涂敷处理方法、涂敷处理装置和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供涂敷处理方法、涂敷处理装置和存储介质。涂敷处理方法包括：一边对基片的正面的中心供给成膜液，一边使基片以第一转速旋转，在被供给到基片的正面的成膜液到达基片的外周之前停止供给成膜液的步骤；在停止供给成膜液之后，使基片以第二转速继续旋转的步骤；和在供给期间将气液混合的冷却流体供给到基片的背面的外周部分的步骤，该供给期间包含停止供给成膜液之后直至基片的第二转速的旋转完成为止的期间的至少一部分。本发明专利技术对形成在基片的覆膜的膜厚的面内均匀性提高是有效的。

【技术实现步骤摘要】
涂敷处理方法、涂敷处理装置和存储介质
本专利技术涉及涂敷处理方法、涂敷处理装置和存储介质。
技术介绍
专利文献1公开了一种涂敷处理装置，其包括：保持基片的基片保持部；使保持于基片保持部的基片旋转的旋转部；对保持于基片保持部的基片的正面供给涂敷液的供给部；和气流控制板，其设置于基片保持部所保持的基片的上方的规定位置，能够使通过旋转部旋转的基片的上方的气流在任意位置局部地发生变化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-238838号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供对形成在基片的覆膜的膜厚的面内均匀性提高有效的涂敷处理方法和涂敷处理装置。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方面的涂敷处理方法包括：一边对基片的正面的中心供给成膜液，一边使基片以第一转速旋转，在被供给到基片的正面的成膜液到达基片的外周之前停止供给成膜液的步骤；在停止供给成膜液之后，使基片以第二转速继续旋转的步骤；和在供给期间将气液混合的冷却流体供给到基片的背面的外周部分的步骤，该供给期间包含停止供给成膜液之后直至基片的第二转速的旋转完成为止的期间的至少一部分。专利技术效果依照本专利技术，能够提供对形成在基片的覆膜的膜厚的面内均匀性提高有效的涂敷处理装置。附图说明图1是例示基片液处理系统的概要结构的示意图。图2是例示涂敷单元的概要结构的示意图。图3是例示控制部的功能结构的框图。图4是例示控制部的硬件结构的框图。图5是例示涂敷处理流程的流程图。图6是例示涂敷处理流程的流程图。图7是例示涂敷处理流程的流程图。图8是表示涂敷预湿液的期间晶片状态的示意图。图9是表示供给抗蚀剂液的期间晶片状态的示意图。图10是表示停止供给抗蚀剂液和将抗蚀剂液扩散的期间晶片状态的示意图。图11是例示涂敷条件的设定流程的流程图。图12是例示第一涂敷速度和供给期间的自动调节流程的流程图。图13是例示第一涂敷速度的最优化流程的流程图。图14是例示第一涂敷速度的最优化流程的流程图。图15是例示第一涂敷速度和供给期间的自动调节流程的变形例的流程图。图16是例示第一涂敷速度的暂定流程的流程图。图17是例示第一涂敷速度和供给期间的自动调节流程的变形例的流程图。附图标记说明2……涂敷显影装置(涂敷处理装置)、20……旋转保持部、30……液供给部、31……喷嘴、32……液源(成膜液的供给源)、33……阀、35……节流部、74a……排气口、80……冷却流体供给部、114……第一涂敷控制部、115……第二涂敷控制部、116……冷却控制部、W……晶片(基片)、Wa……正面、Wb……背面、Wc……外周。具体实施方式下面，参照附图，对实施方式进行说明。在说明中，对相同要素或者具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复说明。[基片处理系统]如图1所示，基片处理系统1是对基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基片，例如是半导体的晶片W。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。基片处理系统1包括涂敷显影装置2和曝光装置3。曝光装置3进行形成于晶片W(基片)上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)的曝光处理。通过液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量线。在由曝光装置3进行曝光处理之前，涂敷显影装置2进行在晶片W(基片)的正面形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。[涂敷处理装置]以下，作为涂敷处理装置的一例，说明涂敷显影装置2的结构。涂敷显影装置2包括承载器区块4、处理区块5、接口区块6和控制部100。承载器区块4向涂敷显影装置2内导入晶片W并且从涂敷显影装置2内导出晶片W。例如承载器区块4能够支承晶片W用的多个承载器C，内置有交接臂A1。承载器C收纳例如圆形的多个晶片W。交接臂A1从承载器C取出晶片W并将其交送到处理区块5，从处理区块5接收晶片W并将其送回承载器C内。处理区块5具有多个处理组件11、12、13、14。处理模块11、12、13内置有涂敷单元U1、热处理单元U2以及对这些单元输送晶片W的输送臂A3。处理模块11通过涂敷单元U1和热处理单元U2在晶片W的正面上形成下层膜。处理模块11的涂敷单元U1将下层膜形成用的成膜液涂敷在晶片W上。处理模块11的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。处理模块12通过涂敷单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀剂膜。处理模块12的涂敷单元U1将抗蚀剂膜形成用的成膜液(以下称为“抗蚀剂液”。)涂敷在下层膜上。处理模块12的热处理单元U2进行伴随抗蚀剂膜的形成的各种热处理。处理模块12还包括基片冷却部91和正面检查部92。在涂敷单元U1对晶片W涂敷抗蚀剂液前，基片冷却部91对该晶片W进行冷却。正面检查部92获取与形成于晶片W的正面Wa的抗蚀剂膜的膜厚有关的信息(以下称为“膜厚信息”。)。例如正面检查部92获取作为膜厚信息的一例的、晶片W的正面Wa的拍摄图像中的像素值。像素值是指表示构成图像的像素各自的状态的数值。例如像素值是表示像素的色彩的浓淡水平(例如黑白图像中的灰度水平)的数值。在正面Wa的拍摄图像中，像素值与像素所对应的拍摄对象部分的高度相关。即，像素值与该拍摄对象部分中的抗蚀剂膜的厚度相关。处理模块13通过涂敷单元U1和热处理单元U2在抗蚀剂膜上形成上层膜。处理模块13的涂敷单元U1将上层膜形成用的成膜液涂敷在抗蚀剂膜上。处理模块13的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成的各种热处理。处理模块14内置有显影单元U3、热处理单元U4以及对这些单元输送晶片W的输送臂A3。处理模块14通过显影单元U3和热处理单元U4进行曝光后的抗蚀剂膜的显影处理。显影单元U3在已曝光的晶片W的正面上涂敷了显影液后，用冲洗液洗掉显影液，由此进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元U4进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例子，能够列举出显影处理前的加热处理(PEB：PostExposureBake)、显影处理后的加热处理(PB：PostBake)等。在处理区块5内的承载器区块4侧设置有搁架单元U10。搁架单元U10被分为在上下方向上排列的多个小室。在搁架单元U10的附近设置有升降臂A7。升降臂A7使晶片W在搁架单元U10的小室彼此之间升降。在处理区块5内的接口区块6侧设置有搁架单元U11。搁架单元U11被分为在上下方向上排列的多个小室。接口区块6在其与曝光装置3之间进行晶片W的交接。例如接口区块6内置有交接臂A8，并与曝光装置3连接。交接臂A8将配置于搁架单元U11的晶片W交送到曝光装置3，从曝光装置3接收晶片W并将其送回搁架单元U11。控制部100例如控制涂敷显影装置2以按以下的流程实施涂敷显影处理。首先，控制部100控制交接臂A1以将承载器C内的晶片W输送本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种涂敷处理方法，其特征在于，包括：/n一边对基片的正面的中心供给成膜液，一边使所述基片以第一转速旋转，在被供给到所述基片的正面的成膜液到达所述基片的外周之前停止供给所述成膜液的步骤；/n在停止供给所述成膜液之后，使所述基片以第二转速继续旋转的步骤；和/n在对所述基片进行供给的供给期间将气液混合的冷却流体供给到所述基片的背面的外周部分的步骤，其中，对所述基片进行供给的供给期间包含停止供给所述成膜液之后直至所述基片的所述第二转速的旋转完成为止的期间的至少一部分。/n

【技术特征摘要】
20190913 JP 2019-1674571.一种涂敷处理方法，其特征在于，包括：
一边对基片的正面的中心供给成膜液，一边使所述基片以第一转速旋转，在被供给到所述基片的正面的成膜液到达所述基片的外周之前停止供给所述成膜液的步骤；
在停止供给所述成膜液之后，使所述基片以第二转速继续旋转的步骤；和
在对所述基片进行供给的供给期间将气液混合的冷却流体供给到所述基片的背面的外周部分的步骤，其中，对所述基片进行供给的供给期间包含停止供给所述成膜液之后直至所述基片的所述第二转速的旋转完成为止的期间的至少一部分。


2.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于：
在停止供给所述成膜液之后开始供给所述冷却流体。


3.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于：
在所述基片停止旋转之前停止供给所述冷却流体。


4.如权利要求1所述的涂敷处理方法，其特征在于：
所述冷却流体包含有机溶剂。


5.如权利要求4所述的涂敷处理方法，其特征在于：
所述冷却流体由具有与IPA相同或其以上的挥发性的溶剂以及气体构成。


6.如权利要求1～5中任一项所述的涂敷处理方法，其特征在于：
沿以随着接近所述基片的背面而接近所述基片的外周的方式倾斜的路径，对所述基片的背面的外周部分供给所述冷却流体。


7.如权利要求1～5中任一项所述的涂敷处理方法，其特征在于：
还包括如下步骤：至少在将所述冷却流体供给到所述基片的背面的外周部分时，将所述基片的收纳空间的气体从比所述基片的背面靠下方的排气口排出的步骤，
以比从所述排气口排出所述气体的排气量小的流量将所述冷却流体供给到所述基片的背面的外周部分。


8.如权利要求1～5中任一项所述的涂敷处理方法，其特征在于：
对所述基片的正面的中心供给所述成膜液的处理，包括从所述成膜液的供给源依次经由节流部和阀对朝向所述基片的正面的中心开口的喷嘴供给所述成膜液的处理。


9.如权利要求1～5中任一项所述的涂敷处理方法，其特征在于：
还包括如下步骤：改变所述第一转速和对样品基片进行供给的供给期间的组合反复进行样品制作和样品测量，直至所述样品基片中的所述膜厚的离差成为规定水平以下，
其中，所述样品制作包括：
一边对所述样品基片的正面的中心供给所述成膜液一边使所述样品基片以第一转速旋转，在被供给到所述样品基片的正面的所述成膜液到达所述样品基片的外周之前停止对所述样品基片供给所述成膜液的处理；
在停止对所述样品基片供给所述成膜液之后，使所述样品基片以第二转速继续旋转的处理；和
在所述对样品基片进行供给的供给期间将所述冷却流体供给到所述样品基片的背面的外周部分的处理，其中所述对样品基片进行供给的供给期间包含停止对所述样品基片供给所述成膜液之后直至所述样品基片的所述第二转速的旋转完成为止的期间的至少一部分，
所述样品测量，测量通过所述样品制作而形成于所述样品基片的正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本祐作，川北直史，柴田大树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP