晶圆的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：(1)将待清洗的晶圆用第一清洗液进行清洗，所述第一清洗液为硫酸、氢氟酸和水的混合液；(2)将经步骤(1)清洗后的晶圆用水清洗；(3)将经步骤(2)清洗后的晶圆用第二清洗液中清洗，所述第二清洗液为氢氟酸、盐酸和水的混合液；(4)将经步骤(3)清洗后的晶圆用水清洗，干燥，结束清洗。本发明专利技术所述晶圆的清洗方法通过第一清洗液和第二清洗液的清洗，可以将晶圆表面的金属杂质和有机物清洗彻底，提高后续的加工性能。加工性能。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的清洗方法


[0001]本专利技术涉及一种零件的清洗方法，具体涉及一种晶圆的清洗方法。

技术介绍

[0002]在晶圆的生产中，其表面往往会沾染各种挥发物，形成杂质。特别是金属杂质的形成影响了晶圆的加工效果，严重的话对后续半导体的加工和使用造成不良的后果。目前采用的清洗方法均难以彻底清除进院表面的金属杂质和有机物。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种晶圆的清洗方法。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：
[0005](1)将待清洗的晶圆用第一清洗液进行清洗，所述第一清洗液为硫酸、氢氟酸和水的混合液；
[0006](2)将经步骤(1)清洗后的晶圆用水清洗；
[0007](3)将经步骤(2)清洗后的晶圆用第二清洗液中清洗，所述第二清洗液为氢氟酸、盐酸和水的混合液；
[0008](4)将经步骤(3)清洗后的晶圆用水清洗，干燥，结束清洗。
[0009]优选地，所述第一清洗液包含以下体积百分含量的组分：硫酸6～7％、氢氟酸5％和余量的水。
[0010]优选地，所述第二清洗液包含以下体积百分含量的组分：氢氟酸3～5％、盐酸10％和余量的水。
[0011]优选地，步骤(1)中，所述清洗为：将待清洗的晶圆置于25～30℃的第一清洗液中浸泡15～25min。
[0012]优选地，步骤(3)中，所述清洗为：将经步骤(2)清洗后的晶圆置于25～30℃的第二清洗液中浸泡20～30min。
[0013]优选地，步骤(2)和步骤(4)中，所述水为电阻率＞20MΩ
·
cm的超纯水。
[0014]优选地，步骤(2)中，所述用水清洗为：将经步骤(1)清洗后的晶圆置于75～85℃的水中20～40min。
[0015]优选地，步骤(4)中，所述用水清洗为：将经步骤(3)清洗后的晶圆置于75～85℃的水中20～40min。
[0016]本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供了一种晶圆的清洗方法，本专利技术所述晶圆的清洗方法通过第一清洗液和第二清洗液的清洗，可以将晶圆表面的金属杂质和有机物清洗彻底，提高后续的加工性能。
具体实施方式
[0017]为更好地说明本专利技术的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。
[0018]实施例1
[0019]本专利技术所述晶圆的清洗方法的一种实施例，本实施例所述晶圆的清洗方法包括以下步骤：
[0020](1)将待清洗的晶圆置于28℃的第一清洗液中浸泡20min；所述第一清洗液包含以下体积百分含量的组分：硫酸6％、氢氟酸5％和余量的水；
[0021](2)将经步骤(1)清洗后的晶圆置于80℃的电阻率＞20MΩ
·
cm的超纯水中30min；
[0022](3)将经步骤(2)清洗后的晶圆置于28℃的第二清洗液中浸泡25min，所述第二清洗液包含以下体积百分含量的组分：氢氟酸4％、盐酸10％和余量的水；
[0023](4)将经步骤(3)清洗后的晶圆置于80℃的电阻率＞20MΩ
·
cm的超纯水中30min，干燥，结束清洗。
[0024]实施例2
[0025]本专利技术所述晶圆的清洗方法的一种实施例，本实施例所述晶圆的清洗方法包括以下步骤：
[0026](1)将待清洗的晶圆置25℃的第一清洗液中浸泡25min；所述第一清洗液包含以下体积百分含量的组分：硫酸7％、氢氟酸5％和余量的水；
[0027](2)将经步骤(1)清洗后的晶圆置于85℃的电阻率＞20MΩ
·
cm的超纯水中20min；
[0028](3)将经步骤(2)清洗后的晶圆置于25℃的第二清洗液中浸泡30min，所述第二清洗液包含以下体积百分含量的组分：氢氟酸5％、盐酸10％和余量的水；
[0029](4)将经步骤(3)清洗后的晶圆置于85℃的电阻率＞20MΩ
·
cm的超纯水中20min，干燥，结束清洗。
[0030]实施例3
[0031]本专利技术所述晶圆的清洗方法的一种实施例，本实施例所述晶圆的清洗方法包括以下步骤：
[0032](1)将待清洗的晶圆置于30℃的第一清洗液中浸泡15min；所述第一清洗液包含以下体积百分含量的组分：硫酸6％、氢氟酸5％和余量的水；
[0033](2)将经步骤(1)清洗后的晶圆置于75℃的电阻率＞20MΩ
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cm的超纯水中40min；
[0034](3)将经步骤(2)清洗后的晶圆置于30℃的第二清洗液中浸泡20min，所述第二清洗液包含以下体积百分含量的组分：氢氟酸3％、盐酸10％和余量的水；
[0035](4)将经步骤(3)清洗后的晶圆置于75℃的电阻率＞20MΩ
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cm的超纯水中40min，干燥，结束清洗。
[0036]经本实施例1～3所述清洗方法清洗后能去除晶圆表面95％以上的金属杂质和有机物，降低了利用晶圆加工半导体的不合格率，提高了产品的性能。
[0037]最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非对本专利技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本专利技术作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的实质和范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将待清洗的晶圆用第一清洗液进行清洗，所述第一清洗液为硫酸、氢氟酸和水的混合液；(2)将经步骤(1)清洗后的晶圆用水清洗；(3)将经步骤(2)清洗后的晶圆用第二清洗液中清洗，所述第二清洗液为氢氟酸、盐酸和水的混合液；(4)将经步骤(3)清洗后的晶圆用水清洗，干燥，结束清洗。2.如权利要求1所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液包含以下体积百分含量的组分：硫酸6～7％、氢氟酸5％和余量的水。3.如权利要求1所述晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液包含以下体积百分含量的组分：氢氟酸3～5％、盐酸10％和余量的水。4.如权利要求1所述晶圆的清洗方法，其特征在于，步骤(1)中，所述清洗为：...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭忠华，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：