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本发明公开了一种晶片退镀工艺方法，包括：将晶片产品投入到退镀液中浸泡；将从退镀液取出的晶片产品表面的生成物清洗干净，并在清洗后返回将晶片产品投入到退镀液中浸泡的步骤，直至所有镂空退镀膜退镀干净为止；其中，晶片产品在退镀液中浸泡的时长总和小于...
该专利属于蓝思科技（长沙）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过蓝思科技（长沙）有限公司授权不得商用。

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