蚀刻方法及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含卤素元素及磷。在工序(b)中，在掩模的表面上形成碳与磷的键合。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法及等离子体处理装置
本专利技术的示例性实施方式涉及一种蚀刻方法及等离子体处理装置。
技术介绍
在电子设备的制造中，对基板的含硅膜进行等离子体蚀刻。在对含硅膜进行等离子体蚀刻时，使用包含氟碳化物气体的处理气体。在美国专利申请公开第2016/0343580号说明书中记载有这种等离子体蚀刻。
技术实现思路
本专利技术提供一种在对含硅膜进行等离子体蚀刻时保护基板的技术。在一示例性实施方式中，提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含卤素元素及磷。在工序(b)中，在掩模的表面上形成碳与磷的键合。根据一示例性实施方式，变得能够在对含硅膜进行等离子体蚀刻时保护基板。附图说明图1是一示例性实施方式的蚀刻方法的流程图。图2是可以适用图1所示的蚀刻方法的一例基板的局部放大剖视图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其包括：/n工序(a)，该工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板，其中，该基板包括含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模，该掩模含有碳；及/n工序(b)，该工序(b)通过来自在所述腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对所述含硅膜进行蚀刻，其中，所述处理气体包含卤素元素及磷，/n在所述(b)中，在所述掩模的表面上形成碳与磷的键合。/n

【技术特征摘要】
20191108 JP 2019-203326;20200903 JP 2020-1482141.一种蚀刻方法，其包括：
工序(a)，该工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板，其中，该基板包括含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模，该掩模含有碳；及
工序(b)，该工序(b)通过来自在所述腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对所述含硅膜进行蚀刻，其中，所述处理气体包含卤素元素及磷，
在所述(b)中，在所述掩模的表面上形成碳与磷的键合。


2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述含硅膜包括硅氧化膜。


3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，所述含硅膜还包括硅氮化膜、多晶硅膜、含碳硅膜及低介电常数膜中的至少一个。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述掩模包括在所述含硅膜上该掩模相对于由该掩模划分的开口所占的比例高的部分和该比例低的部分。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述掩模具有线和空间图案。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻方法，其还包括工序(c)，该工序(c)在对所述(b)中通过蚀刻而形成的开口进行划分的侧壁面上形成保护膜，
所述保护膜包含所述处理气体中所包含的磷。


7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，所述(b)和所述(c)同时进行。


8.根据权利要求6或7所述的蚀刻方法，其中，所述保护膜包含磷与氧的键合和/或磷与硅的键合。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述处理气体包含含氟气体及含磷气体。


10.根据权利要求1至9中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述处理气体包含PF3、PCl3、PF5，PCl5，POCl3、PH3、PBr3及PBr5中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山乔大，户村幕树，木原嘉英，大内田聪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP