本发明的半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、第2层叠工序、第3层叠工序、第1退火工序和第4层叠工序。在第1层叠工序中，在基材上层叠第1电极膜。在第2层叠工序中，在第1电极膜上层叠电容绝缘物。在第3层叠工序中，在电容绝缘物上层叠金属氧化...

本公开涉及温度测量系统和温度测量方法。对具有第一及与第一主表面相向的第二主表面的测定对象物的温度进行测量，具备：光源部，其产生输出光，所述输出光包括第一及第二波长范围，所述输出光透过测定对象物；测定部，其测定来自第一及第二主表面的反射光...

本实用新型涉及一种加热处理装置。抑制在对基板进行加热时产生的升华物所带来的不良影响。一种加热处理装置，其在处理容器内对形成有涂布膜的基板进行加热，该加热处理装置具有：载置部，其设于所述处理容器内，用于载置所述基板；加热部，其用于对载置于...

针对在真空气氛下对基板进行处理的真空处理装置，防止装置的占用空间的增加。在利用处理模块使基板以俯视时左右并列的方式配置而进行成批处理从而谋求高生产率化时，对于加载互锁模块，也与处理模块同样地，构成为使基板以俯视时左右并列的方式配置。并且...

一种半导体器件包括：具有基本平坦表面的衬底；第一逻辑门，该第一逻辑门设置在该衬底上并且包括具有第一沟道和第一对源极

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置高精度地控制旋转的基板的温度。基板处理装置包括：旋转台，其保持基板；旋转驱动部，其使所述旋转台绕旋转轴线旋转；至少一个电加热器，其设于所述旋转台；至少一个受电线圈，其设于所述旋转台，与所述电加热...

本发明提供在进行批处理的基片处理装置中，能够抑制排液管路的堵塞的基片处理装置和装置清洗方法。本发明的基片处理装置包括：处理槽、承液部、承液部排出管、贮存部、第一液供给管、第二液供给管、释放管、第一液流量调节部和第二液流量调节部。承液部承...

本发明提供一种基片处理装置，其在一个方面包括：收纳基片的处理室；能够保持基片并使之旋转的旋转保持部；对旋转保持部所保持的基片的表面供给处理液的处理液供给部；排气部，其从设置于比旋转保持部所保持的基片的外周靠外侧的位置的排气口，将处理室内...

本发明提供能够选择性地更换构成边缘环的两个环中的一者或两者的基片处理系统和更换边缘环的方法。例示的实施方式的基片处理系统包括处理单元、输送臂和更换单元。在处理单元中利用至少一个升降机构将边缘环从基片支承器升起。边缘环包括第一环和第二环。...

本发明提供一种基片处理装置，其包括处理槽、贮存部、承液部、贮存部排出管和承液部排出管。处理槽能够收纳多个基片且贮存处理液。贮存部与处理槽连接，贮存从处理槽排出的处理液。承液部承接从处理槽洒出的处理液。贮存部排出管将贮存于贮存部中的液体排...

本发明提供高效地回收升华物并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的一个方面的热处理装置包括：对形成有覆膜的基片实施热处理的热处理单元；和控制热处理单元的控制单元。上述热处理单元包括：支承并加热...

本发明提供一种成膜装置、控制装置以及压力计的调整方法，能够自动地执行压力计的零点调整。本公开的一个方式的成膜装置具备能够被减压的处理容器、检测所述处理容器内的压力的压力计以及控制部，其中，所述控制部构成为，重复进行包括调整所述压力计的零...

本发明中公开的等离子体处理装置的基板支撑器具有保持边缘环的静电卡盘。静电卡盘包括第1电极及第2电极。对基板执行第1等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定彼此相同的电位及彼此不同的电位中的一种电位。对基板执行第2等离子体处理期间，在第...

本发明提供部件、部件的制造方法和基片处理装置，能够提高覆盖含硅的铝材的氧化膜的均匀性。所提供的部件是用于基片处理装置的部件，上述部件由含硅的铝形成，硅粒径为1μm以下。下。下。

本发明提供一种细胞的基因组异常评价方法，无需评价的专业性，简便且迅速并且为非侵袭性的。基因组异常评价方法将在培养基中经培养的多能干细胞或由多能干细胞进行分化诱导而得的细胞作为被检验细胞，评价所述被检验细胞是否有基因组异常，且所述方法包括...

本发明载置台包括：基片载置部件，其具有载置被处理基片的载置面；支承基片载置部件的支承部件；致冷剂流路，其在支承部件的内部沿载置面形成，在与配置于载置面侧的顶面相反一侧的底面设置有致冷剂的导入口；以及隔热部件，其至少具有覆盖顶面中的与导入...

提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将...

在基板的面内快速形成膜厚均匀性高的涂布膜。实施以下工序：保持工序，由基板保持部保持基板；气流形成工序，对所述基板的周围进行排气来在该基板的表面形成气流；涂布液供给工序，向所述基板的表面供给用于形成涂布膜的涂布液；气流控制工序，使用于覆盖...

本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供能够使基板处理系统小型化的技术。基板处理系统具有：送入送出部，其用于送入送出收纳多片所述基板的盒；批量处理部，其成批地处理包含多片基板的批次；单片处理部，其逐片处理所述批次的所述基板；以及接口部...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置和基板处理方法能够确保随着基板的大型化而同样大型化的、保护基板的边缘部的保护框的刚性，并且能够实现面内均匀的成膜。一种在处理容器内对基板进行处理的基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：...