本发明提供一种成膜装置和成膜方法，能够提高形成于基板的有机膜的膜厚度的均匀性。通过气相沉积聚合在基板上进行聚合物的有机膜的成膜的成膜装置具备处理容器、气体供给部、浓度分布控制部以及温度分布控制部。处理容器收容基板。气体供给部向处理容器内...

根据本公开的一个实施方式的膜厚测定装置包括：第一计算部，计算膜厚已知的第一晶圆的基准位置处的基准反射光谱信号与基准位置以外的各位置处的反射光谱信号之间的各相对反射率；确定部，确定由所述第一计算部计算出的各相对反射率与所述第一晶圆的各位置...

涂布显影装置具备：热板，其构成为能够载置作为处理对象的晶圆；升降机构，其构成为能够使支承晶圆的支承销进行升降，以使晶圆被载置于热板；吸引部，其对晶圆的背面的多个区域施加吸引力，以使晶圆吸被附于热板；以及控制器，其基于吸引部的第一配管相应...

本发明为一种在实施指定了基片的处理方案和作为处理对象的上述基片的任务来对上述基片进行规定的处理时，检查上述基片的缺陷的方法，其包括：依次拍摄上述基片的拍摄步骤；第1判断步骤，其从上述任务的开头的上述基片起依次地，使用泽尼克多项式将上述拍...

本实用新型提供基片处理装置和基片处理方法。本实用新型的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于喷嘴臂，用于使基片的位置与保持部中的所设定的位置对准。本实用...

本发明提供边缘环、载置台、基片处理装置和基片处理方法。本发明的边缘环包括第一边缘环和第二边缘环，该第二边缘环具有与上述第一边缘环的侧面靠近的侧面，并且能够沿上述第一边缘环的侧面在上下方向上移动，在上述第二边缘环的移动范围内，上述第一边缘...

本公开提供一种能够监视等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所...

本公开提供一种能够监视使用金属窗的电感耦合型的等离子体处理装置中等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：主体容器；一个或多个高频天线，所述一个或多个高频天线用于使所述主体容器的内部的等离子...

本发明提供一种基片处理方法，其包括：准备含有蚀刻对象膜和掩模的基片的步骤；用等离子体通过所述掩模来对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤；和在所述进行蚀刻的步骤之后，在规定的温度下对基片进行热处理的步骤。根据本发明，能够防止因沉积于蚀刻对象膜的...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够在处理多张基板的批量式的装置中提高处理槽的槽内的温度控制性。所述基板处理装置具有：处理槽，其用于贮存处理液，多张基板浸在该处理液中；多个液供给部，所述多个液供给部包括用于向所述处理槽的槽内供...

本发明提供基板处理装置以及基板输送方法。防止基板处理装置大型化或使其小型化，基板处理装置具备：输送室列，多个输送室呈直线状排列，各自在内部设有利用输送臂保持基板进行输送的基板输送机构；处理室列，多个处理室沿着输送室列配设于输送室列的侧方...

本发明提供能够使开口部扩大并且能够以均匀的力推压阀芯的闸门机构和基板处理装置。闸门机构使基板处理装置的圆筒状的腔室的开口部开闭，具有阀芯和升降机构。阀芯的在沿着腔室的内周的方向上的长度为腔室的内侧周长的一半以上。升降机构为两个以上，与阀...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置抑制了在使设于处理容器的内部的喷射器旋转时产生颗粒。利用以下这样的基板处理装置解决上述课题，该基板处理装置具有：处理容器；喷射器，其设于所述处理容器的内部，用于供给处理气体，呈沿长度方...

本公开的一形态的溅射装置具有：处理容器，其收容基板；狭缝板，其在所述处理容器内的所述基板的上方与所述基板的表面平行地配置，并具有在板厚方向上贯通的开口部；以及受热用板，其在相对于所述狭缝板倾斜设置的靶材的下方载置于所述狭缝板之上，由耐热...

本发明的一方式的基片清洗方法包括成膜处理液供给步骤、剥离处理液供给步骤和疏水化液供给步骤。成膜处理液供给步骤将含有挥发成分的用于在基片(W)上形成膜的成膜处理液(L1)供给到基片(W)。剥离处理液供给步骤对由于挥发成分的挥发而使成膜处理...

本发明提供一种气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法，为了控制多个气体并执行工艺而进行了改进。向基板处理装置的腔室供给气体的气体供给系统，具备：第1流路，连接第1气体的第1气源与腔室；第2流路，连接第2气体的第2气源与第1流路；控制阀...

本发明提供一种温度调整装置，能够使第一面的面内的温度差变小。温度调整装置具有第一构件和流路。第一构件形成有被设为温度控制的对象的第一面。流路在第一构件的内部沿第一面形成，该流路的一端被设为用于导入传热介质的导入口，另一端被设为用于排出所...

本发明提供一种热处理装置和热处理方法。对形成有抗蚀剂的覆膜且该覆膜被实施了曝光处理的基片进行热处理的热处理装置即热处理单元(U8)包括：能够支承并加热基片的加热板(21)；覆盖加热板(21)上的处理空间(S)的腔室(41)；在腔室(41...

成膜方法包括以下工序：将形成有绝缘膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下向处理容器内重复供给含Ti气体、含Al气体以及反应气体来形成基底膜；以及通过金属材料在形成有基底膜的基板形成金属层。膜的基板形成金属层。膜的基板形成金属层。

一种微波等离子体处理装置的清洁方法，该微波等离子体处理装置具有处理容器和微波辐射部，且在所述处理容器的配置所述微波辐射部的位置形成有窗部，该清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，一边供给清洁气体，一边调整为与包括所述处理容器的壁面、所述...