膜形成方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及膜形成方法和系统。[课题]提供可以形成低杂质浓度的薄膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜：向基板供给原料气体的工序；向前述基板供给与前述原料气体反应的反应气体的工序；和，将前述基板用重氢等离子体进行处理的工序。离子体进行处理的工序。离子体进行处理的工序。

【技术实现步骤摘要】
膜形成方法和系统


[0001]本公开涉及膜形成方法和系统。

技术介绍

[0002]公开了如下技术：通过在原子层沉积(ALD：AtoMic Layer Deposition)循环中导入氢等离子体，从而在低温下形成高应力的硅氮化膜(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2006
‑
278497号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供可以形成低杂质浓度的薄膜的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜：向基板供给原料气体的工序；向前述基板供给与前述原料气体反应的反应气体的工序；和，将前述基板用重氢等离子体进行处理的工序。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，可以形成低杂质浓度的薄膜。
附图说明
[0012]图1为示出第1实施方式的膜形成方法的流程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种膜形成方法，其通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜：向基板供给原料气体的工序；向所述基板供给与所述原料气体反应的反应气体的工序；和，将所述基板用重氢等离子体进行处理的工序。2.根据权利要求1所述的膜形成方法，其中，所述用重氢等离子体进行处理的工序在所述供给原料气体的工序后、且在供给所述反应气体的工序前执行。3.根据权利要求2所述的膜形成方法，其中，所述用重氢等离子体进行处理的工序在供给所述反应气体的工序后、且在所述供给原料气体的工序前执行。4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜形成方法，其中，还具备将所述基板用氢等离子体进行处理的工序，其在所述用重氢等离子体进行处理的工序前或工序后进行。5.根据权利要求4所述的膜形成方法，其中，所述用氢等离子体进行处理的工序在所述用重氢等离子体进行处理的工序前进行。6.根据权利要求4所述的膜形成方法，其中，所述用氢等离子体进行处理的工序在所述用重氢等离子体进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：户根川大和，金珍锡，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：