第1密封构件与保护构件抵接并形成第1密封部。根据专利文献1所公开的等离子体处理容器，由于等离子体、腐蚀性气体被第1密封部遮断，因而等离子体、腐蚀性气体不会到达侧壁与顶板直接抵接的位置，而能够不需要顶板的防蚀铝处理。
[0003]专利文献1：日本特开2009-253161号公报

技术实现思路

[0004]专利技术要解决的问题
[0005]本公开提供有利于抑制处理区域的工艺气氛向构成处理基板的处理容器的两个导电性构件的接合界面泄漏的、第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。
[0006]用于解决问题的方案
[0007]在本公开的一技术方案的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造中，第一导电性构件和第二导电性构件构成处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离的处理区域，在所述处理区域处理基板，其中，
[0008]所述第一导电性构件和所述第二导电性构件具备接合界面，
[0009]分开地配设的环状的第一密封槽和第二密封槽面向所述接合界面，在所述第一密封槽配设有第一密封构件，在所述第二密封槽配设有第二密封构件，
[0010]在所述第一密封槽与所述第二密封槽之间，由所述接合界面的表面凹凸形成的间隙与所述外部区域连通。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本公开，能够提供抑制处理区域的处理气氛向构成处理基板的处理容器的两个导电性构件的接合界面泄漏的、第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。
附图说明
[0013]图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子的纵剖视图。
[0014]图2是图1的II部的放大图，是表示实施方式所涉及的第一导电性构件与第二导电
性构件的接合构造的一个例子的纵剖视图。
[0015]图3是图2的III部的放大图。
[0016]图4是说明第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造的密封性能的检查方法的图。
具体实施方式
[0017]以下参照附图说明本公开的实施方式所涉及的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造、接合方法以及基板处理装置。此外，在本说明书和附图中，有时通过对实质上相同的构成要素标注相同的附图标记，而省略重复的说明。
[0018][实施方式][0019]＜基板处理装置＞
[0020]首先，参照图1和图2说明本公开的实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子。在此，图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子的剖视图。另外，图2是图1的II部的放大图，是表示实施方式所涉及的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造的一个例子的纵剖视图。
[0021]图1所示的基板处理装置100为对平板显示器(Flat Panel Display，以下称作“FPD”)用的俯视矩形的基板G(以下简称作“基板”)执行各种基板处理方法的感应耦合型等离子体(Inductive Coupled Plasma，ICP)处理装置。作为基板的材料，主要使用玻璃，根据用途，有时也使用透明的合成树脂等。在此，基板处理包含使用了蚀刻处理、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法的成膜处理等。作为FPD，可例示液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、电致发光(Electro Luminescence，EL)、等离子体显示面板(Plasma Display Panel，PDP)等。基板除在其表面图案化电路的形态以外，还包含支承基板。另外，FPD用基板的平面尺寸随着世代的推移而大规模化，利用基板处理装置100处理的基板G的平面尺寸例如至少包含第6代的1500mm
×
1800mm左右的尺寸至第10.5代的3000mm
×
3400mm左右的尺寸。另外，基板G的厚度为0.2mm至几mm左右。
[0022]图1所示的基板处理装置100具有长方体状的箱型的处理容器20、配设于处理容器20内并载置基板G的俯视矩形的外形的基板载置台70、控制部90。此外，处理容器也可以是圆筒状的箱型、椭圆筒状的箱型等形状，在该形态中，基板载置台也成为圆形或者椭圆形，载置于基板载置台的基板也成为圆形等。
[0023]处理容器20被金属窗50划分为上下两个空间，作为上方空间的天线室A由上腔室13形成，作为下方空间的处理区域S(处理室)由下腔室17形成。在处理容器20中，在成为上腔室13与下腔室17之间的边界的位置以向处理容器20的内侧突出设置的方式配设有矩形环状的支承框14，在支承框14安装有金属窗50。
[0024]形成天线室A的上腔室13由侧壁11和顶板12形成，上腔室13整体由铝、铝合金等金属形成。
[0025]在内部具有处理区域S的下腔室17由侧壁15和底板16形成，下腔室17整体由铝、铝合金等金属形成。另外，侧壁15被接地线21接地。
[0026]而且，支承框14由导电性的铝、铝合金等金属形成，还能够称为金属框。
[0027]在下腔室17的侧壁15的上端形成有矩形环状(无端状)的密封槽22，在密封槽22嵌
入O形密封圈等密封构件23，支承框14的抵接面保持密封构件23，从而形成下腔室17与支承框14之间的密封构造。
[0028]在下腔室17的侧壁15开设有送入送出口18，该送入送出口18用于相对于下腔室17送入送出基板G，送入送出口18构成为利用闸阀24开闭自如。内置输送机构的输送室(均未图示)与下腔室17相邻，对闸阀24进行开闭控制，利用输送机构经由送入送出口18进行基板G的送入送出。
[0029]另外，在下腔室17所具有的底板16开设有多个排气口19，在各排气口19连接有气体排出管25，气体排出管25经由开闭阀26连接于排气装置27。由气体排出管25、开闭阀26以及排气装置27形成气体排出部28。排气装置27具有涡轮分子泵等真空泵，构成为在工艺中能够将下腔室17内抽真空到规定的真空度。此外，在下腔室17的适当部位设有压力计(未图示)，将由压力计得到的监控信息向控制部90发送。
[0030]基板载置台70具有基材73和形成于基材73的上表面73a的静电卡盘76。
[0031]基材73由上方基材71与下方基材72的层叠体形成。上方基材71的俯视形状为矩形，具有与载置于基板载置台70的FPD相同程度的平面尺寸。例如，上方基材71具有与载置的基板G相同程度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，该第一导电性构件和第二导电性构件构成处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离的处理区域，在所述处理区域处理基板，其中，所述第一导电性构件和所述第二导电性构件具备接合界面，分开地配设的环状的第一密封槽和第二密封槽面向所述接合界面，在所述第一密封槽配设有第一密封构件，在所述第二密封槽配设有第二密封构件，由所述接合界面的位于所述第一密封槽与所述第二密封槽之间的部分的表面凹凸形成的间隙与所述外部区域连通。2.根据权利要求1所述的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，其中，在所述第一导电性构件开设有与所述间隙连通的大气导入孔，所述大气导入孔与所述外部区域连通。3.根据权利要求2所述的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，其中，所述大气导入孔与氦气供给源连通。4.根据权利要求1～3中任一项所述的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，其中，所述第一导电性构件和所述第二导电性构件均由耐腐蚀性的金属或者实施了耐腐蚀性的表面加工的金属形成。5.根据权利要求1～4中任一项所述的第一导电性构件与第二导电性构件的接合构造，其中，所述第二导电性构件为具备向所述处理区域喷出处理气体的多个气体孔的喷淋板，所述第一导电性构件为形成金属窗的导体板，在所述接合界面的内侧设有与多个所述气体孔连通的气体扩散槽。6.一种基板处理装置，该基板处理装置具有处理容器，该处理容器在内部具备与外部区域隔离的处理区域，在所述处理区域处理基板，其中，所述处理容器包括第一导电性构件和第二导电性构件，所述第一导电性构件和所述第二导电性构件具备接合界面，分开地配设的环状的第一密封槽和第二密封槽面向所述接合界面，在所述第一密封槽配设有第一密封构件，在所述第二密封槽配设有第二密封构件，由所述接合界面的位于所述第一密封槽与所述第二密封槽之间的部分的表面凹凸形成的间隙与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部纯一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：