半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、第2层叠工序、第3层叠工序、第1退火工序和第4层叠工序。在第1层叠工序中，在基材上层叠第1电极膜。在第2层叠工序中，在第1电极膜上层叠电容绝缘物。在第3层叠工序中，在电容绝缘物上层叠金属氧化物。在第1退火工序中，对层叠于基材上的第1电极膜、电容绝缘物和金属氧化物进行退火。在第4层叠工序中，在进行了退火的金属氧化物上层叠第2电极膜。此外，电容绝缘物是包含锆和铪中的至少任一者的氧化物，金属氧化物是含有钨、钼和钒中的至少任一金属的氧化物。化物。化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术的各种方面和实施方式涉及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]下述的专利文献1～7中，记载有包含电容器的半导体装置的制造方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
229680号公报
[0006]专利文献2：日本特开2014
‑
044993号公报
[0007]专利文献3：日本特开2013
‑
058559号公报
[0008]专利文献4：日本特开2012
‑
248813号公报
[0009]专利文献5：日本特开2012
‑
064631号公报
[0010]专利文献6：国际公开第2010/082605号
[0011]专利文献7：日本特开平05
‑
267567号公报

技术实现思路

[0012]专利技术要解决的技术问题
[0013]本专利技术提供一种能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在基材上层叠第1电极膜的第1层叠工序；在所述第1电极膜上层叠电容绝缘物的第2层叠工序；在所述电容绝缘物上层叠金属氧化物的第3层叠工序；对层叠于所述基材上的所述第1电极膜、所述电容绝缘物和所述金属氧化物进行退火的第1退火工序；以及在进行了退火的所述金属氧化物上层叠第2电极膜的第4层叠工序，所述电容绝缘物是包含锆和铪中的至少任一者的氧化物，所述金属氧化物是包含钨、钼和钒中的至少任一金属的氧化物。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述第1退火工序在非活性气氛下，且在420...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野有美子，中村源志，P，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：