本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体点火辅助方法。等离子体处理系统的控制装置执行收集工序、第一确定工序、第二确定工序以及点火工序。在收集工序中，关于同电力供给部与等离子体之间的阻抗的匹配有关的各个可调节的变量的值，收集表示阻抗的匹配...

涉及显影处理方法和显影处理装置。降低形成对水的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。显影处理方法对基板上的抗蚀膜进行显影处理，包括：工序(A)，向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案；工序(B)，向显影后的前述基板供给水系清洗液...

本发明涉及成膜装置及成膜方法。本发明的课题是：在以填充形成于基板的表面的凹部图案的方式成膜为硅氮化膜时，无间隙地填充凹部图案。在表面形成有凹部图案的基板上成膜为硅氮化膜的成膜方法中，包括如下工序：向存储前述基板的处理容器内分别供给包含硅...

本发明提供蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在化合物的环境中，对形成有掩模膜的蚀刻对象进行蚀刻的步骤，当蚀刻对象包含氮化硅SiN时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀...

本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够形成多组以隔开恰当的间隔的方式相对的旋转流路与固定流路的组，能够针对这些组中的每个组控制气体的流动。基板处理装置具备：主轴，其使基板旋转；和气体轴承，其隔着气体层将所述主轴支承成旋转自由...

一种能够提高硼膜或含硼膜的蚀刻的垂直性的蚀刻方法。该蚀刻方法包括：准备基板的工序，在所述基板上形成有硼膜或含硼膜；供给处理气体的工序，所述处理气体含有氯气、含氟气体、以及含氢气体；以及通过所述处理气体的等离子体经由掩模对所述硼膜或所述含...

本发明提供基板处理方法和基板处理系统。适当地进行对基板的湿蚀刻，使基板厚度的面内均匀性提高。基板处理方法用于处理基板，该基板处理方法包括：磨削所述基板的一面的工序；测量所述基板的厚度的工序；对所述一面进行湿蚀刻的工序；以及在将所述基板翻...

本发明提供一种等离子体喷镀装置和等离子体喷镀方法。提供能够控制等离子体射流的形状的技术。本公开的一技术方案的等离子体喷镀装置具备：供给部，其利用第1气体运送喷镀材料的粉末，并从顶端部的开口喷射该粉末；等离子体生成部，其使用喷射出的所述第...

本发明提供载置台和等离子体处理装置，其使配置于载置台内的收容空间的基板的动作的稳定性提高。载置台包括：基台，其在内部具有收容空间；电介质层，其设于所述基台的第1面，具有载置基板的载置面，该电介质层在内部具有多个加热器；以及加热器控制基板...

本发明提供一种基片处理装置及其制造方法和维护方法。基片处理装置具有处理容器，在设置于处理容器的壁部的第一贯通孔的内周面，和安装在壁部上的盖部件所具有的与第一贯通孔连通的第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，在第一贯通孔或者第...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法，能够在以在形成于基板的表面的凹部中埋入氮化硅膜的方式进行成膜时抑制生产率的下降，并且抑制在进行该氮化硅膜的成膜后进行的不必要的蚀刻。所述成膜方法实施以下工序：在旋转台以第一转速进行旋转的期间，对第一区域...

本发明提供边缘环、等离子体处理装置和边缘环的制造方法。本发明的边缘环在等离子体处理装置的处理容器的内部包围载置于载置台的基片的周围，该边缘环包括：第一部件，其具有能够与在上述处理容器的内部生成的等离子体接触的接触面，并且由第一材料形成；...

一种等离子体加工系统包括真空室、第一耦合电极、布置在该真空室中的衬底固持器、第二耦合电极以及控制器。该衬底固持器被配置为支撑衬底。该第一耦合电极被配置为提供用于在该真空室中生成等离子体的功率。该第一耦合电极被进一步配置为将源功率脉冲耦合...

本发明提供一种基片处理系统。多个处理腔室并排地配置，并且分别能够实施基片处理。多个电源系统单元分别配置在多个处理腔室的下部，能够对各处理腔室单独地供电。本发明能够抑制设置面积。抑制设置面积。抑制设置面积。

本发明公开一种处理基板的方法，其包括(a)向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有被图案化的有机掩模。该方法还包括(b)在将基板容纳于腔室内的状态下，在腔室内由处理气体生成等离子体的工序。该方法还包括(c)在生成等离子体的工序...

本发明提供热处理方法和热处理装置。本发明的一个方式的热处理方法包括：在基片上形成膜中氢浓度为5

一种基板处理系统，用于对基板进行处理，所述基板处理系统具有：第一改性装置，其用于针对将第一基板的表面与第二基板的表面进行接合所得到的重合基板，在所述第一基板的内部形成沿面方向从中心部至少朝向该第一基板的作为去除对象的周缘部延伸的内部面改...

目的在于防止在显影处理后的处理对象基板的中央附近产生大量缺陷。对处理对象基板(W)进行显影处理的显影处理装置(30)具有：旋转保持部(120)，其保持处理对象基板(W)并使其旋转；喷出部(132)，其向所述旋转保持部(120)所保持的处...

本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si

本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基...