蚀刻方法和基板处理系统技术方案

本发明专利技术涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和基板处理系统
本公开涉及蚀刻方法和基板处理系统。
技术介绍
专利文献1中公开了一种方法，其为对硅进行促进蚀刻的方法，用蚀刻气体ClF3或XeF2对硅在无等离子体下进行蚀刻。根据专利文献1中记载的方法，通过向存在于基板上的硅层导入锗，从而将基板转化为复合半导体，利用前述蚀刻气体进行蚀刻。专利文献2中公开了一种方法，其为以金属类物质或其化合物为材质的构件的微细加工方法，加工用的反应性气体含有ClF、ClF3、ClF5中的至少一种。根据专利文献2中记载的方法，可以以高的加工速度、且简便地进行半导体集成电路的制造工艺中的蚀刻。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2009-510750号公报专利文献2：日本特开平1-92385号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开所涉及的技术适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。用于解决问题的方案本公开的一方案为一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：/n对所述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对所述附着物的表面进行改性的工序；和，/n对所述硅锗层供给含氟气体，从而对所述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。/n

【技术特征摘要】
20190918 JP 2019-1697091.一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：
对所述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对所述附着物的表面进行改性的工序；和，
对所述硅锗层供给含氟气体，从而对所述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。


2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述气体包含氢自由基。


3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，所述气体的等离子体化用远程等离子体生成部而进行。


4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其中，所述远程等离子体生成部中的功率为300W～1000W。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述含氟气体包含ClF3、F2Cl3或F2中的至少任意一者。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其中，对所述附着物的表面进行改性的工序至少先于进行所述侧面蚀刻的工序进行。

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥信博，宫田一史，浅田泰生，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP