本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括...

本发明的课题在于：稳定地控制处理装置内的状态。解决课题的方法在于：控制系统具有决定部、模拟部、第一控制信号生成部、第二控制信号生成部、第一调整部和第二调整部。决定部基于方案决定模型和控制算法。模拟部利用模型模拟处理装置的状态。第一控制信...

基板处理装置具有基板处理部和控制部。基板处理部具有加载埠，该加载埠构成为配置收容有至少一个基板的基板收容容器。基板处理部构成为从配置于加载埠的基板收容容器取出基板，并且对该基板实施一系列的处理。控制部构成为控制配置于加载埠的基板收容容器...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，是抑制微粒向基板的附着的技术。基板处理方法包括以下工序：将从气体供给部向基板与吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比第一压力低的第二压力；将向吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比第一电压...

本发明提供不进行大气开放而高精度地计测处理容器内的状态的计测装置、计测方法和真空处理装置。计测装置包括：壳体，其形成有具有与真空处理装置的第二出入口对应的尺寸的开口部，能够在第二出入口气密地安装开口部，其中，真空处理装置在处理容器设置有...

本发明提供能够提高基片的电路图案的精度的基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括输送机构、改性装置和显影装置。输送机构平流地输送抗蚀剂膜的一部分被曝光了的基片。改性装置对由输送机构输送的基片进行抗蚀剂膜的改性处理。显影装置...

本发明的目的在于提供高精度地蚀刻基片的基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括温度检测部、计算部和执行部。温度检测部检测被供给了处理液的基片的温度。计算部使用给定的计算式计算基于由温度检测部检测到的温度的基片的蚀刻量。执行...

本发明提供对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置。一个例示的实施方式的方法包括通过供给前体气体来在基片上形成前体层的步骤。基片具有膜，提供开口。方法还包括用来自从处理气体形成的等离子体的化学种来蚀刻膜的步骤。在蚀刻膜的步骤中，开口的深度增...

提供一种能够执行高精度的异常检测处理的异常检测装置、异常检测方法及记录介质。该异常检测装置包括：取得部，取得在制造工艺的预定处理单元中伴随对象物的处理而测定出的时间序列数据组；以及学习部，包括对所取得的所述时间序列数据组进行处理的多个网...

本发明提供能够抑制颗粒对晶片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：将基片保持为水平的保持部；使上述基片与上述保持部一起绕铅垂轴旋转的基片旋转部；对由上述保持部保持的上述基片的上表面供给流体的喷嘴；对上述喷嘴供给上述流体的...

本发明提供一种从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容小的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，在腔室主体内设置有静电卡盘和下部电极。下部电极经由导体管而与高频电源电连接。在静电卡盘内设置...

本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置，用于抑制对载置台的损伤，并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物。清洁方法为等离子体处理装置中的载置台的清洁方法，包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中，使用升降机构来使载置台与基板...

提供一种夹具，其用于提高发光强度的分析精确度。该夹具包括：基座；多个光源，设置在所述基座上，并且发射不同波长的光；控制部，设置在所述基座上，并且基于给定的程序点亮或熄灭所述多个光源；以及电力供给部，设置在所述基座上，并且向所述多个光源和...

提供一种利用了在制造工艺中伴随对象物的处理而测定出的时间序列数据组的预测装置、预测方法及记录介质。该预测装置包括：取得部，取得在制造工艺的预定处理单元中伴随对象物的处理而测定出的时间序列数据组、和对该对象物进行处理时取得的装置状态信息；...

基板处理装置具有：保持部，其保持将第一基板与第二基板接合而成的重合基板；第一检测部，其检测所述第一基板的外侧端部；第二检测部，其检测所述第一基板与第二基板进行了接合的接合区域同该接合区域的外侧的未接合区域之间的边界；以及周缘去除部，其针...

本发明提供能够降低载置被检查体的载置台和被检查体之间的接触热阻的载置台和检查装置。提供如下载置台：该载置台载置具有电子器件的被检查体，以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子，其中，该载置台包括：第1冷却板，其形成有第...

所公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、电气路径及测定器。基板支承器设置于腔室内。电气路径与搭载在基板支承器上的边缘环连接或电容耦合。测定器构成为通过经由电气路径向搭载在基板支承器上的边缘环施加电压来测定电气特征值。通过测定器所测...

本发明提供一种清洁用的制程制作方法和清洁方法，用于高效地将附着于腔室内的沉积物去除。清洁用的制程制作方法包括蚀刻工序、测定工序以及制作工序。在蚀刻工序中，按预先决定的多个温度和多个压力的每个组合，使用被供给至腔室内的清洁气体对层叠在被搬...

本发明提供等离子体处理装置和气体导入方法。自腔室的侧壁向等离子体处理空间以不同的角度导入气体。该等离子体处理装置包括：腔室，具有侧壁和由所述侧壁包围的等离子体处理空间；第1侧部气体导入管线和第2侧部气体导入管线，构成为自所述侧壁向所述等...

本发明涉及等离子体处理装置。提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：载置台，其用于载置基板；腔室，其收纳所述载置台；气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔...