本发明提供能够抑制蚀刻过程中的电弧放电的发生的基片处理方法和基片处理装置。本发明是一种腔室中的基片处理方法，其中，腔室包括：载置基片的载置台；与载置台相对的上部电极；和用于对腔室内供给处理气体的气体供给口，该基片处理方法包含下述a)～d...

本发明提供一种基板处理方法、气流评价用基板以及基板处理装置，能够适当地测定基板的表面的气体的流动。基板处理方法包括以下工序：工序(a)，将在表面具有多个流量传感器的基板载置到设置于腔室的内部的载置台；工序(b)，向所述腔室的内部供给处理...

一种载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。期待能够在基板的边缘附近高效地产生等离子体的载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。在一个例示性的实施方式中，提供一种具有载置面的载置台。该载置台的特征在于，载置台具有厚度，包括埋...

本发明提供一种能够降低将供给到等离子体处理装置的电极的电功率从高频电功率的调制波和连续波中的一者切换至另一者后的来自负载的反射的技术。一个例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、高频电源、电极和匹配器。高频电源与电极电连接。匹配器连接...

本发明提供可获取表示对形成于硅晶片的电子器件的发热所引起的温度分布进行了模拟的温度分布的红外线图像的技术。本发明提供一种仿真晶片，其包括：面状加热器；和夹持上述面状加热器的铝合金制、铝制或者碳化硅制的一对板状部材。

本发明提供一种基片液处理装置和液体释放评价方法。控制部控制液体供给部，使第一液体释放喷嘴移动并从第一液体释放喷嘴向基片的表面释放液体，使基片的表面上的液体的着落位置持续地变化。并且，控制部通过比较第一温度信息和第二温度信息，来导出液体供...

本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。...

本发明提供使基板的定位精度提高的基板定位装置、基板定位方法以及接合装置。本公开的基板定位装置具备保持部和旋转机构。保持部保持基板。旋转机构使保持部旋转。另外，旋转机构具备旋转轴部、轴承部、基座部、驱动部、以及阻尼机构。旋转轴部固定于保持...

本发明提供一种示教方法，能够提高搬送位置的精度。示教方法是搬送机构的示教方法，包括进行载置的工序、进行搬送的工序、进行检测的工序以及进行校正的工序。在进行载置的工序中，将第一基板或边缘环载置在搬送机构的叉子上，将第一基板或边缘环搬送到目...

本发明提供一种输送装置的示教方法。本发明的一个方式的输送装置的示教方法是具有保持基片的基片保持部和设置于该基片保持部的第1检测部的输送装置的示教方法，其包括：一边使上述基片保持部在铅垂方向上移动，一边用上述第1检测部对检测物体的高度位置...

本发明提供能够良好地维持蚀刻的面内的均匀性的蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法包括：用第一处理气体的等离子体蚀刻基片的第一含硅膜的第一蚀刻步骤；和用第二处理气体的等离子体蚀刻基片的第二含硅膜的第二蚀刻步骤。蚀刻方法将第一蚀刻步骤至第二...

本发明提供载置台、等离子体处理装置以及清洁处理方法，其防止粘接剂的消耗，并且防止异常放电。该载置台包括：载置部，其配置于等离子体空间，用于载置基板；粘接层，其将上述载置部和基台粘接起来；贯通孔，其贯通上述载置部、上述基台以及上述粘接层，...

在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，脉冲状的负极性的直流电压被周期性地施加到下部电极。规定脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的周期的频率低于为了生成等离子体而被供给的高频电力的频率。高频电力在周期内的第1部分期间内供给。周期...

向基板供给镀液的基板液处理装置具备：基板保持部，其用于保持基板；镀液送出部，其向第一流路送出镀液；温度调整部，其经由第一流路来与镀液送出部连接，对经由第一流路供给的流体的温度进行调整；推出流体送出部，其向第一流路送出与镀液不同的推出流体...

本发明涉及基片清洗装置和基片清洗方法，在清洗基片时，能够提高基片面内的杂质、颗粒等的除去率的均匀性。基片清洗装置能够将清洗部件抵接到圆形的基片的面，使上述基片与清洗部件相对地旋转来清洗上述面，上述清洗部件的与上述面接触的接触区域从基片中...

本发明提供在氧化物半导体膜的蚀刻中能够提高掩模选择比的氧化物半导体膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。氧化物半导体膜的蚀刻方法包括：提供基片的工序，该基片在至少含有铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物半导体膜上具有作为含硅膜的掩模；供...

一种基板处理装置，具备：旋转台，其将多个基板吸盘的各个基板吸盘依次送到进行基板的搬入的搬入位置、进行所述基板的薄化的加工位置以及进行所述基板的搬出的搬出位置；倾斜角度调整部，其调整所述加工位置处的所述基板吸盘相对于所述旋转台的倾斜角度；...

一种基板处理装置，对基板进行处理，所述基板处理装置具有：基板保持部，其保持将第一基板的表面与第二基板的表面接合而成的重合基板中的所述第二基板；周缘改性部，其针对被所述基板保持部保持的所述第一基板的内部，沿着作为去除对象的周缘部与中央部之...

基板处理装置具有：保持部，其保持重合基板；周缘改性部，其针对第一基板的内部，沿着周缘部与中央部之间的边界形成周缘改性层；内部面改性部，其针对第一基板的内部，沿着面方向形成内部面改性层；保持部移动机构，其使保持部沿水平方向移动；以及控制部...

本发明提供定向耦合器、处理基片的装置和处理基片的方法，能够使作为副线路的耦合线路与作为定向耦合器的主线路的中心导体疏耦合，并且得到良好的定向特性。在定向耦合器中，中空同轴线路包括构成主线路的中心导体和以包围中心导体的周围的方式设置的形成...