边缘环、等离子体处理装置和边缘环的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供边缘环、等离子体处理装置和边缘环的制造方法。本发明专利技术的边缘环在等离子体处理装置的处理容器的内部包围载置于载置台的基片的周围，该边缘环包括：第一部件，其具有能够与在上述处理容器的内部生成的等离子体接触的接触面，并且由第一材料形成；和第二部件，其设置在上述第一部件的与上述接触面相反的一侧，并且由与第一材料不同的第二材料形成，上述第一材料的杨氏模量比上述第二材料高。本发明专利技术能够抑制边缘环的消耗，并且减轻传热气体从边缘环与静电吸盘之间泄漏的状况。从边缘环与静电吸盘之间泄漏的状况。从边缘环与静电吸盘之间泄漏的状况。

【技术实现步骤摘要】
边缘环、等离子体处理装置和边缘环的制造方法


[0001]本专利技术涉及边缘环、等离子体处理装置和边缘环的制造方法。

技术介绍

[0002]在等离子体处理装置的处理室内的载置在静电吸盘上的基片的周围，设置有边缘环。边缘环用于将处理室内生成的等离子体聚集到基片的上方，提高对基片进行的等离子体处理的效率。
[0003]近年来，出于延长边缘环寿命之目的，有的情况下会采用以碳化硅(SiC)为代表的刚度比硅(Si)高的材料作为边缘环的材料。
[0004]对配置于静电吸盘的外周侧的边缘环的下表面供给He(氦)等传热气体，由此控制边缘环的温度。例如，专利文献1提出了一种技术，为了抑制所供给的传热气体从边缘环与静电吸盘之间的间隙泄漏的量(泄漏量)增大，在送入送出晶片时以及进行无晶片干式清洁(WLDC，Wafer Less Dry Cleaning)时对聚焦环进行静电吸附。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2016-122740号公报
[0008]专利文献2：日本特开2016-225588号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术问题
[0010]边缘环的上表面会暴露于等离子体而发生消耗。当边缘环发生了规定量以上的消耗时，存在对蚀刻特性等造成影响的可能性，因此产生更换边缘环的需求。
[0011]本专利技术提供一种边缘环，其能够抑制边缘环的消耗，并且减轻传热气体从边缘环与静电吸盘之间的泄漏的状况。r/>[0012]用于解决技术问题的技术方案
[0013]依照本专利技术的一个方案能够提供一种边缘环，其在等离子体处理装置的处理容器的内部包围载置于载置台的基片的周围，该边缘环包括：第一部件，其具有能够与在上述处理容器的内部生成的等离子体接触的接触面，并且由第一材料形成；和第二部件，其设置在上述第一部件的与上述接触面相反的一侧，并且由与第一材料不同的第二材料形成，上述第一材料的杨氏模量比上述第二材料高。
[0014]专利技术效果
[0015]依照一个方面能够提供一种边缘环，其能够抑制边缘环的消耗，并且减轻传热气体从边缘环与静电吸盘之间的泄漏的状况。
附图说明
[0016]图1是表示一个实施方式的等离子体处理装置之一例的截面示意图。
[0017]图2是表示一个实施方式的边缘环之一例的图。
[0018]图3是表示一个实施方式的变形例1～5的边缘环的截面之一例的图。
[0019]图4是表示一个实施方式的变形例6的边缘环之一例的图。
[0020]图5是表示一个实施方式的具有中间部件的边缘环的制造方法的流程图。
[0021]图6是用于说明一个实施方式的具有中间部件的边缘环的制造方法的图。
[0022]附图标记说明
[0023]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
离子体处理装置
[0024]10
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处理容器
[0025]14
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载置台
[0026]16
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电极板
[0027]18
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基座
[0028]20
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静电吸盘
[0029]25
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边缘环
[0030]25a
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上部部件
[0031]25b
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下部部件
[0032]25c
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中间部件
[0033]30
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上部电极
[0034]34
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顶板
[0035]36
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支承体
[0036]38
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气体供给管
[0037]40
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气体源组
[0038]42
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阀组
[0039]44
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流量控制器组
[0040]46
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遮挡件
[0041]48
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挡板
[0042]70
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电源
[0043]80
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控制部
[0044]W
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基片。
具体实施方式
[0045]下面，参照附图，对用于实施本专利技术的方式进行说明。在各图中，对相同的构成部分标注相同的附图标记，有时会省略重复的说明。
[0046][等离子体处理装置][0047]使用图1，对一个实施方式的等离子体处理装置1进行说明。图1是表示一个实施方式的等离子体处理装置1之一例的截面示意图。
[0048]等离子体处理装置1包括处理容器10。处理容器10在其内部提供内部空间10s。处理容器10包括处理容器主体12。处理容器主体12具有大致圆筒形状。处理容器主体12例如由铝形成。在处理容器主体12的内壁面上设置有具有耐腐蚀性的膜。该膜可以为氧化铝、氧化钇等陶瓷。
[0049]在处理容器主体12的侧壁形成有通路12p。通过通路12p在内部空间10s与处理容器10的外部之间输送基片W。通路12p由沿处理容器主体12的侧壁设置的闸阀12g开闭。
[0050]在处理容器主体12的底部上设置有支承部13。支承部13由绝缘材料形成。支承部13具有大致圆筒形状。支承部13在内部空间10s中从处理容器主体12的底部向上方延伸。支承部13在上部具有载置台14。载置台14构成为在内部空间10s中支承基片W。
[0051]载置台14包括基座18和静电吸盘20。载置台14还可以包括电极板16。电极板16由铝等导体形成，具有大致圆盘形状。基座18设置于电极板16上。基座18由铝等导体形成，具有大致圆盘形状。基座18与电极板16电连接。
[0052]静电吸盘20设置于基座18上。在静电吸盘20的上表面载置基片W。静电吸盘20包括主体和电极。静电吸盘20的主体具有大致圆盘形状，由电介质形成。静电吸盘20的电极是膜状的电极，设置于静电吸盘20的主体内。静电吸盘20的电极经开关20s与直流电源20p连接。当从直流电源20p对静电吸盘20的电极施加电压时，在静电吸盘20与基片W之间产生静电引力。利用该静电引力，基片W被保持在静电吸盘20上。
[0053]在基座18的周缘部上，以包围基片W的周围的方式配置有边缘环25。边缘环25也被称作聚焦环。边缘环25用于提高对基片W进行的等离子体处理的面内均匀性。
[0054]在基座18的内部设置有流路18f。从设置于处理容器10外部的冷却单元(未图示)经配管22a对流路18f供给温度调节用的热交换介质(如致冷剂、载热体)。供给到流路18f的热交换介质经配管22b返回冷却单元。通过热交换介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种边缘环，其在等离子体处理装置的处理容器的内部包围在载置于载置台的基片的周围，所述边缘环的特征在于，包括：第一部件，其具有能够与在所述处理容器的内部生成的等离子体接触的接触面，并且由第一材料形成；和第二部件，其设置在所述第一部件的与所述接触面相反的一侧，并且由杨氏模量比第一材料低的第二材料形成。2.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于：所述第一材料是碳化硅(SiC)、氧化硅(SiO2)或者氧化铝(Al2O3)的任一者，所述第二材料是硅(Si)。3.如权利要求1或2所述的边缘环，其特征在于：在所述第一部件与所述第二部件之间具有中间部件。4.如权利要求3所述的边缘环，其特征在于：所述中间部件由杨氏模量比所述第一材料低且比所述第二材料高的材料构成。5.如权利要求3或4所述的边缘环，其特征在于：所述中间部件由组分不连续地变化的膜构成。6.如权利要求3或4所述的边缘环，其特征在于：所述中间部件由组分连续地变化的膜构成。7.如权利要求1～6中任一项所述的边缘环，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：今真人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：