基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片处理装置及其制造方法和维护方法。基片处理装置具有处理容器，在设置于处理容器的壁部的第一贯通孔的内周面，和安装在壁部上的盖部件所具有的与第一贯通孔连通的第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，在第一贯通孔或者第二贯通孔安装有用于将第一贯通孔或者第二贯通孔的开口封闭的封闭部件，封闭部件由固定部固定在壁部，具有：插通体，其插通于第一贯通孔或者第二贯通孔，与内周面一起夹持导体；和凸缘，其与插通体连续地形成，具有比第一贯通孔或者第二贯通孔的开口大的平面面积。根据本发明专利技术，能够高效地对设置在被施加高频电功率的处理容器的壁部且能够配置环状的导体的贯通孔等进行封闭部件的拆装。封闭部件的拆装。封闭部件的拆装。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法


[0001]本专利技术涉及基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种等离子体处理装置，其沿着容器主体和盖体的接合部配设有电磁屏蔽件部件，该电磁屏蔽件部件以大致沿着相对于与线圈轴心垂直的面倾斜的面的方式倾斜地卷绕线材或者薄带片材，由斜圈弹簧构成。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2002-164685号公报。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种能够高效地对贯通孔等进行封闭部件的拆装的基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法，其中所述贯通孔设置在被施加高频电功率的处理容器的壁部且能够配置环状的导体。
[0008]用于解决问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的基片处理装置包括处理容器，其具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，在所述基片处理装置中，在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔，在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔安装有封闭部件，所述封闭部件将所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口封闭，且由固定部固定在所述壁部，所述封闭部件具有：插通体，其插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，与所述内周面一起夹持所述导体；和凸缘，其与所述插通体连续地形成，具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的所述开口大的平面面积。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本专利技术，能够高效地对设置在被施加高频电功率的处理容器的壁部且能够配置环状的导体的贯通孔等进行封闭部件的拆装。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。
[0013]图2是将图1的II部放大的图，是表示电磁波泄漏防止结构的一例的图。
[0014]图3是安装在底板(壁部)上的盖部件的一例的分解立体图。
[0015]图4是表示电磁波泄漏防止结构的另一例的图。
[0016]图5是表示实施方式的基片处理装置的制造方法的一例的工序图。
[0017]图6是接着图5表示基片处理装置的制造方法的一例的工序图。
[0018]图7是接着图6表示基片处理装置的制造方法的一例的工序图。
[0019]图8是接着图7表示基片处理装置的制造方法的一例的工序图。
[0020]图9是表示实施方式的基片处理装置的制造方法的另一例的工序图。
[0021]图10是验证封闭部件的拆装时所需时间的实验中所适用的从下方看处理容器的底板的平面图。
[0022]图11A是表示实验中所适用的比较例的封闭部件的平面图。
[0023]图11B是表示实验中所适用的实施例的封闭部件的平面图。
[0024]附图标记说明
[0025]16
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壁部(底板)
[0026]16a
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第一贯通孔
[0027]16c
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开口
[0028]20
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处理容器
[0029]31
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插通体
[0030]32
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凸缘
[0031]33
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封闭部件
[0032]36、37 固定部
[0033]43
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盖部件
[0034]42a
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第二贯通孔
[0035]42c
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开口
[0036]48
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导体(环状的导体)
[0037]100
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基片处理装置
[0038]G
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基片
[0039]S
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处理区域
[0040]E
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外部区域
具体实施方式
[0041]以下，参照附图，说明本实施方式的基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的构成要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[0042][实施方式的基片处理装置][0043]<基片处理装置>
[0044]首先，参照图1，说明本专利技术的实施方式的基片处理装置的一例。在此，图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。
[0045]图1所示基片处理装置100是对FPD用的俯视时呈矩形的基片(以下仅称为“基片”)G执行各种基片处理方法的感应耦合型等离子体(Inductive Coupled Plasma：ICP)处理装置。作为基片G的材料主要使用玻璃，根据用途能够使用透明的合成树脂等。在此，基片处理包含蚀刻处理、使用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法的成膜处理等。作
为FPD，例示有液晶显示器(Liquid Crystal Display：LCD)、电致发光(Electro Luminescence：EL)、等离子体显示器面板(Plasma Display Panel：PDP)等。基片G除了在其表面图案化有电路的方式之外，还包含支承基片。另外，FPD用基片的平面尺寸随着世代的推移而不断大规模化，基片处理装置100所能够处理的基片G的平面尺寸例如至少包含从第6代的1500mm
×
1800mm程度的尺寸至第10.5世代的3000mm
×
3400mm程度的尺寸。另外，基片G的厚度为0.2mm至数mm程度。
[0046]图1所示的基片处理装置100包括：长方体状的箱型的处理容器20；配置在处理容器20内的用于载置基片G的俯视时呈矩形的外形的基片载置台70；和控制部90。此外，处理容器也可以为圆筒状的箱型、椭圆筒状的箱型等的形状，在该方式下，基片载置台也为圆形或者椭圆形，载置在基片载置台上的基片也成为圆形等。
[0047]处理容器20被电介质板51划分为上下两个空间，作为上方空间的天线室A由上腔室13形成，作为下方空间的处理区域S由下腔室17形成。在此，相对于处理容器20的内部的处理区域S，使处理容器20的外部为外部区域E。
[0048]在处理容器20中，在成为下腔室17与上腔室13的边界的位置，矩形环状的支承框14以向处理容器20的内侧突出的方式设置，在支承框14上载置电介质板51。
[0049]形成天线室A的上腔室13由侧壁11和顶板12形成，作为整体由铝或铝合金等的金属形成。
[0050]在内部具有处理区域S的下腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，所述基片处理装置的特征在于：在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔，在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔安装有封闭部件，所述封闭部件将所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口封闭，且由固定部固定在所述壁部，所述封闭部件具有：插通体，其插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，与所述内周面一起夹持所述导体；和凸缘，其与所述插通体连续地形成，具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的所述开口大的平面面积。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：在所述壁部中设置有多个所述第一贯通孔，所述封闭部件由一个所述固定部固定在各所述第一贯通孔，或者固定在位于与各所述第一贯通孔对应的位置的所述盖部件所具有的所述第二贯通孔。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述固定部具有：销部件，其在所述壁部中的所述开口的外周，或者在所述盖部件中的所述开口的外周，向所述外部区域伸出；在所述凸缘中供所述销部件插通的销孔；和对插通于所述销孔的所述销部件进行保持的夹紧件。4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述环状的导体形成电磁波屏蔽件。5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述壁部是形成所述处理容器的底板，从所述第一贯通孔的中途位置至所述壁部的表面设置有沉孔部，在所述第一贯通孔中插通螺钉部件，并且在所述螺钉部件的头部与所述沉孔部卡合的状态下，使所述螺钉部件的一端与位于所述处理容器内的下部电极螺合，由此将所述下部电极固定在所述底板。6.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔设置环状的第一槽，在所述插通体的与所述第一槽对应的位置设置环状的第二槽，所述环状的导体嵌入于所述第一槽和所述第二槽。7.一种基片处理装置的制造方法，所述基片处理装置具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，所述基片处理装置的制造方法的特征在于，包括：在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置环状的导体的步
骤，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔；和准备具有插通体和与所述插通体连续地形成的具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口大的平面面积的凸缘的封闭部件，使所述插通体插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，并与所述内周面一起夹持所述导体，用所述凸缘来封闭所述开口，并且用固定部将所述封闭部件固定在所述壁部的步骤。8.如权利要求7所述的基片处理装置的制造方法，其特征在于：在所述壁部中设置多个所述第一贯通孔，用一个所述固定部来将所述封闭部件固定在...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤毅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：