专利查询
首页
专利评估
登录
注册
东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸
本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括提供的步骤、设定的步骤和蚀刻的步骤。提供的步骤将基片提供到载置台上,该基片具有包含硅氧化物膜的被蚀刻膜和形成在被蚀刻膜之上的掩模。设定的步骤,将载置台的温度设定为0℃以下的温度的步骤。蚀刻的...
膜形成方法和系统技术方案
本发明涉及膜形成方法和系统。[课题]提供可以形成低杂质浓度的薄膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜:向基板供给原料气体的工序;向前述基板供给与前述原料气体反应的反应气体的工序;和,将前...
膜形成方法和膜形成装置制造方法及图纸
本发明涉及膜形成方法和膜形成装置。[课题]提供可以形成大粒径的多晶硅膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法具备如下工序:在基底上形成依次层叠有界面层、主体层和表面层的层叠膜的工序;和,对前述层叠膜进行结晶处理的工序,前述主体层...
减压干燥装置和减压干燥方法制造方法及图纸
本发明提供一种能够减轻基板的面内的涂敷层的减压干燥速度的不均的减压干燥装置。本发明的减压干燥装置,包括:处理容器,其收纳形成有包含有机材料和溶剂的涂敷层的基板;在上述处理容器的内部从下方保持上述基板的基板保持部;与上述处理容器的排气口连...
基板处理装置制造方法及图纸
本实用新型涉及基板处理装置。在使收纳了基板的基板处理容器暂时待机的保管部保管比以往更多的基板收纳容器。用于处理基板的基板处理装置具有:基板收纳容器载置部,其在基板处理装置载置基板收纳容器,该基板收纳容器收纳要处理的基板;以及保管区域,其...
等离子体产生源的检查方法和负载技术
本发明提供一种等离子体产生源的检查方法和负载,能够进行特性检查。在一个例示性的实施方式中,提供一种等离子体产生源的检查方法。该方法包括以下工序:配置能够与等离子体产生源进行电容耦合和电感耦合的负载;以及一边向等离子体产生源提供基准信号,...
基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法,能够遍及基板的径向整体地抑制基板的损伤并对基板进行研磨。基板处理装置具备:保持部,其保持基板;旋转部,其使所述保持部旋转,来使所述基板与所述保持部一同旋转;液供给部,其向所述基板的主表面供给清洗...
成膜方法技术
本发明提供一种成膜方法,是能够控制膜厚的面内分布的技术。本公开的一个方式的成膜方法包括以下步骤:向处理容器内供给原料气体的步骤;向所述处理容器内供给与所述原料气体发生反应的反应气体的步骤;以及在供给所述原料气体的步骤之前执行的、在不供给...
基片处理方法和基片处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置所执行的基片处理方法包括步骤a、步骤b和步骤c。步骤a是提供具有被蚀刻膜和形成在该被蚀刻膜之上的掩模的基片的步骤。步骤b是在掩模的开口上部形成保护膜的步骤。步骤c是一边用保护膜抑制开...
基片处理方法和基片处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的步骤、形成保护膜的步骤和蚀刻的步骤。提供基片的步骤提供基片,该基片具有被蚀刻膜、形成于被蚀刻膜之上的第1掩模和以覆盖第1掩模的至少一部分的方式形成的第2掩模。形成保护膜...
液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质制造方法及图纸
本发明提供一种液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质。液处理装置的一例包括:构成为能够保持基片的基片保持部;构成为能够向基片的表面供给处理液的处理液供给部;构成为能够向基片的表面供给气体的气体供给部;控制部。气体供给部包括扩散喷...
形状特性值推算装置、形状特性值推算方法和存储介质制造方法及图纸
本发明涉及形状特性值推算装置、形状特性值推算方法和存储介质。形状特性值推算装置包括:获取处理后图像的处理后图像获取部,该处理后图像包括形成有对象膜的基片的表面的图像信息;对处理后图像应用用于推算对象膜的形状特性值的推算模型推算形状特性值...
用于使用自限制和溶解度受限反应的原子层湿法蚀刻的加工系统和平台技术方案
本文披露了一种用于在蚀刻期间改进材料的微观和宏观均匀性二者的加工系统和平台。这些改进可以通过使用原子层湿法蚀刻(ALE)技术在材料表面上形成和溶解薄的自限制层来完成。对于多晶材料的蚀刻,可以使用这些自限制反应来防止蚀刻期间表面的这种粗糙...
适形膜的逐层生长方法技术
本文的技术包括在包括半导体晶圆的衬底上形成适形膜的方法。常规的成膜技术可能是缓慢且昂贵的。本文的方法包括在该衬底上沉积自组装单层(SAM)膜。该SAM膜可以包括被配置为响应于预定刺激而产生酸的酸产生剂。在该SAM膜上沉积聚合物膜。该聚合...
使用自限制和溶解度受限反应的原子层湿法蚀刻制造技术
本文披露了一种用于在蚀刻期间改进材料的微观和宏观均匀性二者的加工系统和平台。这些改进可以通过使用原子层湿法蚀刻(ALE)技术在材料表面上形成和溶解薄的自限制层来完成。对于多晶材料的蚀刻,可以使用这些自限制反应来防止蚀刻期间表面的这种粗糙...
用于有机膜的平坦化的方法技术
本文的技术包括用于使在半导体器件的制造中使用的膜平坦化的方法。这种制造可以在衬底的表面上生成各结构,并且这些结构在该表面上可以具有空间可变的密度。本文的平坦化方法包括在这些结构和该衬底之上沉积第一酸不稳定性膜,该第一酸不稳定性膜填充在这...
图像处理方法以及图像处理装置制造方法及图纸
本发明涉及图像处理方法以及图像处理装置。是处理图像的图像处理方法,具有:(A)获取多个帧图像的步骤,该帧图像是通过对拍摄对象用一次荷电粒子线扫描而获得的;(B)根据多个上述帧图像按每个像素判定亮度的概率分布的步骤;以及(C)生成拍摄对象...
热处理装置制造方法及图纸
本发明提供热处理装置,其无论基板的翘曲的大小如何,都能够在面内均匀地进行对该基板的热处理。热处理装置,其对基板进行热处理,该热处理装置具有:热处理板,在其上表面载置基板,对被载置的该基板进行加热或冷却;以及变形自如的导热构件,至少其外周...
等离子体处理装置、基板处理装置以及滤波器装置制造方法及图纸
本发明提供一种等离子体处理装置、基板处理装置以及滤波器装置,能够减少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫。滤波器(102(1))具有空芯线圈(104(1))、外导体以及可动件(120(1)~120(4))。空芯线圈具有固定的口径和固定...
隔挡部件及基板处理装置制造方法及图纸
提供一种对隔挡部件的破损进行抑制的隔挡部件及基板处理装置。该隔挡部件包括:内圈部;外圈部,相对于所述内圈部设置在外侧;以及连接部,将所述内圈部与所述外圈部连接,其中,所述连接部具有:圆弧形状的开口,在径向和周向上布置有多个,并且在所述周...
首页
<<
120
121
122
123
124
125
126
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133944
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68155
中兴通讯股份有限公司
67282
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51642
最新更新发明人
罗门哈斯公司
1265
苏州双金实业有限公司
205
江苏百卓智能科技有限公司
5
深圳市蚂蚁零兽物联技术有限公司
5
上海沃振能源科技有限公司
1
广州品唯软件有限公司
668
广西职业技术学院
1218
浙江吉利控股集团有限公司
14712
中国科学院物理研究所
2785
中国移动通信有限公司研究院
7691