载置台和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术载置台包括：基片载置部件，其具有载置被处理基片的载置面；支承基片载置部件的支承部件；致冷剂流路，其在支承部件的内部沿载置面形成，在与配置于载置面侧的顶面相反一侧的底面设置有致冷剂的导入口；以及隔热部件，其至少具有覆盖顶面中的与导入口相对的部分的第一面状部和覆盖致冷剂流路弯曲的部分的内侧面的第二面状部。的内侧面的第二面状部。的内侧面的第二面状部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】载置台和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及载置台和基片处理装置。

技术介绍

[0002]一直以来，已知对半导体晶片等被处理基片进行等离子体处理等基片处理的基片处理装置。在这样的基片处理装置中，为了进行被处理基片的温度控制，沿载置被处理基片的载置面在载置台的内部形成致冷剂流路。致冷剂流路的顶面配置在载置台的载置面侧，在致冷剂流路的与顶面相反一侧的底面，设置致冷剂的导入口。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
195047号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种能够提高载置被处理基片的载置面的温度的均匀性的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的载置台包括：基片载置部件，其具有载置被处理基片的载置面；支承上述基片载置部件的支承部件；致冷剂流路，其在上述支承部件的内部沿上述载置面形成，在与配置于上述载置面侧的顶面相反一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种载置台，其特征在于，包括：基片载置部件，其具有载置被处理基片的载置面；支承所述基片载置部件的支承部件；致冷剂流路，其在所述支承部件的内部沿所述载置面形成，在与配置于所述载置面侧的顶面相反一侧的底面设置有致冷剂的导入口；以及隔热部件，其至少具有覆盖所述顶面中的与所述导入口相对的部分的第一面状部和覆盖所述致冷剂流路弯曲的部分的内侧面的第二面状部。2.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：在所述第一面状部和所述第二面状部中的至少任一面状部形成槽。3.如权利要求1或2所述的载置台，其特征在于：所述隔热部件还具有主体部，该主体部可拆装地安装在所述致冷剂流路的所述导入口并与所述第一面状部连接。4.一种载置台，其特征在于，包括：基片载...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏崎真克，石田寿文，佐佐木良，加藤武宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：