用于晶圆的快速退火工艺制造技术

本发明专利技术属于集成电路制造技术领域，尤其涉及晶圆的快速退火工艺。本发明专利技术提供的用于晶圆的快速退火工艺，在基础中快速退火工艺中的快速升温步骤前对硅片进行固相外延处理。重参杂离子造成晶格损伤，在离子布植接面形成非晶与单晶的界面，通过中低温短时间回火，界面下方的单晶体可作为非晶层再结晶的籽晶而完成固相外延流程，砷造成的晶格损伤会随着结晶大幅修复，同时因为此过程温度不会太高且时间相对较短，因此并不会影响其他轻参杂离子的扩散而造成接面变深。因此，本发明专利技术提供的工艺无需额外制程，成本投入，在已有工艺制程中引入新的方案，既能实现对重参杂离子造成的高晶格损坏修复，同时能兼顾保证所有离子高活化率以及形成浅接面。成浅接面。成浅接面。

【技术实现步骤摘要】
用于晶圆的快速退火工艺


[0001]本专利技术属于集成电路制造
，尤其涉及晶圆的快速退火工艺。

技术介绍

[0002]集成电路制造过程中，利用离子注入来添加参杂物控制电子或电洞，使实现增加或降低半导体导电能力的必要步骤。基于半导体元件尺寸的不断微缩，如图1所示，制造工艺需要更高剂量的离子参杂(如砷，硼等离子)并且用以满足低阻值的需求。而伴随而来的问题却是大量晶格损坏，尤其是重参杂离子如砷，相关的晶格损坏如果正好处于浅接面，将会严重影响漏电流甚至造成元件失效。
[0003]现有技术中，为了解决上述问题会采用传统炉管(FURNACE)退火和快速热退火(RTP)这两种技术方案。如图2所示，传统炉管退火可以完全修复晶格损伤并活化离子，但因为长时间的制程时间造成的高热预算，无法满足先进工艺浅接面的工艺需求。如图3所示，快速热退火在大约500度左右稳温20到30秒然后快速升温至超过1000度，在尖峰温度正负50度内停留时间小于1.5秒而形成高离子活化的浅接面。因为在稳温500度(温度低且时间短)以及尖峰温度(超过1000度)时间太短，砷离子植本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，在基础中快速退火工艺中的快速升温步骤前对硅片进行固相外延处理。2.根据权利要求1所述的用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1，加载经过离子注入处理的硅片；S2，固相外延处理；S3，快速升温；S4，退火冷却；S5，卸载晶圆。3.根据权利要求2所述的用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，步骤S1中，所述离子注入处理为重掺杂处理，所述离子为原子质量大于70的离子。4.根据权利要求3所述的用于晶圆的新型快速退火工艺，其特征在于，所述离子为砷离子、磷离子或硼离子。...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁文波，叶甜春，罗军，赵杰，王云，
申请(专利权)人：澳芯集成电路技术广东有限公司，
类型：发明
国别省市：