一种晶片退镀工艺方法技术

技术编号:28771003 阅读:28 留言:0更新日期:2021-06-09 10:58
本发明专利技术公开了一种晶片退镀工艺方法,包括:将晶片产品投入到退镀液中浸泡;将从退镀液取出的晶片产品表面的生成物清洗干净,并在清洗后返回将晶片产品投入到退镀液中浸泡的步骤,直至所有镂空退镀膜退镀干净为止;其中,晶片产品在退镀液中浸泡的时长总和小于任意一个镂空退镀膜边缘的保护油被咬噬的时间临界点。本发明专利技术将从退镀液取出的晶片产品表面的生成物清洗干净后,再将晶片产品投入到退镀液中浸泡,避免生成物覆盖增透膜,影响增透膜与退镀液接触反应,经过反复退镀和清洗,提高了退镀效率,缩短了整体退镀时间,以确保所有镂空增透膜都去除干净后,整体退镀时间仍未达到任意一个镂空增透膜边缘的保护油被咬噬的时间临界点,降低不良率。降低不良率。降低不良率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片退镀工艺方法


[0001]本专利技术涉及光学玻璃制程中退镀工艺
,更具体地说,涉及一种晶片退镀工艺方法。

技术介绍

[0002]在手机、手表以及相机等
,晶片具有广泛应用,例如,玻璃晶片、陶瓷晶片和蓝宝石晶片等。
[0003]对于一些光学晶片产品来说,通常具有形式各异的图案和/或文字等,以满足客户对时尚美观及个性化外观的需求。
[0004]在这些光学晶片产品的加工制造过程中,通常将晶片正面区域全部镀上增透膜,再将网版图案通过多次印刷保护油的方式呈印在增透膜上,以将所需增透膜的位置利用保护油覆盖保护起来,这样,未印有保护油的位置的增透膜则裸露在外,形成大小不一、形状各异的图案和/或文字等,最后,再利用化学药剂浸泡晶片,使裸露在外的增透膜被剥离掉,达到去除镂空部位增透膜的目的。
[0005]现有技术中,对晶片进行退镀的工艺流程为:将产品投入到预设温度的退镀药剂中浸泡一段时间,然后,将产品取出,再将产品投入到泡水槽内进行喷淋冲洗。
[0006]然而,由于退镀药剂为具有强腐蚀性的强酸强碱,其在剥离裸露本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片退镀工艺方法,其特征在于,包括:将晶片产品投入到退镀液中浸泡;将从所述退镀液取出的晶片产品表面的生成物清洗干净,并在清洗后返回所述将晶片产品投入到退镀液中浸泡的步骤,直至所有镂空退镀膜退镀干净为止;其中,晶片产品在所述退镀液中浸泡的时长总和小于任意一个镂空退镀膜边缘的保护油被咬噬的时间临界点。2.根据权利要求1所述的晶片退镀工艺方法,其特征在于,将从所述退镀液取出的晶片产品表面的生成物清洗干净,包括:利用毛刷和高压喷淋的方式将所述生成物清洗干净。3.根据权利要求2所述的晶片退镀工艺方法,其特征在于,利用毛刷和高压喷淋的方式将所述生成物清洗干净,包括:在向晶片产品表面喷射药水的同时,利用毛刷对晶片产品表面进行刷洗,其中,所述药水用于去除所述生成物。4.根据权利要求3所述的晶片退镀工艺方法,其特征在于,在所述的在向晶片产品表面喷射药水的同时,利用毛刷对晶片产品表面进行刷洗之后,还包括:在向晶片产品表面喷射纯水的同时,利用毛刷对晶片产品表面进行刷洗。5.根据权利要求4所述的晶片退镀工艺方法,其特征在于,在所述的在向晶片产品表面喷射纯水的同时,利用毛刷对晶片产品表面进行刷洗之后,还包括:采用纯水对晶片产品表面进行...

【专利技术属性】
技术研发人员:周群飞钟耀辉钟方权
申请(专利权)人:蓝思科技长沙有限公司
类型:发明
国别省市:

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