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本发明涉及半导体的超精密加工技术领域，具体涉及一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法。一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法，包括以下步骤：(1)粗抛光：将硅晶圆衬底用粗抛光液进行化学机械抛光；所述粗抛光液由氧化铈、去离子水、分散剂和pH调...
该专利属于广西立之亿新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广西立之亿新材料有限公司授权不得商用。

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