等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置。能够抑制等离子体变得不稳定。在处理室的内部设有供基板载置的载置台，在该处理室中对基板实施等离子体处理。高频电源向载置台供给偏压用的高频电。多个隔板包围载置台的上表面的外周，彼此分离地配置。凹部位于至少一组相邻的隔板之间，具有包括底壁和多个侧壁的内壁部，构成与载置台相对的对向电极。载置台相对的对向电极。载置台相对的对向电极。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置


[0001]本公开涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置在供基板载置的载置台的周围以分隔出用于进行等离子体处理的处理空间和与排气系统相连的排气空间的方式设有分隔构件。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015-216260号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种抑制等离子体变得不稳定的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一技术方案的等离子体处理装置具有：处理室、高频电源、多个隔板和凹部。在处理室的内部设有供基板载置的载置台，在该处理室中对基板实施等离子体处理。高频电源向载置台供给偏压用的高频电力。多个隔板包围载置台的上表面的外周，彼此分离地配置。凹部位于至少一组相邻的隔板之间，具有包括底壁和多个侧壁的内壁部，构成与载置台相对的对向电极。
[0010]专利技术的效果
[0011]采用本公开，能够抑制等离子体变得不稳定。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一例的垂直剖视图。
[0013]图2A是表示实施方式的处理室内的结构的一例的立体图。
[0014]图2B是表示实施方式的处理室内的结构的一例的水平剖视图。
[0015]图3是表示实施方式的处理室的排气的流动的图。
>[0016]图4是表示另一实施方式的翅片的配置的一例的图。
具体实施方式
[0017]以下，参照附图对本申请公开的等离子体处理装置的实施方式详细地进行说明。其中，公开的等离子体处理装置并不受本实施方式限定。
[0018]另外，在平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对玻璃基板等基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等等离子体处理的工序。在等离子体处理中，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等多种等离子体处理装置。
[0019]在等离子体处理装置的情况下，在进行利用等离子体的基板处理时，向作为载置台的下部电极供给偏压用的高频电力，以吸引离子。另一方面，在等离子体处理装置的情况下，谋求高压力、高能量的等离子体，以提高等离子体的处理能力，但是伴随于此，存在等离子体变得不稳定的倾向。在此，期待能够抑制等离子体变得不稳定。
[0020][等离子体处理装置的结构][0021]首先，对实施方式的等离子体处理装置10的结构进行说明。图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一例的垂直剖视图。本实施方式的等离子体处理装置10构成为产生电感耦合等离子体并对例如FPD用玻璃基板这样的矩形的基板进行蚀刻处理、灰化处理等电感耦合等离子体处理的电感耦合型的等离子体处理装置。
[0022]等离子体处理装置10具有由导电性材料，例如内壁面进行了阳极氧化处理的铝构成的方筒形状的气密的主体容器1。主体容器1以能够分解的方式组装，利用接地线1a接地。主体容器1由电介质壁2在上下划分为天线室3和处理室4。电介质壁2构成处理室4的顶壁。电介质壁2由Al2O3等陶瓷、石英等构成。
[0023]在主体容器1的、天线室3的侧壁3a和处理室4的侧壁4a之间设有向内侧突出的支承架5。在支承架5之上载置有电介质壁2。
[0024]在电介质壁2的下侧部分嵌入有处理气体供给用的喷射壳体11。喷射壳体11设为十字状，为从下方支承电介质壁2的构造，例如是梁构造。其中，支承上述电介质壁2的喷射壳体11是利用多根吊杆(未图示)吊在主体容器1的顶壁的状态。支承架5和喷射壳体11也可以由电介质构件覆盖。
[0025]喷射壳体11由导电性材料，优先的是金属，例如为了不产生污染物而内表面或者外表面进行了阳极氧化处理的铝构成。在喷射壳体11形成有沿水平延伸的气体流路12。气体流路12与朝向下方延伸的多个气体喷出孔12a连通。另一方面，在电介质壁2的上表面中央以与气体流路12连通的方式设有气体供给管20a。气体供给管20a从主体容器1的顶壁向外侧贯通，与包括处理气体供给源和阀系统等的处理气体供给系统20相连接。在等离子体处理中，从处理气体供给系统20供给来的处理气体经由气体供给管20a向喷射壳体11的气体流路12供给，从形成于喷射壳体11的下表面的气体喷出孔12a向处理室4内喷出。
[0026]在天线室3内配设有高频(RF)天线13。高频天线13是将由铜、铝等导电性良好的金属构成的天线13a配置为环状、螺旋状等以往使用的任意的形状而构成的。高频天线13也可以是具有多个天线部的多重天线。
[0027]在天线13a的端子22连接有向天线室3的上方延伸的供电构件16。在供电构件16的上端利用供电线19连接有高频电源15。另外，在供电线19设有匹配器14。此外，高频天线13利用由绝缘构件构成的间隔件17与电介质壁2分离。在等离子体处理时，从高频电源15向高频天线13供给例如频率是13.56MHz的高频电力。由此，在处理室4内形成有感应电场，在感应电场的作用下从喷射壳体11供给来的处理气体被等离子体化，产生电感耦合等离子体。
[0028]在处理室4内的底壁4b上以与高频天线13隔着电介质壁2相对的方式设有具有用于载置矩形状的基板G的载置面23d的载置台23。载置台23隔着绝缘体构件24固定。绝缘体构件24形成为框状。载置台23具有主体23a，该主体23a由导电性材料，例如表面进行了阳极氧化处理的铝构成。主体23a形成为与基板G相同程度或者略大于基板G的矩形状。在载置台23以包围主体23a的侧面的整面和下表面的外周的方式设有绝缘体框23b，还以包围绝缘体
框23b的侧面的整面的方式设有由导电性材料构成的侧部电极23c。侧部电极23c利用绝缘体框23b与主体23a绝缘。侧部电极23c利用未图示的接地构件与接地电位相连接。其中，也可以使侧部电极23c与后述的隔板50电连接，借助隔板50使侧部电极23c接地。载置于载置台23的基板G由静电吸盘(未图示)吸附保持。
[0029]用于基板G的送入送出的升降销(未图示)经由主体容器1的底壁4b、绝缘体构件24贯通载置台23。升降销形成为由设于主体容器1外的升降机构(未图示)驱动升降，进行基板G的送入送出。其中，也可以是，载置台23是能够利用升降机构升降的构造。
[0030]载置台23的主体23a利用供电线25经由匹配器26与偏压用的高频电源27连接。高频电源27在等离子体处理过程中向主体23a供给偏压用高频电力，以形成高频偏压。载置台23的主体23a作为下部电极发挥功能。偏压用高频电力的频率例如是6MHz。产生于处理室4内的等离子体中的离子在高频偏压的作用下被有效地向基板G吸引。
[0031]另外，在载置台23内设有包括陶瓷加热器等加热单元、制冷剂流路等的温度控制机构和温度传感器(均未图示)，以用于控制基板G的温度。
[0032]此外，在载置台23的情况本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其具有：处理室，在其内部设有供基板载置的载置台，在该处理室中对基板实施等离子体处理；高频电源，其向所述载置台供给偏压用的高频电力；多个隔板，它们包围所述载置台的上表面的外周，彼此分离地配置；以及凹部，其位于至少一组相邻的所述隔板之间，具有包括底壁和多个侧壁的内壁部，构成与所述载置台相对的对向电极。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，在所述载置台的外周的侧面的整面设有侧部电极，该侧部电极构成与所述载置台相对的对向电极。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，在所述隔板的下部形成有与对所述处理室内进行排气的排气口相连的排气空间，在所述凹部和所述排气空间之间还具有密封板，所述密封板、所述载置台的侧面和所述处理室的内部侧面构成所述凹部的侧壁。4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：末木英人，大森贵史，山田洋平，远藤健一，东条利洋，伊藤博道，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：