涂布膜形成方法以及涂布膜形成装置制造方法及图纸

在基板的面内快速形成膜厚均匀性高的涂布膜。实施以下工序：保持工序，由基板保持部保持基板；气流形成工序，对所述基板的周围进行排气来在该基板的表面形成气流；涂布液供给工序，向所述基板的表面供给用于形成涂布膜的涂布液；气流控制工序，使用于覆盖所述基板的覆盖构件相对于被供给了所述涂布液的基板从第一位置向第二位置相对移动，在该第二位置处的覆盖构件与以第一转数旋转的所述基板的表面之间形成的间隙，以流速比覆盖构件位于所述第一位置时的流速大的方式形成所述气流；以及膜厚分布调整工序，接着使所述基板以比所述第一转数高的第二转数进行旋转，以甩落所述基板的周缘部的涂布液来调整所述涂布膜的膜厚分布。周缘部的涂布液来调整所述涂布膜的膜厚分布。周缘部的涂布液来调整所述涂布膜的膜厚分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】涂布膜形成方法以及涂布膜形成装置


[0001]本公开涉及一种涂布膜形成方法以及涂布膜形成装置。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工序中，对作为圆形基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)涂布抗蚀剂等各种涂布液来进行成膜处理。在专利文献1中记载了以下内容：在使涂布于晶圆的抗蚀剂干燥时，在该晶圆上配置沿着晶圆的圆周的环状构件，来对该晶圆上的气流进行整流。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
92392号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够在基板的面内快速形成膜厚均匀性高的涂布膜的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本专利技术的涂布膜形成装置中，执行以下工序：
[0010]保持工序，由基板保持部保持基板；
[0011]气流形成工序，对所述基板的周围进行排气来在该基板的表面形成气流；
[0012]涂布液供给工序，向所述基板表面供给本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种涂布膜形成方法，其包括以下工序：保持工序，由基板保持部保持基板；气流形成工序，对所述基板的周围进行排气来在该基板的表面形成气流；涂布液供给工序，向所述基板的表面供给用于形成涂布膜的涂布液；气流控制工序，使用于覆盖所述基板的覆盖构件相对于被供给了所述涂布液的基板从第一位置向第二位置相对移动，在该第二位置处的覆盖构件与以第一转数旋转的所述基板的表面之间形成的间隙，以流速比覆盖构件位于所述第一位置时的流速大的方式形成所述气流；以及膜厚分布调整工序，接着使所述基板以比所述第一转数高的第二转数进行旋转，以甩落所述基板的周缘部的涂布液来调整所述涂布膜的膜厚分布。2.根据权利要求1所述的涂布膜形成方法，其特征在于，所述气流控制工序包含以下工序：以使所述基板的周缘部处的所述涂布膜的干燥比相较于该周缘部更靠近基板的中心部处的涂布膜的干燥慢的方式形成所述气流。3.根据权利要求1所述的涂布膜形成方法，其特征在于，所述覆盖构件为沿着所述基板的圆周形成的环状构件。4.根据权利要求1所述的涂布膜形成方法，其特征在于，所述涂布液供给工序包含以下工序：使基板以比所述第一转数大的第三转数进行旋转，以使供给到所述基板的中心部的所述涂布液遍及到该基板的周缘部。5.根据权利要求1所述的涂布膜形成方法，其特征在于，所述膜厚分布调整工序在所述基板的表面与所述覆盖构件之间形成的间隙比所述气流控制工序中的所述间隙的大小更大、或者使所述覆盖构件从所述基板上退避的状态下进行。6.根据权利要求1所述的涂布膜形成方法，其特征在于，所述第一转数为10rpm～500rpm。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：稻叶翔吾，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：