提供一种对有机膜的蚀刻形状不良进行抑制的等离子体处理方法及等离子体处理装置。该等离子体处理方法通过在有机膜上由含硅膜形成且具有开口部的掩模，对所述有机膜进行蚀刻，该等离子体处理方法具有：对所述掩模的形状进行修复的工序，其中，对所述掩模的...

本发明的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包...

本发明的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括通过来自在腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含卤素元素及磷。

本发明提供监视用壳体将基片处理装置密闭、将上述密闭的空间用规定的气体气氛充满的密闭装置的监视系统，其包括：将上述壳体与上述基片处理装置之间的空间中的、人能够进入的区域作为检测区域的激光传感器；和控制装置，其基于上述激光传感器的检测结果对...

本发明提供一种等离子体处理系统、搬送方法以及处理系统。等离子体处理系统具备：工艺模块；传递模块，其与所述工艺模块连接；搬送装置，其设置于所述传递模块的内部，用于从所述传递模块向所述工艺模块搬送基板和聚焦环；以及位置检测传感器，其在通过所...

本发明提供一种拾取器、搬送装置以及等离子体处理系统。所述拾取器保持基板和聚焦环，所述拾取器具有多个突起部，所述多个突起部保持基板的外周缘部，所述多个突起部的上表面与聚焦环抵接。

本发明提供一种等离子体处理系统和处理系统。等离子体处理系统具备等离子体处理装置、搬送装置以及控制装置，所述等离子体处理装置具有：处理室；载置台，其设置于所述处理室的内部，用于载置基板；以及聚焦环，其以包围所述基板的周围的方式载置于所述载...

本发明提供一种气体供给方法和基片处理装置。气体供给方法具有：在要处理基片时，关闭第二阀，并打开第一阀，对位于气体流量控制装置的二次侧的气体供给配管、分支配管和气体分流比控制单元供给气体的步骤；用压力传感器来检测气体流量控制装置的二次侧的...

本发明提供能够抑制在等离子体生成部沉积膜的等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明的一个方式的等离子体处理装置包括：具有长度方向的处理容器；对上述处理容器内供给原料气体的原料气体供给部；等离子体分隔壁，其沿上述处理容器的长度方向设置，...

本发明提供一种气体供给系统、基板处理装置和气体供给系统的控制方法，抑制吹扫气体向配管的上游侧的逆流。气体供给系统具有：配管，其供基板处理所使用的处理气体流通；吹扫气体导入管，其与配管连接并且向配管导入吹扫气体；第1阀，其设于配管的比与吹...

本实用新型提供一种涂敷、显影装置。针对涂敷、显影装置简化装置结构。本实用新型的涂敷、显影装置具备层叠起来的6个以上的处理模块。6个以上的处理模块包括在层叠方向上相邻的两个第1处理模块、两个第3处理模块以及两个第2处理模块。两个第1处理模...

氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的...

本发明提供一种具有制冷剂用的流路的部件，其包括：形成有上述流路的基座；和设置在上述流路内的能够升降可能或旋转的突起状部件。由此，不进行设计变更，就能够进行用于实现基片温度的均匀性的修正。

本发明的目的是提供一种使等离子体处理的均匀性提高的等离子体处理装置。该等离子体处理装置利用用于生成等离子体的高频电力来将供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：台，其以第一电极与第二电极分离的方式形...

本实用新型提供液处理装置。针对向基板供给涂敷液而形成涂敷膜的液处理装置，获得高生产率且省空间。构成如下装置，其具备：第1喷嘴，其在基板之上的各第1喷出位置向该基板喷出第1处理液，以各基板保持部为单位设置；第2喷嘴，其在各基板之上的第2喷...

本发明涉及基板加热装置。提高在基板加热装置加热了基板时形成在基板上的膜的膜厚的均匀性。基板加热装置用于在壳体内加热基板，在所述壳体内并列设置有载置基板并对其进行加热的加热板和载置基板并对其进行冷却的冷却板，该基板加热装置具有：气体喷嘴，...

本发明提供一种基片处理装置，其包括：将保持基片的旋转台旋转驱动的机构；电加热器，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，对载置于旋转台上的基片进行加热；受电电极，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，且与电加热器电连接；供电电极，其通...

提供一种对吸附力的降低进行抑制的吸附方法、载置台及等离子体处理装置。该吸附方法用于在具有静电卡盘的载置台上对被吸附物进行吸附，所述被吸附物为基板或边缘环之中的至少一者，该吸附方法包括：在所述静电卡盘上放置所述被吸附物的步骤；以及向所述静...

本发明提供一种批量形成机构和基板处理装置，其形成与工艺条件、硬件条件相应的批量。本公开的一形态的批量形成机构具备接收部、间距转换部以及保持部。接收部以能够在垂直方向上移动的方式配置，从输送机构接收以预定的间距排列的多张基板。间距转换部用...

本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。对使用了相控阵天线的局部等离子体进行控制。作为利用相控阵天线的扫描型的等离子体处理装置的控制方法，具有以下工序：从设置于处理容器的多个部位的观察窗对在所述处理容器的内部生成的等离子体的发光进行观...