一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法技术

本发明专利技术涉及半导体的超精密加工技术领域，具体涉及一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法。一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法，包括以下步骤：(1)粗抛光：将硅晶圆衬底用粗抛光液进行化学机械抛光；所述粗抛光液由氧化铈、去离子水、分散剂和pH调配剂制备而成；(2)精抛光：将粗抛光后硅晶圆衬底用精抛光液进行化学机械抛光；所述精抛光液由氧化铈、去离子水和分散剂制备而成。本发明专利技术的抛光方法采用两步化学机械抛光方法，通过采用不同粒径的氧化铈抛光液及不同抛光垫和不同pH条件，控制抛光盘的压力大小和中心齿轮转速比，可有效提高硅晶圆衬底片抛光效率，而且抛光后的衬底片平均厚度差小，弯曲翘曲度低。弯曲翘曲度低。弯曲翘曲度低。

【技术实现步骤摘要】
一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法


[0001]本专利技术涉及半导体的超精密加工
，具体涉及一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法。

技术介绍

[0002]衬底材料在半导体产业中是一种重要的上游产品，其通常的制备方式是经过晶体生长得到晶锭，晶锭进行切割、研磨、机械抛光、化学机械抛光、清洗、封装，得到可以用于外延的开盒即用衬底片。外延工艺对于衬底片的要求包括表面无损伤无划痕，具有较低的厚度差和较小的弯曲翘曲度，具有较好的表面平整度。
[0003]在衬底材料的加工过程中，长时间的研磨抛光过程会给衬底片带来加工应力，使得其面型变差，弯曲翘曲度变大。特别是其中的化学机械抛光工序，该工序的作用是除去机械抛光工序带来的表面损伤，获得原子级别的表面粗糙度。但是一般的化学机械抛光工序需要时长4个小时以上，分三步化学机械抛光方法，粗抛、半精抛、精抛，较低的材料去除率使得抛光工艺的时间成本较高，且极大的增加了衬底片中的应力，使其面型很差，难以符合外延工艺要求。抛光过程中还需添加一定强酸、强碱、强氧化物等对操作者、操作环境危险有害的化学试剂，需要专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)粗抛光：将硅晶圆衬底用粗抛光液进行化学机械抛光，抛光后用去离子水和乙醇分别超声清洗10
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20min，吹干；所述粗抛光液由氧化铈、去离子水、分散剂和pH调配剂制备而成；(2)精抛光：将粗抛光后硅晶圆衬底用精抛光液进行化学机械抛光，抛光后用去离子水和乙醇分别超声清洗10
‑
20min，吹干；所述精抛光液由氧化铈、去离子水和分散剂制备而成。2.根据权利要求1所述的硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法，其特征在于，步骤(1)中抛光盘为合成纤维、无纺布或聚氨酯类结构的抛光盘；抛光压力为80
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130kg，抛光时间为10
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30min；抛光盘转速为40
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50rpm，中心齿轮转速比为0.1
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1.1；所述粗抛光液的pH值为7.5
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8.0，流速为50
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1000mL/min。3.根据权利要求1所述的硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法，其特征在于，步骤(1)中所述氧化铈的粒径为100
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200nm，氧化铈的重量百分比为3
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【专利技术属性】
技术研发人员：钱金龙，王堃，吴胜文，黄华翠，
申请(专利权)人：广西立之亿新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：