课题在于，在基板的干燥处理中切实地防止图案崩塌。解决方案是一种基板处理方法，其将表面形成有凹凸图案的基板上的液体去除而使基板干燥，其具备如下工序：在所述基板的凹部内形成成为下层的固体状态的第一材料、和成为上层的固体状态的第二材料的工序；...

本发明的实施方式的绘制装置(1)包括多个支承部(51)、移动部(53)、调节部(30、31)和绘制部(32)。多个支承部(51)从下方支承工件。移动部(53)使支承部(51)沿水平方向移动。调节部(30、31)对支承于支承部(51)的工...

本发明提供一种等离子体处理装置。能够抑制等离子体变得不稳定。在处理室的内部设有供基板载置的载置台，在该处理室中对基板实施等离子体处理。高频电源向载置台供给偏压用的高频电。多个隔板包围载置台的上表面的外周，彼此分离地配置。凹部位于至少一组...

本发明提供根据基片处理的状态来适当地控制各种参数的基片处理控制方法、基片处理装置和存储介质。具有包含多个第一水准单元的第一要素和包含的多个第二水准单元的第二要素的基片处理装置中的基片处理控制方法，其包括：获取步骤，其对每个基片获取包含确...

本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。[课题]使用属于β‑二酮的气体对形成于基板的金属膜进行蚀刻时，防止该基板的金属污染。[解决方案]构成一种蚀刻装置，所述蚀刻装置具备：处理容器，其内部经排气且形成真空气氛、并且具有以由铝和添加金属形成的合金为...

披露了一种用于对半导体衬底进行刻蚀、具体地是对晶圆进行湿法刻蚀的方法和系统。通过以空间变化的光强度辐照施加在晶圆上的液体溶液来调节这些液体溶液的刻蚀速率。向这些液体溶液中添加光反应试剂，这些试剂包括光酸、光碱和光氧化剂。对这些光反应试剂...

在实施例中，一种等离子体加工系统包括真空室、被配置为对要加工的衬底进行固持的衬底固持器，其中，该衬底固持器设置在该真空室中。该系统进一步包括设置在该衬底固持器的外围区域上方的电子源，该电子源被配置为朝向该衬底固持器的外围区域生成电子束。

一种等离子体加工方法包括：生成源功率脉冲的第一序列；生成偏置功率脉冲的第二序列；将该第二序列中的这些偏置功率脉冲与该第一序列中的这些源功率脉冲组合，以形成交替的源功率脉冲和偏置功率脉冲的组合序列；以及使用该组合序列生成包括离子的等离子体...

本发明提供成膜系统及其中使用的磁化特性测量装置和成膜方法。成膜系统包括：在基片上形成磁性膜的处理单元；磁化特性测量装置，其测量在处理单元中形成的磁性膜的磁化特性；以及在处理单元与磁化特性测量装置之间输送基片的输送部。磁化特性测量装置包括...

本发明涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢...

在公开的方法中，对在其上方设置有掩模的基板的氧化硅膜进行蚀刻。该方法包括使用由包含碳氟化合物气体、含碳而不含氟的气体及含氧气体的第1处理气体形成的第1等离子体对基板执行第1等离子体处理的工序。该方法还包括使用由包含碳氟化合物气体的第2处...

提供了一种用于在等离子体加工室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源、照射系统、收集系统和处理电路，该连续波宽带光源用于产生入射光束，该照射系统被配置为照射衬底上的区域，其中入射光束以正入射被引导到该衬底，该收集...

一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具有：蚀刻装置，其对基板进行蚀刻；以及控制装置，其控制所述蚀刻装置，所述蚀刻装置具有：液供给喷嘴，其向基板供给处理液；厚度测量部，其与所述液供给喷嘴一体地设置，并且以不与基板接触的方式测...

提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被...

本发明的成膜装置中，载置台能够配置作为成膜对象的被处理体。气体供给部以与载置台相对的方式配置，设置有能够控制成规定温度的加热器，供给载气。气化部配置在载置台与气体供给部之间，由来自气体供给部的热量加热，使以液体的方式供给的成膜材料气化。

本发明提供一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。在一个例示的实施方式中，提供了一种蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介...

本发明提供涂敷处理方法、涂敷处理装置和存储介质。涂敷处理方法包括：一边对基片的正面的中心供给成膜液，一边使基片以第一转速旋转，在被供给到基片的正面的成膜液到达基片的外周之前停止供给成膜液的步骤；在停止供给成膜液之后，使基片以第二转速继续...

本发明提供一种能够可靠地避免主轴与主轴壳体相接触而导致产生不良的加工装置。具有：多个卡盘，保持基板；及至少1个加工轴；加工轴包括：加工部，对基板进行加工；主轴，使加工部旋转；主轴马达，驱动主轴，主轴壳体，容纳主轴及主轴马达；及升降机构，...

本发明提供基片处理装置的清洗方法和基片处理系统。基片处理装置的清洗方法中，上述基片处理装置能够进行干燥处理，上述干燥处理使表面被液体润湿的状态的基片与超临界流体接触以使上述基片干燥，上述基片处理装置的清洗方法包括：使清洗用流体在上述基片...