本公开涉及一种水蒸气处理装置及方法、基板处理系统以及干蚀刻方法。一种水蒸气处理装置，具有：上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室上下层叠；以及隔离件，其介于所述上腔室及所述下腔室与第一闸门之间，与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连，...

本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部...

本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法，用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有：等离子体处理装置，在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理；以及...

本发明提供成膜方法和成膜装置，能够降低在同一处理容器内对基片连续地反复进行多层膜的成膜的情况下处理容器内的清洁的频次。成膜方法是在同一处理容器内在基片形成包含不同的膜的多层膜的成膜方法，包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序、第5工...

本发明提供能够抑制天线之间的电磁耦合的阵列天线和等离子体处理装置。阵列天线对等离子体处理装置的腔室内辐射电磁波，包括：多个天线；和隔开间隔地配置于多个上述天线之间的多个防耦合元件，多个上述防耦合元件分别包括：在上述腔室内连接于构成接地面...

本发明提供处理基板的装置和处理基板的方法。在基板处理装置中，减小处理腔室的非加热状态和加热状态下的载物台与载物台周边构件之间的位置偏移。在将载物台周边构件设置于处理腔室时，利用配置在靠近基准位置的位置的第1定位销使载物台周边构件相对于处...

本发明涉及边缘环和基板处理装置。达成使用于等离子体处理的边缘环的更换频率的降低和在等离子体处理中的微粒的产生的抑制。边缘环具有第一上表面和第二上表面，第一上表面由碳化硅、碳化钨、氧化镁或者氧化钇形成，第二上表面形成于比第一上表面低的位置...

一种载置台的异物的检测方法以及检测装置，提供一种能够检测能够吸附被检查物的载置台的表面的异物的技术。包括：取得能够吸附被检查物的载置台的表面的基准状态下的第一图像中包含的第一图案的第一位置信息的步骤；取得上述第一图像的摄像后的上述表面的...

本发明提供能够调整气体的指向性的气体供给构造和基板处理装置。本公开的一形态的气体供给构造向基板处理装置的处理容器内供给气体，该气体供给构造具有：气体供给构件；以及气体喷出部，其形成于所述气体供给构件，该气体喷出部包括贯穿所述气体供给构件...

本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：靶保持件，其以靶朝向基板且靶沿水平面内的预定的方向延伸的方式在正面保持靶；磁体单元，其具有通过排列磁体而构成的磁体排列体，设于靶保持件的背面侧；一对遮蔽构件，其在被靶保持件保持的靶与基板之间...

本发明提供载置台和等离子体处理装置。能够用一个密封构件保护高度不同的多个粘接层。载置台具有第1载置部、第2载置部、第1粘接层、第2粘接层以及密封构件。第1载置部用于载置基板。第2载置部低于第1载置部，用于载置包围基板的周缘的边缘环。第1...

本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够使基板上的气体分布的控制性提高。等离子体处理装置具有腔室、天线组件、初级线圈、RF电源、气体喷头。腔室包括具有中央开口部的顶板，该腔室限定等离子体处理空间。天线组件配置于顶板的上方，...

所公开的蚀刻方法包括在基板上划分开口的侧壁表面上形成保护层的工序。保护层含有磷。蚀刻方法还包括在形成保护层的工序之后，为了增加开口的深度而对基板的膜进行蚀刻的工序。工序。工序。

公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源、偏置电源及控制部。偏置电源构成为周期性地将脉冲状的负极性的直流电压施加到基板支承器。控制部构成为控制高频电源。控制部为了降低来自高频电源的负载的反射波的功率电平，控制高频电源，以使在...

本公开涉及一种基板磨削系统。提供一种能够在洁净度较高的区域搭载多个清洗装置并且能够抑制由于搭载数的增加导致的设置面积的增加的技术。基板磨削系统包括送入送出部、清洗部和磨削部。送入送出部具有载置台、第1输送区域和第1输送装置。清洗部具有第...

本发明提供基片处理方法和基片处理系统。本发明的基片处理方法包括：对构成基片上的层叠膜的各层生成与该层相关的处理后的基片的拍摄图像的步骤；和对包含基片上的层叠膜的最表层的多个层的每一者，获取表示基于上述拍摄图像推算出的特征量的信息的步骤。...

本实用新型提供一种批量形成机构和基板处理装置，其形成与工艺条件、硬件条件相应的批量。本公开的一形态的批量形成机构具备接收部、间距转换部以及保持部。接收部以能够在垂直方向上移动的方式配置，从输送机构接收以预定的间距排列的多张基板。间距转换...

【技术问题】在使气体供给通路的下游侧分支来对处理容器供给气体时，能够以简单结构防止气体从气体供给通路泄露。【技术手段】一种气体供给装置，其包括：对处理容器内进行排气来形成真空气氛的排气机构；气体供给通路，其包括从气体供给源供给气体的上游...

一种基板处理装置，对基板进行处理，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中的所述第二基板；周缘去除部，在所述第一基板中的沿着作为去除对象的周缘部与所述第一基板的中央部之间的边界形成周缘改性层，该周...

本发明涉及载置台、基板处理装置以及导热气体供给方法。能够防止载置台的接合所使用的粘接剂的劣化。提供载置台，其具有：销贯穿路径，其构成为贯穿用于载置基板的载置台，供升降销贯穿；导热气体供给路径，其构成为贯穿所述载置台，用于向所述载置台的载...