清洁用的制程制作方法和清洁方法技术

本发明专利技术提供一种清洁用的制程制作方法和清洁方法，用于高效地将附着于腔室内的沉积物去除。清洁用的制程制作方法包括蚀刻工序、测定工序以及制作工序。在蚀刻工序中，按预先决定的多个温度和多个压力的每个组合，使用被供给至腔室内的清洁气体对层叠在被搬入腔室内的试验基板上的金属化合物进行蚀刻。在测定工序中，按温度和压力的每个组合来测定金属化合物的蚀刻速率。在制作工序中，基于按温度和压力的每个组合测定出的金属化合物的蚀刻速率，来制作包括使蚀刻速率成为预先决定的蚀刻速率以上的温度和压力的组合的清洁用的制程。

【技术实现步骤摘要】
清洁用的制程制作方法和清洁方法
本公开的各个方面和实施方式涉及一种清洁用的制程制作方法和清洁方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，使被供给至腔室内的处理气体等离子体化，从而通过等离子体中包含的自由基、离子等对基板实施成膜、蚀刻等各种处理。在成膜、蚀刻中，由于处理气体中包含的元素与基板中包含的元素发生反应等而产生反应副产物(所谓的沉积物)并且附着于腔室的内壁等。当附着于腔室的内壁等的沉积物的量变多时，有时从腔室的内壁剥离的沉积物变成微粒并附着于基板而引起处理后的基板的特性劣化。另外，当附着于腔室的内壁等的沉积物的量变多时，腔室的内壁的电阻值发生变化，使得成膜、蚀刻等工艺的环境发生变动。由此，难以对基板实施期望的处理。已知用于避免该问题的以下技术：每当以规定时间进行蚀刻时，向腔室内供给清洁气体并使所供给的清洁气体在腔室内等离子体化，从而通过等离子体来将附着于腔室的内壁的沉积物去除。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-173301号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁用的制程制作方法，包括：/n蚀刻工序，按预先决定的多个温度和多个压力的每个组合，使用被供给至腔室内的清洁气体对层叠在被搬入所述腔室内的试验基板上的金属化合物进行蚀刻；/n测定工序，按所述温度和所述压力的每个组合来测定所述金属化合物的蚀刻速率；以及/n制作工序，基于按所述温度和所述压力的每个组合测定出的所述金属化合物的蚀刻速率，来制作包括使蚀刻速率成为预先决定的蚀刻速率以上的所述温度和所述压力的组合的清洁用的制程。/n

【技术特征摘要】
20191128 JP 2019-2156981.一种清洁用的制程制作方法，包括：
蚀刻工序，按预先决定的多个温度和多个压力的每个组合，使用被供给至腔室内的清洁气体对层叠在被搬入所述腔室内的试验基板上的金属化合物进行蚀刻；
测定工序，按所述温度和所述压力的每个组合来测定所述金属化合物的蚀刻速率；以及
制作工序，基于按所述温度和所述压力的每个组合测定出的所述金属化合物的蚀刻速率，来制作包括使蚀刻速率成为预先决定的蚀刻速率以上的所述温度和所述压力的组合的清洁用的制程。


2.根据权利要求1所述的清洁用的制程制作方法，其特征在于，
按预先决定的多个所述清洁气体和多个所述金属化合物的每个组合来执行所述蚀刻工序和所述测定工序，
在所述制作工序中，制作包括使蚀刻速率成为预先决定的蚀刻速率以上的所述清洁气体、所述金属化合物、所述温度以及所述压力的组合的制程。


3.根据权利要求1或2所述的清洁用的制程制作方法，其特征在于，
在5[mTorr]的蒸气压时，使所述金属化合物成为气体状态的温度为200[℃]以上。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的清洁用的制程制作方法，其特征在于，
所述金属化合物为包含从包括铪、锆、钴、铟、锡及锌的组中选择出的至少一方的化合物。

【专利技术属性】
技术研发人员：白泽大辅，佐藤直纪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP