学习装置、推断装置以及已学习模型制造方法及图纸

提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。输入层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】学习装置、推断装置以及已学习模型


[0001]本公开涉及一种学习装置、推断装置以及已学习模型。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1中提出了一种在一边变更参数一边重复执行蚀刻工艺的模拟时高效地估计物理量的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2016/132759号小册子

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够高效地进行半导体制造工艺的模拟的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本公开的一个方式，提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。2.根据权利要求1所述的学习装置，其中，所述计算部计算将模拟数据与所述XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定与气体有关的所述环境信息并将所述配件设为气体管道的形状来进行与气体的流动有关的半导体制造工艺的模拟所得到的结果。3.根据权利要求1或2所述的学习装置，其中，所述计算部计算将与所述晶圆表面平行且等间隔地散布的规定个数的XY坐标同该规定个数的XY坐标处的晶圆表面上的所述模拟数据进行了关联的规定个数的特征量。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的学习装置，其中，所述计算部参照针对半导体制造工艺的每个工序存储有模拟数据的存储部来针对每个工序计算规定个数的特征量，所述模拟数据是针对每个工序设定工艺条件并进行所述模拟所得到的结果。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的学习装置，其中，所述计算部重复以下处理：计算将模拟数据与所述XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是使用设置于所述处理容器的多个所述配件来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果，每当重复所述处理时，所述输入部将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的学习装置，其中，还具有处理部，该处理部将被输入至所述输入层的所述规定个数...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本康介，福留誉司，板桥贤，伏见直茂，松崎和爱，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：