等离子体处理装置和气体导入方法制造方法及图纸

技术编号:28628564 阅读:40 留言:0更新日期:2021-05-28 16:25
本发明专利技术提供等离子体处理装置和气体导入方法。自腔室的侧壁向等离子体处理空间以不同的角度导入气体。该等离子体处理装置包括:腔室,具有侧壁和由所述侧壁包围的等离子体处理空间;第1侧部气体导入管线和第2侧部气体导入管线,构成为自所述侧壁向所述等离子体处理空间导入气体,所述第1侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第1侧部气体喷射器,所述多个第1侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以第1方向导入气体,所述第2侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第2侧部气体喷射器,所述多个第2侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以与所述第1方向不同的第2方向导入气体。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和气体导入方法
本专利技术涉及等离子体处理装置和气体导入方法。
技术介绍
例如,专利文献1提案有一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置包括:电介质窗,其构成腔室的上部;气体供给部,其自腔室的上部向腔室内供给气体;天线,其设于腔室的上方且是所述气体供给部的周围,通过向所述腔室内供给高频从而在所述腔室内生成所述气体的等离子体;以及电力供给部,其向天线供给高频电力。在气体供给部的内部设有供向腔室供给的气体流通的流路。位于气体供给部的下部且自电介质窗的下表面向腔室内突出的突出部具有将气体向下方喷射的第1喷射口和将气体向横向或者斜下方喷射的第2喷射口。专利文献1:日本特开2019-67503号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能够自腔室的侧壁向等离子体处理空间以不同的角度导入气体的等离子体处理装置和气体导入方法。用于解决问题的方案根据本公开的一技术方案,提供一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置包括:腔室,其具有侧壁和由所述侧壁包围的等离子体处理空间;以及第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置,其中,/n该等离子体处理装置包括:/n腔室,其具有侧壁和由所述侧壁包围的等离子体处理空间;以及/n第1侧部气体导入管线和第2侧部气体导入管线,该第1侧部气体导入管线和第2侧部气体导入管线构成为自所述侧壁向所述等离子体处理空间导入气体,/n所述第1侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第1侧部气体喷射器,所述多个第1侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以第1方向导入气体,/n所述第2侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第2侧部气体喷射器,所述多个第2侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以与所述第1方向不同的第2方向导入气...

【技术特征摘要】
20191128 JP 2019-2152631.一种等离子体处理装置,其中,
该等离子体处理装置包括:
腔室,其具有侧壁和由所述侧壁包围的等离子体处理空间;以及
第1侧部气体导入管线和第2侧部气体导入管线,该第1侧部气体导入管线和第2侧部气体导入管线构成为自所述侧壁向所述等离子体处理空间导入气体,
所述第1侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第1侧部气体喷射器,所述多个第1侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以第1方向导入气体,
所述第2侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第2侧部气体喷射器,所述多个第2侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以与所述第1方向不同的第2方向导入气体。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其中,
所述第1方向为倾斜向上,
所述第2方向为倾斜向下。


3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置,其中,
该等离子体处理装置还具有基板支承部,该基板支承部配置于所述等离子体处理空间内,并构成为支承基板,
所述第2方向为朝向所述基板支承部的边缘区域的方向。


4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置,其中,
所述第1方向为相对于水平面向上45度的方向,
所述第2方向为相对于水平面向下45度的方向。


5.根据权利要求1~4中任一项所述的等离子体处理装置,其中,
第1侧部气体喷射器的数量与第2侧部气体喷射器的数量相同,所述多个第1侧部气体喷射器配置于与所述多个第2侧部气体喷射器不同的高度。


6.根据权利要求1~4中任一项所述的等离子体处理装置,其中,
第1侧部气体喷射器的数量与第2侧部气体喷射器的数量相同,所述多个第1侧部气体喷射器配置于与所述多个第2侧部气体喷射器相同的高度。


7.根据权利要求1~4中任一项所述的等离子体处理装置,其中,
所述多个第1侧部气体喷射器和所述多个第2侧部气体喷射器沿着所述侧壁的周向以交替的形态配置。


8.根据权利要求1~7中任一项所述的等离子体处理装置,其中,
该等离子体处理装置还具有气体供给部,该气体供给部与所述第1侧部气体导入管线和所述第2侧部气体导入管线流体连通,
所述气体供给部具有第1流量分配部,该第1流量分配部构成为控制针对所述第1侧部气体导入管线和所述第2侧部气体导入管线的气体供给比率。


9.根据权利要求1~7中任一项所述的等离子体处理装置,其中,
该等离子体处理装置具有气体供给部,该气体供给部与所述第1侧部气体导入管线和所述第2侧部气体导入管线流体连通,
所述气体供给部具有第1流量分配部,该第1流量分配部构成为将气体选择性地向所述第1侧部气体导入管线或者所述第2侧部气体导入管线导入。


10.根据权利要求8或9所述的等离子体处理装置,其中,
所述第1侧部气体导入管线具有与所述多个第1侧部气体喷射器分别对应的多个第1调节器,所述多个第1调节器分别连接在对应的第1侧部气体喷射器与所述第1流量分配部之间,构成为将进行了加压的气体自对应的第1侧部气体喷射器向所述等离子体处理空间导入,
所述第2侧部气体导入管线具有与所述多个第2侧部气体喷射器分别对应的多个第2调节器,所述多个第2调节器分别连接在对应的第2侧部气体喷射器与所述第1流量分配部之间,构成为将进行了加压的气体自对应的第2侧部气体喷射器向所述等离子体处理空间导入。

【专利技术属性】
技术研发人员:宇田真代鹤田学丰田启吾
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1